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MALD-02079/MALD-02080与M02076和M02077器件引脚兼容。新的双闭环支持宽动态MPD输入电流范围,增强了工作条件下的ER稳定性和模式依赖性抗扰性。MALD-02079/MALD-02080是一款低功耗、高度集成的激光驱动器和连续模式限幅放大器,适用于3.125 Gbps的ONT应用。内部状态机和EEPROM执行独立操作所需的所有功能(EEPROM位于MALD-02080内部,外部EEPROM可与MALD-02079一起使用,但不是必需的)。内部状态机将实时获取和缩放所有必要的监控参数,并使其可用于MAC或外部主机控制器。使用MALD-02079/MALD-02080将较大限度地降低功耗和部件数量,提供设计灵活性并简化制造过程。激光驱动器可配置为通过开环查找表或使用监控光电二极管反馈的三种不同闭环方法之一(包括Macom专有的双闭环和单闭环(调制)模式)来控制激光器。
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波长: 1540nm 平均值功率: 0.015W 重复频率: 0.005 - 0.005 kHz 脉宽: 9ns 冷却: Air, Conductive
OT-27是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态(DPSS)激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内,OT-27提供超过2 MJ的脉冲能量,半高宽(FWHM)脉冲宽度为10 ns,脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz,在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm,光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-27还具有内置光电二极管作为参考。作为启动信号。
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波长: 1540nm 平均值功率: 0.002W 重复频率: 0.001 - 0.001 kHz 脉宽: 9ns 冷却: Air, Conductive
OT-29是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态(DPSS)激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内,OT-29提供超过1.2 MJ的脉冲能量,半峰全宽(FWHM)脉冲宽度为10 ns,脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz,在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm,光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-29还内置光电二极管用作参考。作为启动信号。
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波长: 1540nm 平均值功率: 0.030W 重复频率: 0.01 - 0.01 kHz 脉宽: 9ns 冷却: Air, Conductive
OT-37是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态(DPSS)激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内,OT-37提供超过2 MJ的脉冲能量,半高宽(FWHM)脉冲宽度为10 ns,脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz,在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm,光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-37还具有内置光电二极管作为参考。作为启动信号。
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波长: 1540nm 平均值功率: 0.004W 重复频率: 0.001 - 0.001 kHz 脉宽: 9ns 冷却: Air, Conductive
OT-39是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态(DPSS)激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内,OT-39提供超过3 MJ的脉冲能量,半高宽(FWHM)脉冲宽度为10 ns,脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz,在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm,光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-39还具有内置光电二极管作为参考。作为启动信号。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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工作模式: CW Laser 波长: 450 to 460 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 5.2 V 工作电流: 0.11 A
来自Nichia Corporation的NDB4216E是4类激光二极管,其工作波长为450nm至460nm.它的连续波输出功率为0.1 W,斜率效率为1.2 W/A,波束指向精度为±2.5°(平行)和±3°(垂直)。这款单发射器激光二极管的光束发散角为8.5°(平行)和23°(垂直),符合RoHS规范。阈值电流为30 mA,工作电压为5.2 V,功耗为0.11 A.这款单模激光二极管采用浮动安装的CAN封装,尺寸为Ø5.6 mm,带有一个光电二极管和一个齐纳二极管。它是评估或设计应用程序的理想选择。