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扫描范围: <= 100mm X 100mm 决议: >= 500um um 决议: >= 500um
探测器采用GaAs高迁移率异质结构,在标准半导体循环中使用传统的光学光刻技术制作。成像传感器被制造在单个晶片上。该过程确保了等离子体检测器参数的高均匀性和再现性(像素到像素的偏差响应度在20%的范围内)。在10 GHz—1 THz频率范围内,每个探测器单元的室温响应度高达50 kV/W,具有读出电路和1 NW/的噪声等效功率。检测机制基于二维电子系统中等离子体振荡的激发以及随后的整流。矫正发生在电子系统中的特殊缺陷上。我们的太赫兹相机是主动探测设备,需要外部太赫兹源。我们提供基于IMPATT技术的亚太赫兹波源。我们所有的Tera系列太赫兹成像相机都采用相同类型的探测器,具有相同的能力和空间分辨率。我们的模型之间的差异在于其传感器阵列中的像素数量和其有效成像面积。除了我们的标准太赫兹相机型号,我们还提供定制的解决方案,以满足不同的配置和几何要求。
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扫描范围: <= 100mm X 100mm 决议: >= 500um um 决议: >= 500um
探测器采用GaAs高迁移率异质结构,在标准半导体循环中使用传统的光学光刻技术制作。成像传感器被制造在单个晶片上。该过程确保了等离子体检测器参数的高均匀性和再现性(像素到像素的偏差响应度在20%的范围内)。在10 GHz—1 THz频率范围内,每个探测器单元的室温响应度高达50 kV/W,具有读出电路和1 NW/的噪声等效功率。检测机制基于二维电子系统中等离子体振荡的激发以及随后的整流。矫正发生在电子系统中的特殊缺陷上。我们的太赫兹相机是主动探测设备,需要外部太赫兹源。我们提供基于IMPATT技术的亚太赫兹波源。我们所有的Tera系列太赫兹成像相机都采用相同类型的探测器,具有相同的能力和空间分辨率。我们的模型之间的差异在于其传感器阵列中的像素数量和其有效成像面积。除了我们的标准太赫兹相机型号,我们还提供定制的解决方案,以满足不同的配置和几何要求。
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扫描范围: > 150mm X 150mm 决议: < 500um um 决议: < 500um
Menlo Systems的Tera Image是一个自动成像单元,可以升级到我们的THz时域光谱系统。它使用户能够在透射或反射几何结构中获取THz图像。测量样品被安装在单元上并放置在THz路径的焦平面中。然后,图像数据由包含扫描的X-y平面的每个数据像素的全部光谱信息的矩阵组成,总范围为150mm×150mm甚至更大。TERA图像的真正优势在于图像数据的分析和可视化。它使用EPINA的ImageLab软件进行图像重建和分析,具有数据处理、分类或与物理性质图合并的各种功能。有了这个独特的工具,TERA IMAGE是一个强大的太赫兹成像系统,可用于各种应用。
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系统重复率: 100MHz 扫描速率: 0.02KHz 光谱范围: >=4 THz
我们的太赫兹光谱仪Tera K15为快速宽带时域太赫兹光谱提供了完整的解决方案。光纤耦合结构设计用于1.5μm左右的激光脉冲工作,并确保传输和反射几何结构的高性能和灵活性。光纤耦合的THz路径可以位于光谱仪外壳的外部。系统软件具有远程控制功能,可无缝集成到现有实验中。Tera K15包括我们较新的Figure 9®飞秒激光源、带延迟线的光纤耦合光路、带THz发射器的THz波路径、THz探测器和THz光学器件、THz电子器件以及带数据采集和评估软件的PC,用于FFT频谱、N和A提取。对于太赫兹成像应用,我们的自动扩展单元TERA图像可以集成。
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支持的目标: 40x, 50x, Other 照明: Coaxial, Ring Light (lateral) 焦点控制: Coarse XY 机械平台: Not Included 目镜: 1 - 10x
Fort Wayne Wire Die的DM300系列显微镜专为目视检查模具几何形状而设计,使您能够检查模具表面,以获得更好的成品电线质量。通过将卓越的光学校准与专门改装的光源相结合,DM300系列可帮助您定位表面缺陷和磨损模式。放大功能允许您评估正确的模具几何形状,并在小至0.050mm(.002)的模具中进行抛光。此外,模具台的滑动、旋转和倾斜提供了对模具内表面轮廓的连续旋转检查。拥有一系列型号,从全方位服务的DM390ZT到经济型的DM340,这款显微镜非常适合您的应用。设置和操作简单。欲了解更多信息,请联系韦恩堡电线模具代表。
