• WinCamD-QD SWIR/eSWIR量子点光束分析仪 光束分析仪
    美国
    分类:光束分析仪
    厂商:DataRay
    波长范围: 350-2000nm 像素尺寸: 15µm 分辨率: Up to 1920x1080 动态范围: >2100:1 (33dB opt./66dB elec.) 模数转换器位数: 14-bit

    WinCamD-QD系列使用胶体量子点传感器,为可见光、SWIR和eSWIR光源提供高质量的光束分析。该系列具有15微米像素,350-2000纳米的宽波长范围以及全局快门,提供无与伦比的光束分析能力。

  • CsTeQ-D-L 紫外线CsTe二极管探测器 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:Resonance
    阳极供电电压: 10-100 VDC 光谱响应: 160-320 nm 窗口材料: Quartz 峰值波长: 240 nm 光阴极电流: 1.2 uA

    Resonance Ltd.的CsTeQ-D-L是一个紫外线CsTe二极管探测器,带有石英窗口,可以通过适配器直接安装到2.75英寸的共平面法兰上。该二极管具有10%的峰值量子效率,适用于真空系统和宽波段光电检测。

  • M-Squared ½ 英寸CMOS光束成形摄像机 光束分析
    美国
    分类:光束分析
    厂商:DataRay
    分辨率: < 1 µm 控制方式: DataRay software controlled 符合性: RoHS and CE compliant 传感器尺寸: 11.3 x 11.3 mm 像素大小: 3.2 µm

    M2或光束质量因子是一个无量纲参数,用于表征实际激光光束的不完美程度。M2值越低,光束越能聚焦到一个小点。DataRay提供的M-Squared ½” CMOS Beam Profiling Camera, Ultra Compact, USB 3.0,适用于激光系统的质量保证或验收标准,成像相机和狭缝扫描系统来测量M2、发散度、光束轮廓、光束位置、Raleigh范围等。

  • PVMQ 光伏多结象限探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: PVMQ-10.6 有源元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 10.6µm 探测率D*(λpeak): ≥2.0×10^7cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt): ≥1.0×10^7cm·Hz1/2/W

    PVMQ是基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏多结象限探测器,以实现最佳性能和稳定性。四分之一探测器由四个独立的活动元件组成,排列成四分之一几何结构。该设备在10.6 µm波长处进行了最大性能优化。

  • 可变螺旋板(VSP) 偏振光学元件
    瑞士
    厂商:ARCoptix
    波长范围: 400-1700nm 拓扑荷: Q=±0.5 宽带波长: 最大波长宽度100nm 径向或方位角偏振: 是 螺旋相位: 是,可调

    Variable Spiral Plate (VSP)可变螺旋板(VSP),在文献中也被称为Q-板,是一种被动液晶光学元件,能够改变均匀偏振光束的空间偏振分布。它透明且损耗、散射或衍射光都很小。适用于各种波长的激光器,生成轨道动量和螺旋波前。

  • VM100-850-SG-qSM-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 840-860nm 数据速率: ~112Gbit/s 阈值电流: 0.5mA 峰值输出功率: 3-5mW 最大数据速率: 50-56GBaud/s

    VM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4,12)阵列作为工程样品,供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触,使用地-源(GS)微探针、线键合或倒装芯片键合。

  • VM100-910-SG-qSM-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 910 nm 数据速率: ~112 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 最大数据速率: 50-56 GBaud/s

    VM100-910-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4,12)阵列作为工程样品可用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。VCSEL通过接地-源(GS)微探头、线键合或翻转芯片键合单独接触到顶面。

  • YAG Quadrant Series 1064nm象限光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -10ºC~+100ºC 存储温度: -40ºC~+125ºC 型号: SPOT-9YAG, SPOT-11AYAG-FL, SPOT-13AYAG-FL, SPOT-15YAG 有效区域: 19.6mm2, 26mm2, 33.7mm2, 38.5mm2

