光电二极管【参数，厂家，图片，选型】-光电查

MAX3275

美国

分类：跨阻放大器

厂商：Maxim Integrated

应用: Dual-Rate Fibre Channel Optical Receivers, Gigabit Ethernet Optical Receivers 电源电流: 25 mA 数据速率: 1.062 to 2.125 Gbps 跨阻抗: 2.8 to 3.8 kOhms 电源电压: -0.5 to 4 V

Maxim Integrated的MAX3275是一款跨阻放大器，可在光纤通道应用中提供高达2.125 Gbps（NRZ）的数据速率。它具有高达2.7 GHz的小信号带宽，折合到输入端的噪声为300毫安。该放大器的交流输入过载为2 MAP-P，滤波器电阻为600Ω。它需要3.3 V的直流电源，功耗为83 MW.该放大器采用尺寸为24 X 47 mm的裸片封装，非常适合光功率关系、光灵敏度计算、输入光学过载、光学线性范围、布局考虑、光电二极管滤波器、线焊、双速率光纤通道光接收器和千兆以太网光接收器应用。

FL500

新加坡

分类：半导体激光器驱动器

厂商：Wavelength Opto-Electronic

输出电流: 500mA

FL500是驱动低功率激光二极管的理想选择，因为低噪音是至关重要的。低漏电流（150微安）使其成为驱动大多数VCSEL的理想选择。它的工作电压为3至12V，因此它与Li+电池操作兼容。它可以被配置为两个完全独立的250 mA驱动器或一个500 mA驱动器。与A型或B型激光二极管兼容。由于它的体积小、噪音低，它经常被用于手持设备和光谱系统。基本单元在恒定电流（CC）模式下工作。唯一需要的外部元件是一个电源、一个模拟控制电压、你的激光器和可选的过滤电路。对于其他功能，包括恒定功率操作的电流限制和光电二极管反馈，请使用带有控制器的FL591FL评估板。

10 GHz高功率光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：APIC Corporation

波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.5-0.7A/W 射频带宽: 10.5-13GHz 光电二极管偏压: -3-5V 光饱和功率: 19dBm

这款产品是一个封装好的InGaAs光电二极管，针对高光输入功率和输出电流线性进行了优化。设计用于RF光纤链路和其他需要高动态范围、低噪声指数和高RF增益的应用。APIC Corporation的10 GHz High Power, High Linearity Photodiode适用于高增益、高动态范围和低噪声指数的RF光纤互连，以及恶劣环境下的微波光子学应用。

20 GHz高功率、高线性光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：APIC Corporation

波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.7-0.8A/W 偏振相关损耗: 0.2-0.3dB 光饱和功率: 17dBm 射频带宽: 15-20GHz

20 GHz高功率、高线性光电二极管专为RF光纤链路设计，提供高动态范围、低噪声指数和高RF信号吞吐量。这是一款封装的InGaAs光电二极管（PD），针对高光输入功率、输出电流线性和足够的带宽优化，适用于高达20 GHz的RF频率。设计用于需要高动态范围、低噪声指数和高RF信号吞吐量的RF光纤链路。

40 GHz高功率高线性光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：APIC Corporation

波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.55-0.65A/W 偏振相关损耗: 0.2-0.3dB 饱和光功率: 14dBm 射频带宽: 35-40GHz

APIC Corporation的40 GHz高功率高线性光电二极管适用于要求高增益、高动态范围的RF over fiber通信链路和恶劣环境下的光通信链路。这是一款封装好的InGaAs光电二极管（PD），针对高光输入功率、输出电流线性和足够的带宽进行了优化，以在高达40 GHz的RF频率下运行。该PD设计用于需要高动态范围、低噪声指数和在更高频率下的高RF信号吞吐量的RF over fiber链路。

AL-Pxx-WLxx-165-1-FC 高性能模拟DFB激光器

美国

分类：半导体激光器

厂商：APIC Corporation

操作波长: 1530-1565nm 光输出功率: 40-120mW 激光阈值电流: 14-25mA 最大工作电流: 600mA 正向电压: 2.5V

AL-Pxx-WLxx-165-1-FC是APIC公司的一款低相对强度噪声模拟DFB激光器，适用于宽带射频光纤链路、DWDM网络、传感应用以及OEM光通信。这是一款超低噪声、高功率的DFB激光器，采用专有外延设计，优化以消除松弛振荡并抑制噪声。该激光器在标称工作电流下工作时，相对强度噪声（RIN）不可测量，且处于散粒噪声极限。除了连续波（CW）操作外，该激光器还可直接调制RF频率至1 GHz。它在标准的14针蝶形封装内部密封，并带有内置热电制冷器（TEC）和光电二极管用于功率监控。

CWL-Pxx-WLxx-168-1-FC 超低噪声、高功率DFB激光器

美国

分类：半导体激光器

厂商：APIC Corporation

工作温度: -20°C - 75°C 储存温度: -40°C - 85°C 激光正向电流: 600mA 激光最大前向电压: 2.5V 光电二极管反向电压: 10V

APIC Corporation的CWL-Pxx-WLxx-168-1-FC是一款超低噪声、高功率DFB激光器，适用于宽带RF光纤链路、无线网络和高精度传感应用。这款超低噪声、高功率DFB激光器采用专有的外延设计，优化以消除松弛振荡。在其名义工作电流下工作时，激光器不会产生可测量的RIN，并且在散粒噪声极限下运行。它被密封在一个标准的14针蝴蝶封装中，内置有热电制冷器(TEC)和光电二极管用于功率监测。激光器可以提供客户选择的DWDM ITU波长。

高性能密集波分复用（DWDM）激光器

美国

分类：半导体激光器

厂商：APIC Corporation

工作箱体温度: -40°C至75°C 储存温度: -40°C至85°C 激光正向电流: 200mA 激光器正向电压: 2V 光电二极管反向电压: 5.5V

APIC公司的Highly Linear, Direct Modulated DFB Laser Module是一款高性能模拟调制DWDM激光器，适用于高达6GHz的RF光纤链接，无线网络以及各种光通信应用。这是一款用于模拟调制应用的密集波分复用（DWDM）激光器，采用基于专有外延和结构的分布反馈（DFB）设计，以消除松弛振荡，适用于高性能模拟应用。激光器出色的线性度和操作特性最大程度减少了传输的RF信号退化。它被密封在标准的14针蝶形封装中，并带有内置的热电制冷器（TEC）和光电二极管，用于功率监控。激光器可提供客户选择的ITU波长，用于DWDM。

30微米InGaAs APD同轴光电二极管模块

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

APD 类型: InGaAs 工作波长: 1550nm 工作波长范围: 1260 - 1650 nm

OSI Laser Diode Inc LAPD 3030-SMR是一款30um InGaAs APD，采用3引脚同轴封装

DPGEW1S03H 905纳米脉冲半导体激光器

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

DPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。