Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为0.5ns，带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为2-15 PF，暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm，有效面积为0.2 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为2ns，带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为9-60 PF，暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm，有效面积为0.8 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为9ns，带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V，电容为36-400 PF，暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm，有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。

Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为17ns，带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V，电容为77-530 PF，暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的ExactD-332是一款光谱范围为500-1650 nm的光电二极管模块。它可以从激光测距仪、目标指示器和主动激光光电（E.O.）系统的直接和间接散射光中探测并提供精确的到达角（AOA）信息。该光电二极管使用组装在夹层结构中的5元件Si和InGaAs检测器阵列，并结合3位数字格雷码掩模，以将入射激光束AOA转换为3位数字图案。它具有0.2-0.7A/W的响应度和60dB的动态范围。该光电二极管的上升时间为5 ns，结面积为0.75 mm2，视场为±45°。它的电容为13.5 PF，击穿电压为25 V.EXACTD-332采用TO-8 CAN封装，非常适合激光报警接收器系统、位置确定系统和方向辅助应用。

来自Qphotonics的QSPDI-28是一款光电二极管，波长范围为630至1650 nm，电容为100至140 PF，暗电流为1至2 nA，响应度/光敏度为0.13至0.022 A/W.有关QSPDI-28的更多详细信息，请联系我们。

Macom的APD28A是一款光电二极管，波长范围为1250至1650 nm，带宽为20 GHz，电容为40 PF，暗电流为1000 nA，响应度/光敏度为0.8 A/W.有关APD28A的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的1010Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为900 PF，暗电流为0.16至10 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为20µs.有关1010BI-SMT的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的33Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为50 PF，暗电流为0.02至0.05 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为10µs.有关33Bi-SMT的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的55Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为200 PF，暗电流为0.04至2 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为20µs.有关55BI-SMT的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的A2V-16是一款波长范围为970 nm、电容为170 PF、响应度/光敏度为0.60 A/W的光电二极管。A2V-16的更多详细信息见下文。

OSI Laser Diode，Inc.的A2V-76是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为160 PF，响应度/光敏度为0.50 A/W.A2V-76的更多详情见下文。

OSI Laser Diode，Inc.的A5C-35是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为12 PF，暗电流为0.05 nA，响应度/光敏度为0.65 A/W.A5C-35的更多详细信息见下文。

OSI Laser Diode，Inc.的A5C-38是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为12 PF，暗电流为0.05 nA，响应度/光敏度为0.65 A/W.有关A5C-38的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的A5V-35是一款波长范围为970 nm、电容为340 PF、响应度/光敏度为0.60 A/W的光电二极管。A5V-35的更多详细信息见下文。

OSI Laser Diode，Inc.的A5V-38是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为340 PF，响应度/光敏度为0.60 A/W.A5V-38的更多详情见下文。

OSI Laser Diode，Inc.的APD02-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为1000 MHz，电容为1.5 PF，暗电流为0.05至0.5 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD02-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的APD05-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为900 MHz，电容为3 PF，暗电流为0.1至1 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD05-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。