Qioptiq为KineFlex™系列激光-光纤耦合器推出了一系列配件，使光纤-激光对准比以往任何时候都更容易。随着LaserPlate™的推出，用户现在可以为Coherent®的Compass™、Sapphire™和Cube™系列OEM激光器购买完整的机械安装和封装系统。所有的光学和机械对准和安装考虑都通过激光平板解决了，用户现在只需要关注到应用的光纤输出。系统包括一个组合的散热器和底盘来容纳激光器。包括专为Compass DPSS、Sapphire OPSL和Cube二极管激光器安装的预安装销钉和固定件。一旦激光头固定在机箱中，控制器模块就很容易通过机箱中的开放通道直接连接到激光器。较后，提供盖子以完成激光器外壳。

Qioptiq为KineFlex™系列激光-光纤耦合器推出了一系列配件，使光纤-激光对准比以往任何时候都更容易。随着LaserPlate™的推出，用户现在可以为Coherent®的Compass™、Sapphire™和Cube™系列OEM激光器购买完整的机械安装和封装系统。所有的光学和机械对准和安装考虑都通过激光平板解决了，用户现在只需要关注到应用的光纤输出。系统包括一个组合的散热器和底盘来容纳激光器。包括专为Compass DPSS、Sapphire OPSL和Cube二极管激光器安装的预安装销钉和固定件。一旦激光头固定在机箱中，控制器模块就很容易通过机箱中的开放通道直接连接到激光器。较后，提供盖子以完成激光器外壳。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

标准或定制的耦合器结构可用于安装在带侧窗的液氮冷却杜瓦瓶内的客户激光器或探测器。带SMA终端的CIR或PIR光纤电缆可根据客户的具体应用规格提供。2种类型的MCT探测器也可用于一组红外电缆和光纤耦合器-在4-14µm的Kedal杜瓦瓶中进行LN冷却，或在1-6µm的光谱范围内进行三重珀尔帖冷却。

OSI激光二极管公司设计了一种集成光纤光栅的高功率单模光纤耦合激光器模块

OSI激光二极管公司'S TCW Tribiner系列光纤耦合激光器旨在满足光学测试设备市场的性能需求。这些高峰值光功率激光器服务于850nm至1550nm波长，并采用紧凑型三重封装。Tribiner集成了650nm红色激光，具有方便的故障查找功能。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

World Star Tech提供采用5.6mm封装的405nm至830nm专用激光二极管。这些激光二极管具有作为激光激发源的应用。窄波长785nm激光二极管适用于拉曼光谱。激光二极管波长选择和激光二极管的特性可根据要求提供。所有激光二极管均可光纤耦合或集成到即插即用模块/系统中。WLD-175-405激光二极管具有单模。WLD-175-405是生物医学应用的理想选择，要求可靠的操作，具有长寿命和稳定的输出功率。

World Star Tech提供采用5.6mm封装的405nm至830nm专用激光二极管。这些激光二极管具有作为激光激发源的应用。窄波长785nm激光二极管适用于拉曼光谱。激光二极管波长选择和激光二极管的特性可根据要求提供。所有激光二极管都可以光纤耦合或集成到即插即用模块/系统中。WLD-30-505激光二极管具有单模。WLD-30-505是激光激发源应用的理想选择，要求可靠的操作，具有较长的使用寿命和稳定的输出功率。

World Star Tech提供采用5.6mm封装的405nm至830nm专用激光二极管。这些激光二极管具有作为激光激发源的应用。窄波长785nm激光二极管适用于拉曼光谱。激光二极管波长选择和激光二极管的特性可根据要求提供。所有激光二极管均可光纤耦合或集成到即插即用模块/系统中。WLD-7-650N激光二极管具有单模特性。WLD-7-650N是指向/对准应用的理想选择，需要可靠的操作，具有较长的使用寿命和稳定的输出功率。

World Star Tech提供采用5.6mm封装的405nm至830nm专用激光二极管。这些激光二极管具有作为激光激发源的应用。窄波长785nm激光二极管适用于拉曼光谱。激光二极管波长选择和激光二极管的特性可根据要求提供。所有激光二极管均可光纤耦合或集成到即插即用模块/系统中。WLD-90-785激光二极管具有单模和窄波长。WLD-90-785是拉曼光谱应用的理想选择，要求可靠的操作，具有长寿命和稳定的输出功率。

这款高功率激光二极管驱动器与 Nlight、Lumentum、IPG、Dilasetc的所有多模光纤耦合多发射器激光二极管兼容。它是一个低噪音的完整解决方案，带有 36 V-21 A 激光驱动器、TEC 控制器和风冷风扇调节装置。 提供 TEC 和 CTN 元件并兼容单个或多个激光二极管驱动。 这种高功率激光二极管驱动器通常用于提供 CW 电流。 它还能够提供由板载脉冲发生器在内部生成的脉冲，或根据外部模拟调制信号的需求提供脉冲。 它是具有此类性能的较紧凑的设备，这使其成为将 OEM 集成到您的产品中的理想工具。

