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类型: Laser System 工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 激光颜色: Infrared 功率: 30 W来自Roithner Lasertechnik的RLTMFC-808-30W是一款波长为808 nm、功率为30 W、输出功率（CW）为30 W、工作温度为10至40摄氏度的激光器。有关RLTMFC-808-30W的更多详细信息，请联系我们。
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类型: Laser System 工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 激光颜色: Infrared 功率: 50 WRoithner Lasertechnik的RLTMFC-808-50W是一款波长为808 nm、功率为50 W、输出功率（CW）为50 W、工作温度为10至40摄氏度的激光器。有关RLTMFC-808-50W的更多详细信息，请联系我们。
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类型: Laser System 技术: DPSS Laser, Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 1064 nm来自AlphaLas的PULSELAS-P-1064-300-FC是一款波长为1064 nm、功率为0.3 W（300 MW）、输出功率（脉冲）为0.3 W（300 MW）、脉冲能量为15至20µJ、工作温度为18至30摄氏度的激光器。下文将详细介绍PULSELAS-P-1064-300-FC.
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技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1049 to 1064 nm 输出功率: 20 mW 工作电流: 130 to 150 mAQphotonics的QDFBLD-105X-20是一款光纤耦合DFB激光二极管，工作波长为1049至1064 nm.输出功率为20mW，上升时间为0.5ns.该激光器具有内置热电冷却器、热敏电阻和可选的光电二极管。它可在带有HI1060或PM980光纤尾纤的模块中使用。还提供可选的FC/APC连接器。
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技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW or pulsed operation 波长: 1049 to 1064 nm 输出功率: 50 mW 工作电压: 2 to 2.3 V来自Qphotonics的QDFBLD-105X-50是一种光纤耦合DFB激光二极管，可在1049至1064 nm范围内工作时提供50 MW的输出功率。它有一个内置热电冷却器，热敏电阻和可选的光电二极管。激光二极管的上升时间为5 ns，工作温度范围为15 C至40 C.它采用14引脚蝶形封装，提供可选的FC/PC或FC/APC连接器。
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波长: 1528 to 1565 nm 输出功率: 100 mW 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.626 A 阈值电流: 40 to 80 mAQphotonics的QDFBLD-1550-100是一款波长稳定的单模光纤耦合DFB激光二极管，工作波长范围为1528至1565 nm.输出功率为100 MW，上升时间为0.5 ns.该激光器具有内置的光隔离器、监控光电二极管、热电冷却器和热敏电阻。它可以在带有保偏（PM）光纤尾纤的模块中使用。还提供可选的FC/APC连接器。
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技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1547 to 1553 nm 输出功率: 15 to 50 mW 工作电压: 1.3 to 1.7 VLaserscom公司的LDS-1550-DFB-2.5G-15/50是一种多量子阱激光二极管，工作波长为1550 nm.输出光功率50mW（脉冲）&15mW（连续），光谱宽度0.08nm，斜率效率0.16W/A，上升/下降时间80ps，跟踪误差0.15dB.它的电容为10 PF，暗电流小于100 nA，阈值电流为8 mA.该激光二极管具有DFB腔、内置监控光电二极管，并提供高达2.5 Gbps的数据速率。它使用LDS技术来提高光功率的热稳定性。LDS-1550-DFB-2.5G-15/50需要1.4 V的直流电源，消耗100 mA的电流。该激光二极管采用同轴、带支架的同轴或14针DIL封装，并具有带FC/APC、SC/APC、FC/UPC和SC/UPC连接器选项的SM/PM光纤选项。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统和激光系统应用。
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应用: Telecom, Datacom 探测器灵敏度: -38 to -40 dBm 波长范围: 1310 to 1550 nmOSI Laser Diode，Inc.的RT2000PT-052FCL是一种光纤接收器，其检测器灵敏度为-38至-40 dBm，波长范围为1310至1550 nm，电源电压为4.8至5.5 V，电源电流为70至125 mA.有关RT2000PT-052FCL的更多详细信息，请联系我们。
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应用: Telecom, Datacom 探测器灵敏度: -36 to -38 dBm 波长范围: 1310 to 1550 nm来自OSI Laser Diode，Inc.的RT2000PT-155FCL是具有检测器灵敏度-36至-38 dBm、波长范围1310至1550 nm、电源电压4.8至5.5 V、电源电流70至125 mA的光纤接收器。有关RT2000PT-155FCL的更多详细信息，请联系我们。
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应用: Telecom, Datacom 探测器灵敏度: -30 to -32 dBm 波长范围: 1310 to 1550 nmOSI Laser Diode，Inc.的RT2000PT-622FCL是一种光纤接收器，其检测器灵敏度为-30至-32 dBm，波长范围为1310至1550 nm，电源电压为4.8至5.5 V，电源电流为70至125 mA.有关RT2000PT-622FCL的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 15 ps 暗电流: 0.1 nA来自AlphaLas的UPD-15-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为15ps、暗电流为0.1nA、带宽为25GHz的光学探测器。有关UPD-15-IR2-FC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA来自AlphaLas的UPD-35-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz的光学检测器。有关UPD-35-IR2-FC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 40 ps 暗电流: 0.5 nA来自AlphaLas的UPD-40-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为40ps、暗电流为0.5nA、带宽为8.5GHz的光学检测器。有关UPD-40-IR2-FC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA来自AlphaLas的UPD-70-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz的光学探测器。有关UPD-70-IR2-FC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 0.65 to 0.66 pF 暗电流: 20 to 500 pA来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-006HRL是波长范围为850nm、电容为0.65至0.66pF、暗电流为20至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为35至38ps的光电二极管。有关FCI-125G-006HRL的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 0.94 to 0.96 pF 暗电流: 25 to 500 pA来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-010HRL是波长范围为850nm、电容为0.94至0.96pF、暗电流为25至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为47至50ps的光电二极管。有关FCI-125G-010HRL的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.13 to 1.16 pF 暗电流: 30 to 500 pA来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-012HRL是波长范围为850nm、电容为1.13至1.16pF、暗电流为30至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为60至69ps的光电二极管。有关FCI-125G-012HRL的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.70 to 1.73 pF 暗电流: 40 to 500 pA来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-016HRL是波长范围为850nm、电容为1.70至1.73pF、暗电流为40至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为84至100ps的光电二极管。有关FCI-125G-016HRL的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: GaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-GaAs-12M是波长范围为850 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.63 A/W的光电二极管。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: GaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nAOSI Laser Diode，Inc.的FCI-GaAs-4M是一款光电二极管，波长范围850 nm，带宽2 GHz，电容0.65 PF，暗电流0.03 nA，响应度/光敏度0.63 A/W.
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