• IG22-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: up to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 40 to 5200 pF

    Laser Components的IG22系列是全色PIN光电二极管,标称截止波长为2.2μm.这些光电二极管具有1.40 A/W的峰值响应度,并在宽范围内提供出色的分流电阻。这些器件采用TO-CAN封装,是二极管激光监控、光谱和辐射测量应用的理想选择。

  • IG26-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.45 µm 光电二极管材料: InGaAs

    Laser Components的IG26系列是全色PIN光电二极管,标称截止波长为2.6µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。光电二极管具有出色的分流电阻,在宽范围内具有1.45 A/W的出色响应度。它们是分光光度计、二极管激光监控和火焰控制应用的理想选择。

  • L2200D1810-JH 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.95 µm 光电二极管材料: Pyroelectric, LiTaO3

    Laser Components的L2200D1810-JH是一款掺杂钽酸锂的双通道热释电探测器,覆盖从UV到LWIR的宽光谱范围。它集成了运算放大器和有机黑色吸收器,孔径尺寸为2.7 X 1.8 mm.该负极化检测器具有响应度为60000-120000 V/W的100 Gohm反馈电阻器。它具有每当吸收任何辐射时就产生信号的热检测器。该探测器由使用光盲元件集成的TFC(温度通量补偿)组成。L2200D1810-JH需要2.7-10 V直流电源,采用8 X 13.4 mm封装。它是非分散红外气体分析、火焰和火灾探测、非接触式温度测量、火焰控制和湿度监测应用的理想选择。

  • SAE230VX 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon

    来自Laser Components的SAE230VX是外延雪崩光电二极管,在400至1000 nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。650nm处的峰值响应度非常适合使用可见激光二极管的测距应用。有多种封装可供选择。

  • SAH1L12-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 暗电流: 4 to 10 nA

    Laser Components的SAH1L12系列是低噪声、高灵敏度、12元件线性硅雪崩光电二极管阵列,工作波长为800至900 nm.它们可以提供高达60 MW的功耗。APD具有较低的温度系数,元件之间的间隙仅为40µm.这些器件采用带保护窗的14引脚DIL封装,非常适合测距、激光扫描仪和激光雷达ACC应用。

  • SAH1L16-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon

    来自Laser Components的SAH1L16系列是线性Si-APD阵列,具有16个元件,采用带保护窗的LCC44封装。响应度优化为850 nm.它们具有低噪声、高速度和高量子效率的特点。这些阵列每个元件的有效面积为620µm X 190µm,可在-40至85℃的宽温度范围内工作。它们是测距、激光雷达ACC和激光扫描仪应用的理想选择。

  • SAP500-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon

    Laser Components的SAP500系列基于“穿透”结构,具有出色的量子效率、极低的噪声和体暗电流以及高增益。该APD的有效面积为D=500µm,既可用于增益高达250或更高的正常线性模式,也可用于“盖革”模式。盖革模式APD可以被偏置在击穿电压之上,以允许检测单个光子。SAP500系列可用于各种要求苛刻的应用,包括激光雷达、光谱学、小信号荧光检测和光子计数。APD密封在改进的TO-46封装中,或者作为选项,它可以与TO-37封装中的一级TEC或TO-8封装中的二级TEC一起提供。

  • SUR500X 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 260 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.4 pF

    Laser Components的SUR500X是一款雪崩光电二极管(APD),可在260 nm至1000 nm的商用波长范围内提供无与伦比的噪声和灵敏度性能。它基于硅“穿透”结构,在DUV/UV波长范围内具有高灵敏度。有源区的直径为0.5mm.该APD在10μA的暗电流下具有200V的击穿电压。SUR500X采用特殊的密封TO-46封装,针对紫外线波长范围进行了优化。它是荧光测量、分析设备、医疗、闪烁和高速光度测量应用的理想解决方案。

  • AXUV100TF030 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 3 nm RoHS: Yes

    Opto Diode Corporation的AXUV100TF030是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。其探测范围为1nm~12nm,响应度为0.16A/W@3nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。

  • AXUV100TF400 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 40 nm RoHS: Yes

