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波长: 808 nm 技术: Multimode multi emitter高功率激光二极管在808 nm波长下从105/125/250µm多模光纤（NA=0.22）中发射高达60 W的功率。裸光纤输出。兼容Option-6（高功率SMA连接器）和Option-7：高功率准直器（见下文）。
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波长: 830 nm 技术: Butterfly MULTIMODE with VBG 输出功率（脉冲）: 600 mW 输出功率: 600 mW单独的830nm蝶形激光二极管。窄线宽发射高达600 MW CW，830±1 nm多模105/125µm光纤输出，具有900µm缓冲涂层和FC/PC光纤连接器。与上述选项-3（3 mm准直器）兼容-见上文。采用特殊的体布拉格光栅（VBG）实现了非常稳定的窄发射线宽。蝶形1型封装。
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波长: 830 nm 技术: Multimode single emitter 输出功率（脉冲）: 2000 mW105（核心）/125/250/900µm多模激光二极管（NA=0.22）在830 nm处发射高达2 W的高功率激光二极管。FC/PC光纤连接器输出（可按需提供SMA）。与选项6兼容：高功率准直器（见下文）。
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波长: 830 nm 技术: Multimode multiemitter 输出功率（脉冲）: 20000 mW105（核心）/125/250/900µm多模激光二极管（NA=0.22）在830 nm处发射高达20 W的高功率激光二极管。SMA光纤连接器输出（FC/PC按需提供）。与选项6兼容：高功率准直器（见下文）。
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类型: Corning HI780 or equivalent 中心波长: 750 nm 半高宽（FWHM）: 10 nm美国Inphenix公司的宽带光源设备拥有超宽的带宽（如1250nm-1620nm SLD最大可达300nm带宽）和稳定的高功率。Inphenix宽带光源是基于Inphenix领先的超辐射发光二极管SLD SLED，可灵活定制以满足您对超带宽光源的苛刻需求。Inphenix宽带光源的波长范围从700nm到1700nm任您选择，其1310nm SLD 1550nm SLED 840nm 1050nm宽带光源设备的良好口碑广受赞誉，是理想的OEM集成宽带光源和台式宽带光源。
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波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 40 V 电流: 10mA2.5/3.125Gbps砷化镓 1X4 / 1X12 PIN-PD 芯片阵列
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视场角: 800.125 mm – 800 mm, 400.125 mm – 400 mm 分辨率: 28,608 pixels – 800 mm (900 dpi), 14,304 pixels – 400 mm 像元尺寸: 28 µm (900 dpi) 线路速率: 120 kHz (single), 60 kHz x 2 (dual exposure), 50 kHz x 3 (color) 最小线速: 0 Hz – external trigger, 300Hz – Internal triggerAxCIS系列是Teledyne DALSA推出的一款突破性CMOS接触图像传感器（CIS）格式模块，具有前所未有的速度、灵敏度和低噪声。适用于平板显示器、纺织品和电路板检查等高通量应用，具有高分辨率和快速成像能力。
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发射波长: 835-865nm 数据速率: 28Gbit/s 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: 6mW 光学带宽: 18GHzV25-850-HT紧凑且具有高调制速率的高温顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4）阵列作为工程样品提供，用于开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统。VCSELs在顶表面上单独接触，使用地源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。此VCSEL版本具有非常高的温度稳定性，并且可以在25°C至125°C范围内工作。适用于以太网、汽车应用和有源光缆（AOC），具有高达28 Gbit/s的速率。
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工作波长: 800~1550nm 数据速率: up to 56Gbit/s NRZ 供电电压: 3.3V 最大功耗: 250mW 峰值发射波长: 840~860nmT56-850TB发射光子组件结合了一个850纳米垂直腔面发射激光器（VCSEL）和一个可选的驱动集成电路，集成在测试板上，并通过50/125 µm多模光纤进行耦合。T56-850nm专为高速数据通信应用而设计。该设备配置为差分驱动，提供了控制阻抗电路以实现最佳性能。适用于高数据速率通信应用。
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VCSEL类型: 单模 发射波长: 1550-1570nm 数据速率: 最高25Gbit/s 峰值输出功率: 2.2mW 最大数据速率: 25-30Gbit/sV25-1550M高速度发射模块，集成了1550nm VCSEL，光纤耦合到9/125 µm单模光纤，适用于传输测试和研究开发。该模块设计为高速测试应用的工程样品。
