• LD-450-80MG 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 440 to 460 nm 输出功率: 0.08 W 工作电压: 5.8 to 7 V 工作电流: 0.1 to 0.145 A

    LD-450-80MG是Roithner Lasertechnik公司生产的激光二极管,波长为440~460nm,输出功率为0.08W,工作电压为5.8~7V,工作电流为0.1~0.145A,阈值电流为30~60mA.有关LD-450-80mg的更多详细信息,请联系我们。

  • RLT1450-2WC 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 1420 to 1480 nm 输出功率: 2 W 工作电压: 1.5 to 1.8 V 工作电流: 4.5 to 5 A

    Roithner Lasertechnik公司的RLT1450-2WC是波长为1420~1480nm,输出功率为2W,工作电压为1.5~1.8V,工作电流为4.5~5A,阈值电流为500~800mA的激光二极管。有关RLT1450-2WC的更多详细信息,请联系我们。

  • RLT1460-5MG 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 1450 to 1470 nm 输出功率: 0.005 W 工作电压: 1 to 1.3 V 工作电流: 0.035 to 0.04 A

    Roithner Lasertechnik公司的RLT1460-5MG是一种激光二极管,波长为1450至1470 nm,输出功率为0.005 W,工作电压为1至1.3 V,工作电流为0.03 5至0.04 A,阈值电流为15至20 mA.有关RLT1460-5MG的更多详细信息,请联系我们。

  • RLT635-150-TO3 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 630 to 642 nm 输出功率: 0.15 W 工作电压: 2.1 to 2.3 V 工作电流: 0.6 to 0.65 A

    Roithner Lasertechnik公司的RLT635-150-TO3是波长为630至642 nm,输出功率为0.15 W,工作电压为2.1至2.3 V,工作电流为0.6至0.65 A,阈值电流为400至450 mA的激光二极管。有关RLT635-150-TO3的更多详细信息,请联系我们。

  • RLT67300T 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 670 to 675 nm 输出功率: 0.3 W 工作电压: 2 to 2.2 V 工作电流: 0.8 to 0.9 A

    Roithner Lasertechnik的RLT67300T是波长为670至675 nm、输出功率为0.3 W、工作电压为2至2.2 V、工作电流为0.8至0.9 A、阈值电流为450至550 mA的激光二极管。有关RLT67300T的更多详细信息,请联系我们。

  • RLT780-1000G 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 780 to 790 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 1.2 to 1.4 A

    Roithner Lasertechnik公司的RLT780-1000G是一种激光二极管,波长为780至790 nm,输出功率为1 W,工作电压为1.8至2 V,工作电流为1.2至1.4 A,阈值电流为390至450 mA.有关RLT780-1000G的更多详细信息,请联系我们。

  • S8450MG 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 830 to 850 nm 输出功率: 0.05 W 工作电压: 1.5 to 2.1 V 工作电流: 0.085 to 0.11 A

    来自Roithner Lasertechnik的S8450MG是波长为830至850 nm、输出功率为0.05 W、工作电压为1.5至2.1 V、工作电流为0.085至0.11 A、阈值电流为28至35 mA的激光二极管。有关S8450mg的更多详细信息,请联系我们。

  • LD-10XX-BA-6W 半导体激光器
    德国
    厂商:Innolume
    工作模式: CW Laser 波长: 1060 nm 输出功率: 6 W 工作电流: 7.3 to 8.5 A 阈值电流: 450 to 700 mA

    来自Innolume的LD-10XX-BA-6W是一款激光二极管,波长为1060 nm,输出功率为6 W,工作电流为7.3至8.5 A,阈值电流为450至700 mA,输出功率(连续波)为6 W.有关LD-10XX-BA-6W的更多详细信息,请联系我们。

  • LDS-1450-DFB-2.5G-15/45 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1447 to 1453 nm 输出功率: 15 to 45 mW 工作电压: 1.4 to 1.7 V

    来自Laserscom的LDS-1450-DFB-2.5G-15/45是耦合到光纤的1450nm InGaAsP MQW激光二极管。在单模光纤G.657.A1中,它在CW模式下提供高达15 MW的光功率,在脉冲模式下提供高达45 MW的光功率。该激光二极管具有高达2.5Gbps的数据速率和小于500kHz的线宽。该二极管的工作电压为1.4至1.7 V,功耗高达120 mA.该激光二极管采用同轴封装,是光纤通信系统的理想选择。

  • QL84S6SL 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 835 to 855 nm 输出功率: 450 mW 工作电压: 1.9 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL84S6SL是波长为835至855 nm、输出功率为450 MW、工作电压为1.9至2.5 V、工作电流为530至550 mA的激光二极管。有关QL84S6SL的更多详细信息,请联系我们。

  • BD-4KW-HE 激光功率计
    加拿大
    分类:激光功率计
    厂商:Gentec-EO
    探测器类型: Thermopile 设备类型: Benchtop 测量显示: W 功率范围: 4000 W to 4500 W

    Gentec-EO的BD-4KW-HE是一款激光功率计,功率范围为4000 W至4500 W.有关BD-4KW-HE的更多详细信息,请联系我们。

  • HP100A-4KW-HE 激光功率计
    加拿大
    分类:激光功率计
    厂商:Gentec-EO
    再现性: ±2 % 校准不确定度: ±5 % @ 1064 nm 探测器类型: Thermopile 设备类型: Benchtop 测量显示: W

    Gentec-EO的HP100A-4kW-HE是一款激光功率计,功率范围为4000 W至4500 W,波长范围为0.19至20µm.有关HP100A-4KW-HE的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-1500 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 200 to 450 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-1500是一种波长范围为900至1700 nm、电容为200至450 PF、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W的光电二极管。

  • PIN-5DP/SB 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 410 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 450 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-5DP/SB是一款光电二极管,波长范围410 nm,电容450 PF,响应度/光敏度0.15至0.20 A/W,上升时间0.2µs.有关引脚5DP/SB的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-DSIn-TEC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: Yes

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-DSIN-TEC是一款光电二极管,波长范围为1000至1800 nm(InGaAs),电容为450 PF(Si-TOP)、300 PF(InGaAs),响应度/光敏度为0.55 A/W(Si-TOP)、0.6 A/W(InGaAs),上升时间为4µs.有关PIN-DSIN-TEC的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-DSIn 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: Yes

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-DSIN是一款光电二极管,波长范围为400至1100 nm(Si-TOP)、1000至1800 nm(InGaAs),电容为450 PF(Si-TOP)、300 PF(InGaAs),响应度/光敏度为0.55 A/W(Si-TO-P)、0.6 A/W(InGaAs),上升时间为4µs.有关PIN-DSIN的更多详细信息,请联系我们。

  • S-120CL 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 450 pF 暗电流: 800 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的S-120CL是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为450 PF,暗电流为800 nA,响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.S-120CL的更多详细信息见下文。

  • UDT-555UV/LN 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 200 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UDT-555UV/LN是一款光电二极管,波长范围为200至1100 nm,电容为4500 PF,响应度/光敏度为0.10至0.14 A/W.有关UDT-555UV/LN的更多详细信息,请联系我们。

  • UDT-555UV 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 200 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UDT-555UV是一款光电二极管,波长范围为200至1100 nm,电容为4500 PF,响应度/光敏度为0.10至0.14 A/W.有关UDT-555UV的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为4500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为5.9µs.有关UV-100的更多详细信息,请联系我们。