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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 50 pF 暗电流: 40 to 200 pA 响应度/光敏度: 0.42 A/WRoithner Lasertechnik的EPD-660-5/0.5是一款光电二极管，带宽为170 nm，电容为50 PF，暗电流为40至200 pA，响应度/光敏度为0.42 A/W.EPD-660-5/0.5的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, GaAs 响应度/光敏度: 0.5 A/WRoithner Lasertechnik的EPD-740-0/2.5是一款光电二极管，带宽为115 nm，暗电流为2至nA，响应度/光敏度为0.5 A/W.EPD-740-0/2.5的更多详细信息见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 40 pF 暗电流: 40 to 200 pA 响应度/光敏度: 0.5 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-740-5/0.4是一款光电二极管，带宽为115 nm，电容为40 PF，暗电流为40至200 pA，响应度/光敏度为0.5 A/W，上升时间为15 ns.有关EPD-740-5/0.4的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 890 nm 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 590 pF 暗电流: 1 to 2.5 nA
Roithner Lasertechnik的EPD-880-0-1.4是一款光电二极管，波长范围为890 nm，带宽为680 nm，电容为590 PF，暗电流为1至2.5 nA，响应度/光敏度为0.3至0.55 A/W.EPD-880-0-1.4的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 890 nm 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 120 pF 暗电流: 1 to 2.5 nA
Roithner Lasertechnik的EPD-880-5-0.9是一款光电二极管，波长范围890 nm，带宽680 nm，电容120 PF，暗电流1至2.5 nA，响应度/光敏度0.3至0.55 A/W.EPD-880-5-0.9的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.14 A/WRoithner Lasertechnik的GUVA-S12SD是一款光电二极管，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.14 A/W.有关GUVA-S12SD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 10 nA 响应度/光敏度: 0.18 A/WRoithner Lasertechnik的GUVA-T11GD-L是一款光电二极管，暗电流为10 nA，响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVA-T11GD-L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.18 A/WRoithner Lasertechnik的GUVA-T11GD是一款光电二极管，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVA-T11GD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.14 A/WRoithner Lasertechnik的GUVB-S11SD是一款光电二极管，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.14 A/W.有关GUVB-S11SD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.06 A/WRoithner Lasertechnik的GUVC-T10GD是一款光电二极管，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.06 A/W.有关GUVC-T10GD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: YesRoithner Lasertechnik公司的GUVC-T21GH是一种光电二极管，带宽为100 nm，响应度/光敏度为0.6 MV/NW，上升时间为3 ms.有关GUVC-T21GH的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.12 A/WRoithner Lasertechnik的GUVV-T10GD是一款光电二极管，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.12 A/W.有关GUVV-T10GD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN, AlGaN RoHS: YesRoithner Lasertechnik的GUVV-T21GH是一种光电二极管，带宽为80 nm，响应度/光敏度为1 MV/NW，上升时间为3 ms.有关GUVV-T21GH的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1000 to 1600 nm 光电二极管材料: InGaAs, GaAs, InGaAs, InAsP RoHS: Yes 电容: 15 to 50 pF来自Roithner Lasertechnik的IPD14-12-5T-2是波长范围为1000至1600 nm、电容为15至50 PF、暗电流为100 nA、响应度/光敏度为0.9至0.80 A/W、上升时间为20 ns的光电二极管。有关IPD14-12-5T-2的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes
Roithner Lasertechnik的IQ800L是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，响应度/光敏度为0.6至60 MV/NW，上升时间为3至35 us.有关IQ800L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes
Roithner Lasertechnik的IQ801L是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，响应度/光敏度为0.6至60 MV/NW，上升时间为3至35 us.有关IQ801L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes
Roithner Lasertechnik的IQ802L是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，响应度/光敏度为0.6至60 MV/NW，上升时间为3至35 us.有关IQ802L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 600 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 75 to 300 pFRoithner Lasertechnik的LAPD-1-06-17-LCC是一款光电二极管，波长范围为600至1700 nm，电容为75至300 PF，暗电流为2至nA，响应度/光敏度为0.20至0.95 A/W.有关LAPD-1-06-17-LCC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 600 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 40 to 160 pFRoithner Lasertechnik的LAPD-1-06-17-TO46是一款光电二极管，波长范围为600至1700 nm，电容为40至160 PF，暗电流为2至nA，响应度/光敏度为0.20至0.95 A/W，上升时间为4.4至8.8 ns.有关LAPD-1-06-17-TO46的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 75 to 300 pFRoithner Lasertechnik的LAPD-1-09-17-LCC是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为75至300 PF，暗电流为2至nA，响应度/光敏度为0.20至0.95 A/W.有关LAPD-1-09-17-LCC的更多详细信息，请联系我们。
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