    Opto Diode Corporation的AXUV100TF400是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。它的探测范围为18 nm至80 nm,响应度为0.15 A/W@40 nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。

  • AXUV20A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 0.0124 to 190 nm RoHS: Yes

    Opto Diode Corporation的AXUV20A是一种圆形光电二极管,有效面积为5.5 mm直径,对电子能级的灵敏度低至100eV.它的分流电阻超过100 mOhm,电容低于10 N,反向击穿电压为10 V,上升时间为2µs.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C(大气环境)和-20°C至+80°C(氮气或真空环境)。该器件配有保护盖板,以保护光电二极管芯片和焊线。

  • AXUV20HS1 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 0 to 250 nm RoHS: Yes

    Opto Diode Corporation的AXUV20HS1是一款圆形光电二极管,有效面积为20平方。嗯。它的电容小于800pF,反向击穿电压为160V,上升时间为3.5nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C(大气环境)和-20°C至+80°C(氮气或真空环境)。该设备是EUV探测的理想选择。它配有保护盖板,以保护光电二极管芯片和焊线。

  • AXUV63HS1 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 暗电流: 100 nA 响应度/光敏度: 0.05 to 0.25 A/W

    Opto Diode Corporation的AXUV63HS1是一款圆形光电二极管,有效面积为63 sq.对电子能级的灵敏度低至100eV.它的电容小于85pF,反向击穿电压为160V,上升时间为10nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C(大气环境)和-20°C至+80°C(氮气或真空环境)。该器件配有保护盖板,以保护光电二极管芯片和焊线。

  • BXP-15E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXP-15E是一款基于单通道PbSe的光电二极管,响应速度快,适用于中红外应用。该光电二极管具有1平方的有源元件面积。mm,探测率为2 X 10^10 cm sqrt.Hz/W,峰值灵敏度波长为3.8µm,响应率为3 X 10^4 V/W,电阻为0.7-1.5 mOhm,时间常数小于5µs.BXP-15E光电二极管在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装,带有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXP-25E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXP-25SE是一款基于单通道PbSe的光电二极管,可为中红外应用提供最快的响应速度。它的有源元件面积为4平方英寸。mm,探测率为2 X 10^10 cm-sqrt.Hz/W.光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm,响应度为1.5 X 10^4 V/W,电阻为0.7-2.5 MΩ,时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装,配有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXP-35E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXP-35E是一款基于单通道PbSe的光电二极管,响应速度快,适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。该光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm,响应度为1.5 X 10^4 V/W,电阻为0.5-1.75 mΩ,时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装,配有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXP-35F 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: 2.4 µm Longpass Ge Filter

    Opto Diode Corporation的BXP-35F是一款基于单通道PbSe的光电二极管,响应速度快,适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm,响应度为1.0 X 10^4 V/W,电阻为0.5-1.0 mΩ,时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。它采用TO5封装,具有2.4µm长通GE滤波器窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXT2S-68TE 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 4.3 to 4.5 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXT2S-68TE是基于PbSe的单通道光电二极管,可为中红外应用提供最快的响应速度。它的峰值灵敏度波长为4.3~4.5μm,响应度为1.65×104~2.5×104V/W,有效元件面积为36mm2,最小探测率为1.5×1010cm Hz1/2W-1。其电阻为1-15 MΩ,时间常数为12-25µs.这款红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO8封装,具有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • NXIR-5C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 1 to 3 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/W

    Opto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外(NIR)增强型光电二极管,圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度,在850 nm时为0.62 A/W,在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流,在10伏时具有5皮法(PF)的低电容,以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件(SMD)封装。坚固的封装具有AR涂层窗口,可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准,并以卷带和卷盘形式提供。

  • NXIR-RF100C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: Yes 波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 0.75 nA

    Opto Diode Corporation的NXIR-RF100C是一款表面贴装光电二极管,工作波长为320至1100 nm.它的感光面积为1×1mm,灵敏度为0.62A/W(λ=850nm),0.35A/W(λ=1064nm)。光电二极管是激光监测、雨水和阳光传感器应用的理想选择。