• SPOT-4DMI 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF 暗电流: 0.01 to 0.5 nA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的SPOT-4DMI是波长范围为970nm、电容为1pF、暗电流为0.01至0.5nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为9ns的光电二极管。有关SPOT-4DMI的更多详细信息,请联系我们。

  • SPOT-9-YAG 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 1000 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 1 to 5 pF 暗电流: 35 to 250 nA

    来自OSI Optoelectronics的SPOT-9-YAG是波长范围为1000nm、电容为1至5pF、暗电流为35至250nA、响应度/光敏度为0.40A/W、上升时间为18ns的光电二极管。SPOT-9-YAG的更多细节可以在下面看到。

  • SPOT-9D 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pF 暗电流: 0.5 to 10 nA

    来自 OSI Optoelectronics 的SPOT-9D是波长范围为970nm、电容为60pF、暗电流为0.5至10nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为33ns的光电二极管。有关SPOT-9D的更多详细信息,请联系我们。

  • SPOT-9DMI 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pF 暗电流: 0.5 to 10 nA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的SPOT-9DMI是波长范围为970nm、电容为60pF、暗电流为0.5至10nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为28ns的光电二极管。有关SPOT-9DMI的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-001 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-001是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为60 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为0.2µs.有关UV-001的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-005 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-005是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为300 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为0.9µs.有关UV-005的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-005DQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 65 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-005DQ是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为65 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为0.2µs,有效面积直径为2.4 mm.有关UV-005DQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-005DQC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 65 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-005DQC是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为65 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为0.2µs,有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005DQC的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-005EQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 140 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-005EQ是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为140 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为0.5µs,有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005EQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-005EQC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 140 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-005EQC是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为140 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为0.5µs,有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005EQC的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-013DQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 150 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-013DQ是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为150 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为0.5µs,有效区域直径为3.6 mm.有关UV-013DQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-013EQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 280 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-013EQ是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为280 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为1µs,有效区域直径为3.6 mm.有关UV-013EQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-015 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 800 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-015是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为800 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为2µs.有关UV-015的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-035DQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-035DQ是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为380 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为1µs,有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-035DQC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-035DQC是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为380 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为1µs,有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQC的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-035EQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 800 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-035EQ是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为800 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为2µs,有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035EQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为4500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为5.9µs.有关UV-100的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100DQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100DQ是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为1100 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为3µs,有效区域直径为10 mm.有关UV-100DQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100EQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100EQ是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为2500 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为7µs,有效区域直径为10 mm.有关UV-100EQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100L 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100L是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为4500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为5.9µs.有关UV-100L的更多详细信息,请联系我们。