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储存温度: -55 - +125°C 工作温度: -40 - +75°C 供电电压: +3 - +5.5V 输入光功率: --- - +5dBm 电源电流: 38 - 50mAFCI-H125G-010是一款针对短波长（850nm）高速光纤数据通信设计的低噪声、高带宽光电探测器加跨阻放大器。该混合器集成了一个直径为250µm的大感应区域、高灵敏度硅光电探测器，并包括一个高增益跨阻放大器，用于产生差分输出电压，以便在电光接收器和收发器中锁定后级放大器，适用于多模光纤上的1.25Gbps的Gigabit Ethernet和Fibre Channel应用。
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储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: 0~+5.5V 输入光功率: ---~+3dBm 电源电流: 26~65mAFCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速InGaAs光电探测器，如千兆以太网和SONET OC-48/SDH STM-16设计的高速InGaAs光电探测器，封装在密封的4针TO-46封装中，适用于高速信号放大。
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储存温度: -40~+125°C 工作温度: 0~+75°C 供电电压: 0~+6V 输入光功率: ---~+5dBm 供电电压: +3~+5.5VFCI-H125/250G-GaAs-100 series是一款集成了高速GaAs光电探测器和宽动态范围跨阻放大器的紧凑型产品。该系列产品采用100µm的活动区尺寸，封装在4针TO-46或TO-52封装中，为高速信号放大提供了理想条件。
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芯径: 105 ±2µm 包层直径: 125 ±3µm 镀膜直径: 245 ±15µm 芯数值孔径: 0.22 ±0.02 背景损耗(800-1300nm): <10 dB/kmiXblue S.A.S.的IXF-MMF-105-125-0.22是一款适用于宽带光纤通信和光纤传感的专业光纤，具有优异的传输特性。该产品具有圆形包层形状，适用于宽带的800-1300nm波长范围。
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纯硅芯材料: Pure silica core OH含量: Low-OH 镀膜材料: High-temperature acrylate 工作温度范围: -60 to +150 芯径: 105 ± 3这是一种经过辐射硬化处理的多模光纤，设计用于减轻辐射诱导衰减(RIA)的影响，并在辐射环境中延长光纤寿命。Exail结合十年在R&D和研究合作中的投资，提供了适用于高辐射水平和/或极端温度恶劣环境中使用的单模和多模辐射硬化光纤，太空应用的二极管尾纤、高功率传输等。
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偏振波长: 780, 840, 980, 1060, 1310或1550nm 光纤直径: 80或125µm 设计: Tiger 偏振窗口: > 100nm 消光比: < -30dBIXS-POL-1053-125是一种全光纤偏振器，利用最佳长度的偏振光纤在适当直径上卷绕，以在操作波长上工作。与在线偏振器相比，PZ光纤基偏振器提供更优越的偏振消光比、低损耗以及温度稳定性，具有超过30dB的高消光比和100nm的偏振窗口，适用于量子光学、光纤光学传感器等应用。
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模式: Pulsed 工作波长: 1063.9-1064.3nm 光线宽度: 0.05-0.25nm 激光脉冲宽度: 1-512ns 输出脉冲形状: ArbitraryModBox-FE-125ps-10mJ是一种光学调制单元，能够在1064 nm的范围内产生具有高消光比的短脉冲。它允许用户自定义脉冲持续时间、重复率和脉冲形状，并且能预补偿在饱和状态下工作的放大器链中发生的脉冲失真。适用于惯性约束聚变、激光等离子体相互作用等高端光电应用。
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工作波长: 1030nm, 1053nm, 1064nm 波长可调范围: 0-0.7nm 线宽: 70kHz或1MHz 输出脉冲形状: Arbitrary 输出脉冲形状: user adjustableModBox-FE-NIR是一款完整的前端激光系统，设计用于作为高能量密度激光设施的种子源。该系统提供1030nm、1053nm和1064nm的波长，能够产生125ps至10ns的定制形状的光脉冲，具有高稳定性和高消光比，支持多种应用。
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截止波长: 720 ± 50 衰减量@780 nm: < 4 衰减: < 3 模场直径@780 nm: 4.7 ± 0.5 模场直径@850 nm: 5.1 ± 0.5IXF-SM系列单模光纤专为UV至NIR波长范围内的操作而设计。提供不同的包层直径、数值孔径和涂层材料，有多种单模光纤可供选择。IXF-SM-780-125-014是为780至1200 nm波长范围内低损耗操作而设计的单模光纤，适用于激光器和调制器尾纤。
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截止波长[nm]: < 350 衰减@375 nm (dB/km): < 60 衰减@400 nm (dB/km): < 50 模场直径@375 nm (µm): 3.0 ± 0.5 模场直径@400 nm (µm): 3.2 ± 0.5IXF-SM系列单模光纤专为UV至NIR波长范围内的操作设计。提供不同的包层直径、数值孔径和涂覆材料，有多种单模光纤可供选择。IXF-SM-375-125-010是一种耐光致变色的纯石英芯光纤，适用于UV激光传输和量子应用。
产品选型就用光电查
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