产品型号 :SOM 这种光纤调制器是一种高速（纳秒）、高动态范围、高消光比的光源模块。 它是一种波长范围在750 至 1700 nm 的低噪声、无损的器件。 在上面的数据表或表格图像中选择您的波长。 它是一个非常紧凑的基于 SOA 的单元，针对单发脉冲到连续模式输出性能进行了优化，其脉冲宽度低至 1.5 纳秒。 该光纤调制器可提供由板载脉冲发生器在内部生成的精确脉冲，或根据需要由外部 TTL 信号生成。 SOM（半导体光调制器）可以与 AOM、EOM 或直接半导体激光管调制器进行比较。 SOM 可保持输入连续信号的窄光线宽，同时产生非常短的脉冲。 它是先进满足可靠、稳定和高效光纤耦合强度调制所有限制的光源模块。

产品型号 :1064AOM or 1550AOM 这些光纤耦合声光调制器 (AOM) 旨在为单模光纤中的激光幅度调制提供较佳解决方案。 它们的波长介于 750 和 1750 nm 之间（大多数 1064 和 1550 nm 的型号都有现货）。 这些 AOM 易于实施，并可直接控制低至几纳秒的激光输出的时间、强度和脉冲波形。 光纤耦合 AOM（声光调制器）需要射频驱动器。 AeroDIODE 提供了一系列为数字输入 (TTL) 或模拟输入结构配置的射频驱动器。

产品型号 :1030LD 这些光纤耦合 1030 nm 半导体激光管作为现货提供，或应用于连续或脉冲半导体激光管驱动器。 它们可与低噪声连续或高速纳秒脉冲驱动器兼容（向下滚动查看所有版本）。 这些带有TEC温控器的交钥匙激光模块提供开放式或集成式版本。 1030 nm 激光二极管可以在高达 1.2 W 的纳秒脉冲范围内达到高功率。大多数交钥匙二极管+驱动器解决方案都针对单次到 CW 性能进行了优化，脉冲宽度长度低至 1 纳秒。 此类光源模块可输出由内部板载脉冲发生器或外部TTL电平触发的高精度1030nm激光脉冲。

产品型号 :1064LD 这些光纤耦合 1064 nm 半导体激光管作为现货提供，或应用于连续或脉冲半导体激光管驱动器。 它们可与低噪声连续或高速纳秒脉冲驱动器兼容（向下滚动查看所有版本）。 这些带有TEC温控器的交钥匙激光模块提供开放式或集成式版本。 大多数集成激光管和驱动器的1064nm光源模块均经过优化，以保证脉冲（脉宽低至1纳秒）到连续工作模式下的性能表现。 此类光源模块可输出由内部板载脉冲发生器或外部TTL电平触发的高精度1064nm激光脉冲。 还提供多模版本，用于高达10 W 的连续波发射。

这些光纤耦合 1310 nm 半导体激光管可提供现货，可与低噪声 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 所有 4 种型号均为单频版本（DFB 半导体激光管），功率高达180 mW。 它可与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容，适用于无线电通信或 3D 传感研发。 单模 1310 nm 半导体激光管可在纳秒脉冲范围内达到 250 mW 的功率。 大多数集成半导体激光管和驱动器解决方案被用来优化单发至CW脉冲性能，脉宽低至1纳秒。 1310 nm 半导体激光管由内部的板载脉冲发生器或外部 TTL 信号提供精确脉冲。 便于进行复杂的突发脉冲序列整形。

产品型号 :1390LD 这些光纤耦合 1390 nm 半导体激光管作为现货提供，或与低噪声连续/脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 所有 3 种型号均为单频版本，功率高达 40 mW。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容，这使其成为电信或 3D 传感研发的较佳解决方案。 这些单模 1390 nm 半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高达 40 mW 的高功率。 大多数集成半导体激光管和驱动器的光源模块均经过优化，以保证脉冲（脉宽低至1纳秒）到连续工作模式下的性能表现。 1390 nm 半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成，或根据需要由外部 TTL 信号生成。 便于进行复杂的突发脉冲序列整形。

产品型号 :1450LD 这些光纤耦合 1450 nm 半导体激光管作为现货提供，也可以和连续/脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 两个型号的蝶形 DFB 版本是功率高达 40 mW 的单频版本，与我们的低噪声连续或高速纳秒脉冲驱动兼容，使其成为 热表面激光物质相互作用系统或其他泵浦应用的较优解。 由于采用了 DFB 或布拉格光栅技术，单模 1450 nm 半导体激光管在连续状态下非常稳定且噪声低。 大多数交钥匙激光管和驱动器的光源模块均经过优化，以保证脉冲（脉宽低至1纳秒）到连续工作模式下的性能表现。 1450nm 半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成，或根据需要由外部 TTL 信号生成。

这些光纤耦合 1480 nm半导体激光管作为库存商品提供，或与连续/脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 两个型号的蝶形 DFB版本是高达 40 mW 的单频版本。 它们与我们的低噪声连续/脉冲高速纳秒脉冲驱动器兼容，这使其成为 Er 3+ 离子泵浦或热表面激光物质相互作用系统的较佳解决方案。 由于采用了 DFB 或布拉格光栅技术，单模 1480 nm 半导体激光管在连续状态下非常稳定且噪很声低。 大多数集成半导体激光管和驱动器的光源模块均经过优化，以保证脉冲（脉宽低至1纳秒）到连续工作模式下的性能表现。 1480nm 半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成，或根据需要由外部 TTL 信号生成。