Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

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Qioptiq为KineFlex™系列激光-光纤耦合器推出了一系列配件，使光纤-激光对准比以往任何时候都更容易。随着LaserPlate™的推出，用户现在可以为Coherent®的Compass™、Sapphire™和Cube™系列OEM激光器购买完整的机械安装和封装系统。所有的光学和机械对准和安装考虑都通过激光平板解决了，用户现在只需要关注到应用的光纤输出。系统包括一个组合的散热器和底盘来容纳激光器。包括专为Compass DPSS、Sapphire OPSL和Cube二极管激光器安装的预安装销钉和固定件。一旦激光头固定在机箱中，控制器模块就很容易通过机箱中的开放通道直接连接到激光器。较后，提供盖子以完成激光器外壳。

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近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

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Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器，专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时，Q2是一个多功能平台，可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置，激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd：YLF或Nd：YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd：YLF晶体的无热特性，在1053nm处，激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作，而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中，与标准配置相比，脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时，脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险（泄漏、有机污染等）并降低维护成本。如有要求，可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下，并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器，专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时，Q2是一个多功能平台，可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置，激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd：YLF或Nd：YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd：YLF晶体的无热特性，在1053nm处，激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作，而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中，与标准配置相比，脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时，脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险（泄漏、有机污染等）并降低维护成本。如有要求，可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下，并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

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Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器，专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时，Q2是一个多功能平台，可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置，激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd：YLF或Nd：YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd：YLF晶体的无热特性，在1053nm处，激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作，而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中，与标准配置相比，脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时，脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险（泄漏、有机污染等）并降低维护成本。如有要求，可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下，并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。