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产品型号 :SOM 这种光纤调制器是一种高速(纳秒)、高动态范围、高消光比的光源模块。 它是一种波长范围在750 至 1700 nm 的低噪声、无损的器件。 在上面的数据表或表格图像中选择您的波长。 它是一个非常紧凑的基于 SOA 的单元,针对单发脉冲到连续模式输出性能进行了优化,其脉冲宽度低至 1.5 纳秒。 该光纤调制器可提供由板载脉冲发生器在内部生成的精确脉冲,或根据需要由外部 TTL 信号生成。 SOM(半导体光调制器)可以与 AOM、EOM 或直接半导体激光管调制器进行比较。 SOM 可保持输入连续信号的窄光线宽,同时产生非常短的脉冲。 它是先进满足可靠、稳定和高效光纤耦合强度调制所有限制的光源模块。
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激光类型: Continuous Wave (CW), Pulsed 波长: 1310 nm 输出功率: null-180 mW
这些光纤耦合 1310 nm 半导体激光管可提供现货,可与低噪声 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 所有 4 种型号均为单频版本(DFB 半导体激光管),功率高达180 mW。 它可与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容,适用于无线电通信或 3D 传感研发。 单模 1310 nm 半导体激光管可在纳秒脉冲范围内达到 250 mW 的功率。 大多数集成半导体激光管和驱动器解决方案被用来优化单发至CW脉冲性能,脉宽低至1纳秒。 1310 nm 半导体激光管由内部的板载脉冲发生器或外部 TTL 信号提供精确脉冲。 便于进行复杂的突发脉冲序列整形。
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激光类型: Continuous Wave (CW), Pulsed 波长: 1390 nm
产品型号 :1390LD 这些光纤耦合 1390 nm 半导体激光管作为现货提供,或与低噪声连续/脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 所有 3 种型号均为单频版本,功率高达 40 mW。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容,这使其成为电信或 3D 传感研发的较佳解决方案。 这些单模 1390 nm 半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高达 40 mW 的高功率。 大多数集成半导体激光管和驱动器的光源模块均经过优化,以保证脉冲(脉宽低至1纳秒)到连续工作模式下的性能表现。 1390 nm 半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成,或根据需要由外部 TTL 信号生成。 便于进行复杂的突发脉冲序列整形。
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激光类型: Continuous Wave (CW), Pulsed 波长: 1446 nm
产品型号 :1450LD 这些光纤耦合 1450 nm 半导体激光管作为现货提供,也可以和连续/脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 两个型号的蝶形 DFB 版本是功率高达 40 mW 的单频版本,与我们的低噪声连续或高速纳秒脉冲驱动兼容,使其成为 热表面激光物质相互作用系统或其他泵浦应用的较优解。 由于采用了 DFB 或布拉格光栅技术,单模 1450 nm 半导体激光管在连续状态下非常稳定且噪声低。 大多数交钥匙激光管和驱动器的光源模块均经过优化,以保证脉冲(脉宽低至1纳秒)到连续工作模式下的性能表现。 1450nm 半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成,或根据需要由外部 TTL 信号生成。
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这些光纤耦合 1480 nm半导体激光管作为库存商品提供,或与连续/脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 两个型号的蝶形 DFB版本是高达 40 mW 的单频版本。 它们与我们的低噪声连续/脉冲高速纳秒脉冲驱动器兼容,这使其成为 Er 3+ 离子泵浦或热表面激光物质相互作用系统的较佳解决方案。 由于采用了 DFB 或布拉格光栅技术,单模 1480 nm 半导体激光管在连续状态下非常稳定且噪很声低。 大多数集成半导体激光管和驱动器的光源模块均经过优化,以保证脉冲(脉宽低至1纳秒)到连续工作模式下的性能表现。 1480nm 半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成,或根据需要由外部 TTL 信号生成。
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产品型号 :1650LD 这些光纤耦合 1650 nm半导体激光管作为现货提供也可以和连续或脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 4 个型号单频版本,较高 100 mW连续输出和 150 mW 脉冲。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器或超低噪声驱动器兼容,这使其成为光纤测试应用(光时域反射仪(OTDR) 或 CH4 气体传感)的较佳解决方案。 这些单模 1650 nm半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高功率。 大多数集成激光管和驱动器的光源模块均经过优化,以保证脉冲(脉宽低至1纳秒)到连续工作模式下的性能表现。 此类光源模块可输出由内部板载脉冲发生器或外部TTL电平触发的高精度1650nm激光脉冲。 便于进行复杂的突发脉冲整形。
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产品型号 :790LD 这些光纤耦合 790nm半导体激光管作为现货提供或与连续/脉冲半导体激光管驱动器相集成作为整体光源模块交付。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器或带风冷的高功率连续驱动器兼容,适用于多模高功率半导体激光管版本。 单模790nm半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高达400mW的高功率。大多数交钥匙激光管+驱动器的光源模块都经过优化,以保证脉冲(脉宽低至1纳秒)到连续工作模式下的性能表现。 790 nm半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成,或根据需要由外部 TTL 信号生成。 提供 5 种多模版本,用于 200 µm 纤芯多模光纤中高达 140 W 的连续输出或 105 µm 纤芯光纤中高达 90 W 的连续输出。
