ID281是IDQ的高性能单光子探测、简单而强大的低温技术、一流的时间标记和控制电子设备的先进组合。瑞士制造的SNSPD结合了高探测效率、低抖动、低噪声和短恢复时间，将您的应用极限推向新的高度。探测器（从2个到16个）集成在一个自动闭合循环和紧凑的0.8 K低温恒温器中，为长期性能提供了易用性和无与伦比的温度稳定性。该系统配备了我们的时间控制器ID900，用于高速和高分辨率时间标记，以及控制您的实验的可能性。您可以使用其内置的实时处理工具快速处理和显示数据。从您的应用程序中获得较佳效果。

PLX改进的USHM坚固的安装和镜像技术提供的特性使其能够在关键应用和恶劣条件下表现出色。USHM配置已用于军事和空间应用中，并且特别适用于OPD的高稳定性和安装螺纹上的顶点的同心度是关键要求的干涉仪。还提供重量更轻的铝制安装版本。

Lumenera的Infinity-EP数码相机是一款高性价比解决方案，具有出色的近红外灵敏度和响应度。这款相机可产生清晰、令人难以置信的低噪声图像和视频，以高帧速率传输，无延迟。Lumenera的先进热管理技术（ATMT）可消除暗电流噪声，提供高对比度成像，以满足厚脑切片观察等电生理学应用的挑战性条件。

走！Foton的雪崩光电二极管（APD），前照式，适用于G-PON/Ge-PON中的2.5 Gbps应用。这种InGaAs APD具有高可靠性的平面结构。

IAG系列雪崩光电二极管是较大的商用InGaAsAPD，在1000至1630nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。1550nm处的峰值响应度非常适合人眼安全的测距应用。

InGaAs雪崩光电二极管。

InGaAs雪崩光电二极管

InGaAs雪崩光电二极管。

Photek IPD3基于真正的单光子计数传感器，可为每个探测到的光子提供独特的同步位置和定时信息。相机输出光子探测位置和时间（X，y，t）的连续流，空间分辨率为100μm，时间分辨率为10ns。IPD3非常适合在宽视场范围内以非常低的光级对过程进行连续成像。高分辨率时间标记实现了时间分辨事件的100%占空比成像。IPD3高度可定制，具有多种图像平面格式选项、高灵敏度光电阴极和附件，可组合成完整的交钥匙系统。借助即插即用USB接口、完全集成的电源和直观的Image32软件，操作从未如此简单。

IR0280以低成本和出色的功能填补了热像仪领域的空白。这款热像仪之所以在竞争中脱颖而出，是因为其令人难以置信的功能，即触摸屏、视频录制和辐射测量数据，这些都是热像仪中常见的标准功能。较重要的是，整个系统是建立在Android上的，这不仅使它比传统系统运行得更流畅，而且较关键的部分是它允许从家里或办公室方便地更新，而不必发送回来。对于在检查和维护领域工作的专业人员来说，这款热像仪是一款经济实惠的工具。

Contour专为移动中的地图绘制而设计，将在大约2.5小时内扫描10，000平方米的常规空间。它的板载触摸屏是一个特别有用的功能，实时显示模型，并允许您暂停和恢复。置信度度量提供关于扫描质量的即时反馈，估计错误的可能性，并允许用户调整数据收集技术和参数。Contour非常适合扫描多房间内部、多楼层平面图、建筑物、工业厂房和基础设施。Kaarta Contour在其整个生命周期内继续接收复杂的软件更新，免费提供给所有新老客户。

大面积InGaAs光电二极管

我们的标准激光切割机GP-1812是一种具有成本效益的通用I类激光切割机系统，可轻松扩展用于焊接、切割和标记应用。通过多种选择，该工作站可以随着贵公司需求的增长而增长和变化。GP-1812可用作开发或生产机器。该系统具有完全集成的接口，其设计具有多功能性和易用性。控制系统允许从操作员界面访问所有机器功能。切割机可以从基本的三轴运动扩展到十二轴运动。可以集成一系列不同类型和功率的光纤激光切割机。它还允许用户安装各种不同的激光喷嘴和视频/视觉系统摄像机。有了众多选项，该系统可以根据您的需求进行专门设计，并适应特定的工作需求。

FPD-XXXS-1064-YY-DBR系列高功率边缘发射激光器基于先进的单频激光技术。它提供衍射受限的单一横向和纵向模式光束。小平面经过钝化处理，以实现高功率可靠性。应用包括光纤放大器注入、二次谐波产生、光谱学、差频产生和低功率DPSS替代。

FPD-XXXS-785-YY-DBR系列高功率边发射激光器基于先进的单频激光技术。它提供衍射受限的单一横向和纵向模式光束。小平面经过钝化处理，以确保高功率可靠性。用于铷应用的原子光谱学的设备。

FPD-XXXS-976-YY-DBR系列高功率边发射激光器基于先进的单频激光技术。它提供衍射受限的单一横向和纵向模式光束。小平面经过钝化处理，以确保高功率可靠性。应用包括，镱窄带泵浦，光谱学，差频产生和低功率DPSS替代。

FIDL-100M-650D是用MOCVD半导体激光器制作的650nm AlGaInP量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100M-650D光源是CW多模注入半导体激光二极管，提供带集成PD的9毫米外壳。该激光二极管适用于各种光电子器件系统。

FIDL-500M-665D是665nm AlGaInP/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-500M-665光源为连续多模注入半导体激光二极管。它采用9毫米外壳，集成PD和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-670C是670nm AlGaInP/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-670C光源为连续多模式注入半导体激光二极管。它是供应的9毫米外壳，集成PD和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

FJLD-100S-660-TO56-60TX是为高输出功率应用而设计的660 nm 100mW量子阱半导体激光器。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中，并用平板玻璃盖密封。