• GUVA-T21GD-U 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 370 nm 光电二极管材料: GaN 暗电流: 90 nA

    Genuv的GUVA-T21GD-U是一款光电二极管,波长范围为220至370 nm,暗电流为90 nA,响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVA-T21GD-U的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVB-C21SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVB-C21SD是一款肖特基光电二极管,工作波长范围为260至320 nm.它的光功率为0.01-100mW/cm2,有效面积为0.076mm2。该光电二极管的正向电流为1 mA,反向电压为3 V.其暗电流为1 nA,光电流为115 nA,响应度为0.2 A/W.该光电二极管采用氮化铝镓制造,具有光伏工作模式。它是UV-B灯和紫外线指数监测应用的理想选择。

  • GUVB-T11GD-L 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 20 nA

    Genuv的GUVB-T11GD-L是一款光电二极管,波长范围为220至320 nm,暗电流为20 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T11GD-L的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVB-T11GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVB-T11GD是一款光电二极管,波长范围为220至320 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T11GD的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVB-T21GD-U 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 90 nA

    Genuv的GUVB-T21GD-U是一款光电二极管,波长范围为220至320 nm,暗电流为90 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T21GD-U的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVC-S10GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVC-S10GD是一款肖特基型光电二极管,工作波长范围为220至280 nm.它提供0.01-100mW/cm2的光输出功率,响应度为0.07A/W,光电二极管的反向电压为3V,正向电流为1mA.它是用氮化铝镓基材料制造的,具有良好的日盲性。该光电二极管采用SMD 3535 PKG封装,尺寸为0.4 mm,非常适合纯UV-C监控和灭菌灯监控应用。

  • GUVC-S40GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    模块: No 光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 200 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN

    Genuv的GUVC-S40GD是一款肖特基型光电二极管,工作波长范围为220至280 nm.光电二极管的输出功率为0.01-100mW/cm2,响应度为0.06A/W,反向电压为3V,正向电流为1mA.它采用氮化铝镓基材料制成,具有良好的日盲性。该光电二极管采用尺寸为1 mm的CSP封装,非常适合纯UV-C监测和灭菌灯监测应用。

  • GUVC-T10GD-L 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 20 nA

    Genuv的GUVC-T10GD-L是一款光电二极管,波长范围为220至280 nm,暗电流为20 nA,响应度/光敏度为0.05 A/W.有关GUVC-T10GD-L的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVC-T11GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genicom的GUVC-T11GD是一款基于AlGaN的UV-C光电二极管,工作波长为220至280 nm.它由一个肖特基光电二极管组成,提供光伏工作模式。光电二极管的光源功率范围为0.01-100mW/cm2,响应度为0.06A/W,有效面积为0.076mm2。其最大反向电压为3 V,光电流为68 nA.这种光电二极管提供了良好的日盲性,是纯UV-C和消毒灯监测应用的理想选择。

  • GUVC-T20GD-U 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 90 nA

    Genuv的GUVC-T20GD-U是一款光电二极管,波长范围为220至280 nm,暗电流为90 nA,响应度/光敏度为0.06 A/W.有关GUVC-T20GD-U的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVV-S10SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVV-S10SD是一款光电二极管,波长范围为240至395 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVV-S10SD的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVV-T10GD-L 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 20 nA

    Genuv的GUVV-T10GD-L是一款光电二极管,波长范围为230至395 nm,暗电流为20 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVV-T10GD-L的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVV-T20GD-U 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 90 nA

    Genuv的GUVV-T20GD-U是一款光电二极管,波长范围为230至395 nm,暗电流为90 nA,响应度/光敏度为0.15 A/W.有关GUVV-T20GD-U的更多详细信息,请联系我们。

  • GVBL-S12SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 345 to 450 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GVBL-S12SD是一款光电二极管,波长范围为345至450 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.68 A/W.有关GVBL-S12SD的更多详细信息,请联系我们。

  • GVBL-T12GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 330 to 445 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GVBL-T12GD是一款光电二极管,波长范围为330至445 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GVBL-T12GD的更多详细信息,请联系我们。

  • GVGR-S11SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 295 to 490 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GVGR-S11SD是一款光电二极管,波长范围为295至490 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.07 A/W.有关GVGR-S11SD的更多详细信息,请联系我们。

  • GVGR-T10GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 300 to 510 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GVGR-T10GD是一款光电二极管,波长范围为300至510 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.026 A/W.有关GVGR-T10GD的更多详细信息,请联系我们。

  • EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 200 to 400 nm 光电二极管材料: SiC

    来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度,并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用,包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管(PMT)的固态替代品。

  • SLD-840-14BF-2 超辐射发光二极管
    俄罗斯
    厂商:Nolatech
    光纤模式: Single Mode, Polarization Maintaining 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW/Pulsed

    来自Nolatech的SLD-840-14BF-2是一种超发光二极管,在840nm下工作时可提供2mW的输出功率。该二极管采用14引脚标准蝶形封装,配有监控光电二极管和热电冷却器(TEC)。模块尾纤为0.7-1.0米单模保偏光纤,并通过FC/APC连接器连接。它是光纤传输系统、光纤陀螺仪、光纤传感器、光学相干层析成像、光学测量的理想光源。

  • SLD-840-14BF-5 超辐射发光二极管
    俄罗斯
    厂商:Nolatech
    光纤模式: Single Mode, Polarization Maintaining 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW/Pulsed

    来自Nolatech的SLD-840-14BF-5是中心波长为820nm的超发光二极管。它提供5mW的连续/脉冲输出功率,光谱宽度为20-30nm.该SLD具有内部监控光电二极管(PD)和热电冷却器(TEC)。它的热阻为10千欧姆,最小消光比为17分贝。该SLD的最大正向电压为2.5 V,最大正向电流为300 mA.它采用14引脚标准蝶形封装,尺寸为44 X 30 X 10.5 mm,具有Ø0.9 mm SM/PM光纤。该SLD是光纤陀螺仪的理想选择,可作为光纤传输系统、光纤传感器、光学相干层析成像和光学测量应用的光源。