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产品型号 :915LD 这些光纤耦合 915 nm 激光二极管作为库存商品提供,或与 CW 或脉冲激光二极管驱动器相关联。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器或带风冷的高功率连续驱动器兼容,适用于多模高功率半导体激光管版本。 单模 915 nm 激光二极管可以在纳秒脉冲范围内达到高达 400 mW 的高功率。 大部分激光管+驱动器的光源模块被用来优化单发和CW脉冲性能,脉宽低至1纳秒。 915 nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成,或根据外部 TTL 信号的需要生成。 提供 7 种多模版本,用于 200 µm 纤芯多模光纤中高达 300 W 的 CW 发射,或 135 µm 纤芯光纤中高达 250 W 或 105 µm 纤芯光纤中高达 160 W 的 CW 发射。
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产品型号 :940LD 这些光纤耦合 940nm半导体激光管作为现货提供,或与连续/脉冲半导体激光管驱动器相集成作为整体光源模块交付。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器或带风冷的高功率连续驱动器兼容,适用于多模高功率半导体激光管版本。 单模 940 nm半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高达 400 mW 的高功率。 大部分激光管+驱动器的光源模块被用来优化单发和CW脉冲性能,脉宽低至1纳秒。 940 nm半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成,或根据需要由外部 TTL 信号生成。 提供 5 种多模版本,用于 200 µm 纤芯多模光纤中高达 200 W 的连续输出或 105 µm 纤芯光纤中高达 150 W 连续输出。
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产品型号 :976LD 这些带光连接器的光纤耦合 976 nm 半导体激光管提供现货,可与 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器或 CW 驱动器兼容。 Yb 3+或 Er 3+泵浦应用中(布拉格光栅技术),模块的发射带宽很窄。 大多数 976 nm 半导体激光管 + 驱动器解决方案被用来优化单发至 CW 性能,脉冲宽度低至 1 纳秒。 976 nm 半导体激光管由内部的板载脉冲发生器或外部 TTL 信号提供精确脉冲,纳秒脉冲模式下功率高达1500 mW。 5 种多模版本106 µm多模光纤 (NA=0.22) 下CW 发射功率高达140 W 。 每个半导体激光管都有自己的光连接器:FC/APC 用于单模版本,高功率 SMA905 用于多模版本。
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产品型号 :980LD 这些光纤耦合 980 nm 半导体激光管作为现货提供,或与连续/脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 大多数版本与我们的高速纳秒脉冲驱动器或连续驱动器兼容(高功率多模版本半导体激光管本具有风冷)。 单模 980 nm 半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高达 1500 mW 的高功率。 大部分激光管+驱动器的光源模块被用来优化单发和CW脉冲性能,脉宽低至1纳秒。 980nm 半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成,或根据需要由外部TTL 信号生成。 提供 7 种多模版本,用于高达 450 W 的连续输出。它们耦合在高达 150 W 的 106 µm 纤芯多模光纤 (NA=0.22)、高达 250 W 的 135 µm 纤芯和高达 450 W 的 200 µm 纤芯中。
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激光类型: Continuous Wave (CW), Pulsed 波长: 1470 nm
产品型号 :1470LD or 1480LD 这些光纤耦合 1470 nm半导体激光管作为现货提供,或与连续/脉冲半导体激光管驱动器相集成作为整体光源模块交付。 两个型号的蝶形 DFB版本是高达 40 mW 的单频版本。 它们与我们的低噪声连续或脉冲高速纳秒脉冲驱动器兼容,这使其成为 热表面激光物质相互作用系统或Er 3+ -离子泵浦的较优解。 由于采用了 DFB 或布拉格光栅技术,单模 1470 nm半导体激光管在连续状态下非常稳定且噪声很低。 大多数交钥匙激光管+驱动器的光源模块均经过优化,以保证脉冲(脉宽低至1纳秒)到连续工作模式下的性能表现。 1470nm半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成,或根据需求由外部 TTL 信号生成。
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应用行业: Test & Measurements, Security, Medical, Bio Medical, Aerospace / Military, Commercial 工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 925 nm 输出功率: 75 to 85 W 工作电压: 13.5 V
Excelitas Technologies的TPG2EW1S09是一款GaAs脉冲半导体激光二极管,工作波长为895至925 nm.该激光器的峰值功率为85W,功率斜率为3W/A,光谱宽度(FWHM)为10nm,脉冲宽度为100ns.它的正向电压为13.5 V,阈值电流高达1.5 A.该激光二极管采用多层单片芯片设计,并在GaAs结构上制造。它采用类似于TO的T1¾通孔塑料封装,非常适合激光雷达/飞行时间测量、激光测距、激光扫描/UGV、红外夜间照明、激光治疗、医疗和分析应用中的材料激发。