    SPOT-YAG系列是1064纳米的钕:钇铝石榴石优化的四象限光电二极管,非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计,用于收集在活动区域外部产生的电流,以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间,非常适合低光强度测量,因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式(无偏)下运行,适用于需要低噪声的应用,也可以在光导模式(有偏)下操作,适用于高速、瞄准和指向应用。

  • SPOT-4D-0 环形象限硅光电二极管350nm到1100nm 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有源面积: 1.3x1.3mm 元素间隙: 0.127mm 光谱范围: 350-1100nm 峰值波长: 980nm 响应度@790nm: 0.52A/W

    SPOT-4D-0是一款环形象限硅光电二极管,适用于350nm到1100nm的光谱范围。该产品采用环形封装设计,适合与LC插针耦合,具有ϕ200μm激光切割孔,以及反射率测量的后向散射检测。

  •  SPOT-9D-0 环形象限硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 350nm-1100nm 激光切割孔径: ϕ200μm 封装尺寸: 24.77mm x 17.65mm x 4.95mm

    SPOT-9D-0 Annular Quadrant Silicon Photodiode是一款高性能的硅光电二极管,适用于350nm到1100nm波长范围内的光检测。其独特的环形封装设计特别适用于反射率测量和LC插芯耦合。

  • QD7-0-SD/QD50-0-SD 象限光电二极管阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    暗电流: QD7-0: 0.2 nA (min), 0.47 nA (typ) | QD50-0: 0.54 nA (typ) 反向电压: QD7-0: 30 V (typ) | QD50-0: 10 V (typ) 有效区域: QD7-0: φ 20 mm | QD50-0: φ 125 mm 响应度: QD7-0: 0.4 A/W (typ) at 900 nm | QD50-0: 15.0 A/W (typ) at 900 nm 电容: QD7-0: 15.0 pF (typ) at 0 V | QD50-0: 30.0 pF (typ) at 0 V

    QD7-0-SD和QD50-0-SD是带有关联电路的象限光电二极管阵列,用以提供两个差分信号和一个求和信号。两个差分信号是由光电二极管象限元件对立面感测到的光强度差异的电压模拟。此外,所有4个象限元件的放大求和也作为求和信号提供。这使得QD7-0-SD或QD50-0-SD非常适合光束对准和位置应用。可以实现非常精确的光束对齐,并且电路也可以用于目标获取和对齐。

  • FCI-InGaAs-QXXX 大活动面积InGaAs四象限光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55~+125°C 工作温度: -40~+75°C 焊接温度: 最高+260°C 活动区域直径: 1000~3000µm 响应度: 0.85~0.90A/W

    FCI-InGaAs-QXXX系列是大活动面积的InGaAs光电二极管,分割成四个独立的活动区域。这些光电二极管有1mm和3mm的活动区域直径。InGaAs四象限系列具有高响应均匀性和元素间低串扰,非常适合精确的零位或中心定位应用以及光束轮廓分析应用。

  • QubeCL 激光器精确驱动和控制平台 半导体激光器驱动器
    意大利
    厂商:ppqSense S.r.l.
    最大电流范围: 0.5 A, 1 A, 1.5 A, 2 A, 2.5 A 均方根电流噪声: <1 µA RMS 电流噪声谱密度: <400 pA/√Hz 电流稳定性(1小时): 10 ppm FS 恒流输出电压: 18 V

    QubeCL是一个模块化平台,针对半导体激光器,特别是量子级联激光器(QCLs),提供了精确和简单的驱动和控制工具。该系统集成了多个高性能仪器于10x10 cm2的超紧凑占地面积内。具有极低的电流噪声和高精度的温度控制,适用于高精度的科学研究和工业应用。

  • QubeCL系统 高性能激光器驱动环境 半导体激光器驱动器
    意大利
    厂商:ppqSense S.r.l.
    工作温度: -20到+40°C 储存温度: -20到+70°C 主电源电压: 26V TEC电源电压: 26V 监控电源电压: 5.5V

