• IAV200 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV200是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.5至2 GHz,电容为1.8至2.2 PF,暗电流为8至25 nA,响应度/光敏度为0.85至1.05 A/W.有关IAV200的更多详细信息,请联系我们。

  • IAV202 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV202是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.5至2 GHz,电容为1.8至2.2 PF,暗电流为8至25 nA,响应度/光敏度为0.85至1.05 A/W.有关IAV202的更多详细信息,请联系我们。

  • IAV203 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV203是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.5至2 GHz,电容为1.8至2.2 PF,暗电流为8至25 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV203的更多详细信息,请联系我们。

  • IAV204 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV204是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.5至2 GHz,电容为1.8至2.2 PF,暗电流为8至25 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV204的更多详情见下文。

  • IAV205 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV205是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.5至2 GHz,电容为1.8至2.2 PF,暗电流为8至25 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV205的更多详情见下文。

  • IAV350 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV350是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.6 GHz,电容为3.2至4 PF,暗电流为30至25 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV350的更多详细信息,请联系我们。

  • IAV352 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 250 nA

    GPD Optoelectronics的IAV352是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.6 GHz,电容为3.2至4 PF,暗电流为30至250 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.

  • IAV353 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 250 nA

    GPD Optoelectronics的IAV353是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.6 GHz,电容为3.2至4 PF,暗电流为30至250 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.

  • IAV80 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nA

    GPD Optoelectronics的IAV80是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为1至3 GHz,电容为0.35至0.45 PF,暗电流为4至15 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV80的更多详细信息,请联系我们。

  • IAV80BL 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nA

    GPD Optoelectronics的IAV80BL是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为1至3 GHz,电容为0.35至0.45 PF,暗电流为4至15 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV80BL的更多详细信息,请联系我们。

  • IAV80PTS 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nA

    GPD Optoelectronics的IAV80PTS是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为1至3 GHz,电容为0.35至0.45 PF,暗电流为4至15 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV80PTS的更多详情见下文。

  • IAV81 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nA

    GPD Optoelectronics的IAV81是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为1至3 GHz,电容为0.35至0.45 PF,暗电流为4至15 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV81的更多详细信息,请联系我们。

  • IAV82 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nA

    GPD Optoelectronics的IAV82是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为1至3 GHz,电容为0.35至0.45 PF,暗电流为4至15 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV82的更多详细信息,请联系我们。

  • DPIN-222 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1 to 1.65 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.45 to 0.65 pF 暗电流: 0.1 to 0.3 nA

    来自Precision Micro-Optics的DPIN-222是一款光电二极管,波长范围为1至1.65µm,电容为0.45至0.65 PF,暗电流为0.1至0.3 nA,响应度/光敏度为0.88到0.95 A/W.DPIN-222的更多详情见下文。

  • DPIN-422 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1 to 1.65 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 5 to 6 pF 暗电流: 0.5 to 1 nA

    Precision Micro-Optics的DPIN-422是一款光电二极管,波长范围为1至1.65µm,电容为5至6 PF,暗电流为0.5至1 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W,上升时间为3 ns.有关DPIN-422的更多详细信息,请联系我们。

  • LDB-Series 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 0.8 µm to 1.7 µm 光电二极管材料: InGaAs

    Sensors Unlimited的LDB系列是一款光电二极管,波长范围为0.8µm至1.7µm,响应度/光敏度为10.5 nV/光子。有关LDB系列的更多详细信息,请联系我们。

  • LE/LSE Series 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 波长范围: 800 to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 响应度/光敏度: 10.5 A/W

    Sensors Unlimited的LE/LSE系列是波长为0.8-2.2μm的InGaAs线性光电二极管阵列。这些光电二极管阵列的像素间距为25/50μm,像素高度为250/500μm.它们具有1.5μm的峰值波长灵敏度和10.5nV/光子的最小响应度。这些光电二极管阵列需要4.9-5.25 V的模拟电源。LE/LSE光电二极管阵列具有防晕光保护功能,可防止电荷从饱和像素流出,并允许增加场景内动态范围。它们与CMOS读出集成电路(ROIC)集成,可提供最大的抗扰度和灵敏度。这些光电二极管阵列需要一个模拟电源和两条数字控制线,以实现最佳ROIC性能,并提供通过单个输入选择两个独立增益的选项。它们由1级或2级热电冷却器组成,用于温度稳定和监控。这些光电二极管阵列采用ESD保护模块,非常适合FTIR/NIR干涉测量、NIR分子光谱、生物医学分析、塑料回收、工业过程控制和检测、机器视觉、农业分拣和热成像应用。

  • LSB-Series 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 0.8 µm to 1.7 µm 光电二极管材料: InGaAs

    Sensors Unlimited的LSB系列是一款光电二极管,波长范围为0.8µm至1.7µm,响应度/光敏度为10.5 nV/光子。有关LSB系列的更多详细信息,请联系我们。

  • SU1024LE-1.7 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 0.8 µm to 1.7 µm 光电二极管材料: InGaAs

    Sensors Unlimited的SU1024LE-1.7是一款光电二极管,波长范围为0.8µm至1.7µm,响应度/光敏度为10.5 nV/光子。有关SU1024LE-1.7的更多详细信息,请联系我们。

  • AEPX008 光电二极管
    英国
    分类:光电二极管
    厂商:Centronic
    波长范围: 820 to 900 nm 电容: 1 to 1.5 pF 暗电流: 0.1 to 1 nA 响应度/光敏度: 0.35 A/W

    Centronic的AEPX008是一款光电二极管,波长范围为820至900 nm,电容为1至1.5 PF,暗电流为0.1至1 nA,响应度/光敏度为0.35 A/W,上升时间为0.3 ns.有关AEPX008的更多详细信息,请联系我们。