• InGaAs PIN光电二极管FD1000W 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:Fermionics
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 850nm

    用于红外仪器和传感应用的大面积、高灵敏度光电二极管。在800nm至1700nm范围内的高光谱响应。感光区直径为1毫米。平面钝化器件结构。

  • InGaAs PIN光电二极管FD1500W 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:Fermionics
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 850nm

    用于红外仪器和传感应用的大面积、高灵敏度光电二极管。在800nm至1700nm范围内的高光谱响应。感光区直径为1.5毫米。平面钝化器件结构。

  • InGaAs PIN光电二极管FD2000W 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:Fermionics
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1300nm

    用于红外仪器和传感应用的大面积、高灵敏度光电二极管。在800nm至1700nm范围内的高光谱响应。高分流电阻允许对低电平光信号的高灵敏度。感光区直径为2毫米。平面钝化器件结构。

  • InGaAs PIN光电二极管FD3000W 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:Fermionics
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1300nm

    用于红外仪器和传感应用的大面积、高灵敏度光电二极管。在800nm至1700nm范围内的高光谱响应。感光区直径为3毫米。平面钝化器件结构。

  • 激光二极管FIDL-1000M-1020X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.020um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-1020X是用MOCVD半导体激光器制作的1020nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-1020X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用9mm TO型外壳,内置监控光电二极管以稳定输出功率,并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-1064X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-1064X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用INSOT-148外壳,内置监控光电二极管以稳定输出功率,TO-3窗口外壳集成了TEC、热敏电阻和监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-1070X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.070um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-1070X是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-1070X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用11.4mm外壳,内置监控光电二极管以稳定输出功率,并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-895D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.895um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-895D是用MOCVD半导体激光器制作的895nm InGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-895D光源是一种CW多模注入式半导体激光二极管,采用9mm TO型外壳和TO-3外壳,内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻,以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-900X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.900um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-900X是900nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-900X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-905X-TO3 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-905X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的905nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-905X-TO3光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用TO-3外壳,内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管,以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-910X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.910um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-910X是910nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M 910X光源是一款CW多模式注入半导体激光二极管,采用9mm TO型外壳和TO-3外壳,内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管,以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-915X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.915um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-915X是915nm InGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-915X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-950X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.950um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-950X是950nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-950X光源是一种连续多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-980X是980nm InGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-980X光源是CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100M-1064X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100M-1064X是CW多模注入式半导体激光二极管。它采用SOT-148 9mm封装,集成监视器光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100M-945X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.945um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-945X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100M-945X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100M-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-980X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100M-980X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100S-1060X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 100mW

    FIDL-100S-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100S-1060X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

  • 激光二极管FIDL-100S-1064X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 100mW

    FIDL-100S-1064X是InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100S-1064X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100S-950X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.950um 输出功率: 100mW

    FIDL-100S-950X是950nm InGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,提高可靠性。FIDL-100S-950X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。