用于红外仪器和传感应用的大面积、高灵敏度光电二极管。在800nm至1700nm范围内的高光谱响应。感光区直径为1毫米。平面钝化器件结构。

用于红外仪器和传感应用的大面积、高灵敏度光电二极管。在800nm至1700nm范围内的高光谱响应。感光区直径为1.5毫米。平面钝化器件结构。

用于红外仪器和传感应用的大面积、高灵敏度光电二极管。在800nm至1700nm范围内的高光谱响应。高分流电阻允许对低电平光信号的高灵敏度。感光区直径为2毫米。平面钝化器件结构。

用于红外仪器和传感应用的大面积、高灵敏度光电二极管。在800nm至1700nm范围内的高光谱响应。感光区直径为3毫米。平面钝化器件结构。

FIDL-1000M-1020X是用MOCVD半导体激光器制作的1020nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1020X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1064X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用INSOT-148外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，TO-3窗口外壳集成了TEC、热敏电阻和监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-1070X是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1070X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用11.4mm外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-895D是用MOCVD半导体激光器制作的895nm InGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-895D光源是一种CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-900X是900nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-900X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-905X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的905nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-905X-TO3光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用TO-3外壳，内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管，以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-910X是910nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M 910X光源是一款CW多模式注入半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管，以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-915X是915nm InGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-915X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-950X是950nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-950X光源是一种连续多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-980X是980nm InGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-980X光源是CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100M-1064X是CW多模注入式半导体激光二极管。它采用SOT-148 9mm封装，集成监视器光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-945X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100M-945X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-980X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100M-980X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100S-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-1060X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

FIDL-100S-1064X是InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-1064X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100S-950X是950nm InGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-100S-950X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。