    QubeCL系统是专为最先进的量子级联激光器(QCL)源设计的高性能激光器驱动环境,也可以驱动任何种类的半导体激光器。该系统的扩展模块允许您定制系统,获得一个10x10 cm2足迹的高性能仪器。该系统旨在最小化外部接线,并将易受干扰的连接封闭在其框架内,从而减少噪声耦合并最大化性能。适用于精密气体光谱学等应用。

  • QubeDT-F  高性能的光电探测器 光电探测器
    意大利
    分类:光电探测器
    厂商:ppqSense S.r.l.
    直流偏置电压: 500mV 温度稳定指示: T LOCK LED

    QubeDT-F Fast Balanced Photodetector是一款高性能的光电探测器,专为激光器光强和光束质量精确测量而设计。QubeDT-F可快速差分平衡光电探测器,用于精确测量激光器的光强和光束质量。

  • QubeDT-F 快速平衡光电探测器 光电探测器
    意大利
    分类:光电探测器
    厂商:ppqSense S.r.l.
    波长: μm 探测器型号: PVI-4TE-5 光学面积: 1 x 1 mm 窗口: sapphire wedged wAlO2 3 带宽: DC-250 kHz

    QubeDT-F快速平衡光电探测器,专为快速光电探测和信号噪声抑制而设计,提供优异的信噪比增强。QubeDT-F快速平衡光电探测器是一款预备产品,具备高速的AC通道带宽和嵌入式光学平衡检测技术。

  • AA1401系列高功率DFB激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-40°C 输出功率: 请参阅订购信息 中心频率: 请参阅订购信息 线宽: 1MHz 相对强度噪声: -150dBc/Hz

    EM4的AA1401系列高功率DFB激光器提供稳定的偏振维持性能,适用于需要低相对强度噪声(RIN)和稳定偏振维持属性的长途波分复用传输和射频链接等应用。高功率分布反馈激光器(DFB)是一种InGaAs/InP多量子阱(MQW)激光二极管。

  • AA1418系列高功率分布反馈激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-35°C 输出功率: 40mW 中心频率: 见订购信息 线宽: 2-5MHz 相对强度噪声: -140dBc/Hz

    EM4的AA1418系列高功率分布反馈激光器是一个连续波InGaAs/InP多量子阱(MQW)激光二极管。适用于长距离波分复用传输、射频链接等应用,具有低相对强度噪声和高效TEC。

  • FLAME 紧凑型频率稳定激光模块 激光器模块和系统
    西班牙
    厂商:ALTER
    波长: 780.24nm 线宽: <500kHz 输出功率: >150mW 光束直径: <0.5mm FWHM 光束发散角: <1mrad FWHM

    FLAME Frequency-Stabilised Laser Modules是一款集成蒸汽室的紧凑型频率稳定激光模块,允许锁定到原子参考的光谱特性。这款产品针对的是780nm左右的铷原子跃迁,这对于量子技术中的应用至关重要,特别适用于激光冷却、原子钟和惯性导航单元。

  • Hedgehog 高速、可调谐中红外激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:Leonardo DRS
    重复率: 0.1 kHz to 1 MHz 可调谐范围: 最高200 cm-1(HHG型号)/最高400 cm-1(HHG-UT型号)/30 cm-1(HHG-LT型号) 平均功率: 最高500 mW(HHG和HHG-UT型号)/最高150 mW(HHG-LT型号) 峰值功率: 最高1 W(HHG和HHG-UT型号)/最高200 mW(HHG-LT型号) 中心波长可用性: < 4 μm to > 13 μm

    Hedgehog是DRS Daylight Solutions推出的一款紧凑型、快速扫描、可调谐的中红外激光器。它基于Daylight Solutions公司的量子级联激光(QCL)技术,适用于快速、高质量的中红外光谱数据采集。