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支持的目标: 0.5x, 1x, 2x, 7.5x, 50x, 100x, Other 照明: Coaxial, Ring Light (lateral) 焦点控制: Coarse XY 机械平台: Not Included 目镜: 1 - 10x
Fort Wayne Wire Die的DM300系列显微镜专为目视检查模具几何形状而设计,使您能够检查模具表面,以获得更好的成品电线质量。通过将卓越的光学校准与专门改装的光源相结合,DM300系列可帮助您定位表面缺陷和磨损模式。放大功能允许您评估正确的模具几何形状,并在小至0.050mm(.002)的模具中进行抛光。此外,模具台的滑动、旋转和倾斜提供了对模具内表面轮廓的连续旋转检查。拥有一系列型号,从全方位服务的DM390ZT到经济型的DM340,这款显微镜非常适合您的应用。设置和操作简单。欲了解更多信息,请联系韦恩堡电线模具代表。
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支持的目标: 0.5x, 1x, 7.5x, 50x, 100x, Other 照明: Coaxial, Ring Light (lateral) 焦点控制: Coarse XY 机械平台: Not Included 目镜: 1 - 10x
Fort Wayne Wire Die的DM300系列显微镜专为目视检查模具几何形状而设计,使您能够检查模具表面,以获得更好的成品电线质量。通过将卓越的光学校准与专门改装的光源相结合,DM300系列可帮助您定位表面缺陷和磨损模式。放大功能允许您评估正确的模具几何形状,并在小至0.050mm(.002)的模具中进行抛光。此外,模具台的滑动、旋转和倾斜提供了对模具内表面轮廓的连续旋转检查。拥有一系列型号,从全方位服务的DM390ZT到经济型的DM340,这款显微镜非常适合您的应用。设置和操作简单。欲了解更多信息,请联系韦恩堡电线模具代表。
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可接受的纤维直径: 0.5 - 1.8 um
DORC的ZX-1 Micro Duet+是世界上先进个“双头”系统,主要设计用于使用单个PC和操作员“同时”测量混合跳线的两端。例如,可以同时测量1.25毫米至2.50毫米跳线的两端,而无需更换卡盘。两端的数据连续出现在历史报告中,大大减少了通常与首先测量所有1.25mm端、更换卡盘然后测量所有2.50mm端相关的时间和数据处理。使用单个PC作为控制器降低了系统成本,同时提高了操作员的生产率和吞吐量。ZX-1 Micro Duet+可配置ZX-1 Micro PMS+系列测量仪器中的任意两个模块。典型配置可能包括:2个ZX-1微型PMS+模块,安装有不同的卡盘,用于测量混合跳线。1 X ZX-1 Micro PMS+模块和1 X ZX-1 Micro Array+模块,用于测量MT/MPO扇出组件。1 X ZX-1 Micro PMS+模块和1 X ZX-1 Micro 20-20 Vision模块,用于测量单光纤跳线几何形状和超高分辨率划痕分析。1 X ZX-1 Micro PMS+模块和1 X ZX-1 Micro Tune Up模块,用于测量单光纤跳线几何形状和极高分辨率纤芯偏心分析。重要的是要理解,因为各个系统都知道彼此的行动,ZX-1 Micro Duet+系统变得远远超过其各部分的总和。
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探测器类型: Si 设备类型: Benchtop 波长范围: 350 to 450 nm RoHS: Chine RoHS
Ophir Optronics的PD300RM-UVA是一款圆形几何结构光电二极管灌注和剂量传感器,工作波长为350至450 nm.它具有平坦的光谱响应,允许在光谱范围内测量窄带和宽带光源,如LED和激光器。传感器的平均功率密度为50 W/cm²,辐照度范围为1.5μW–15 W/cm²。它的剂量采样率为每秒500个样本,产生的脉冲能量高达20µJ.使用该传感器的LED测量不受光源带宽或加热引起的波长偏移的影响。它允许同时测量不同波长的光源。该传感器有一根1.5米长的电缆,用于连接Starbright&Starlite仪表或Juno+PC接口。
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激光波长: 0.905um 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片,在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片,在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。