OSI激光二极管公司'S MCW组合器系列光纤耦合激光器旨在满足光学测试设备市场的性能需求。这些高峰值光功率激光器服务于850nm至1650nm波长，并可用于紧凑型双工封装。

Miro Altitude是Gentec-EO较新设计的旗舰仪表，用于读取激光功率和能量测量。这款新设计的激光束测量仪器将帮助工程师和服务技术人员提高他们的工作效率，这得益于硬件和软件中的几个新功能。MiroAltitude触摸屏显示器可以提高工作效率，这得益于其直观的用户界面、超大屏幕、大量的连接可能性、3种方便的显示模式、内置数据查看器和文件管理器。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

用于宽光谱范围激光功率测量的Gentec-EO Pronto-Si光电探测器

Gentec-EO的PRONTO-50-W5和PRONTO-250便携式激光探头是带有内置显示屏的袖珍功率和电能表。PRONTO-50-W5和PRONTO-250可在5秒内精确测量高达50 W和250 W的激光功率。除常规单次功率（SSP）模式外，PRONTO-250-PLUS还具有2种额外的测量模式：在连续功率（CWP）模式下，该器件可连续测量高达8 W的功率，而在单次能量模式（SSE）下，它可测量单个脉冲的能量。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。Pronto探测器可配备可选支架和/或电源。如果所需的波长在校准的光谱范围之外，您可以使用“校正因子”功能来调整显示的测量。

Gentec-EO的PRONTO-50-W5和PRONTO-250便携式激光探头是带有内置显示屏的袖珍功率和电能表。PRONTO-50-W5和PRONTO-250可在5秒内精确测量高达50 W和250 W的激光功率。除常规单次功率（SSP）模式外，PRONTO-250-PLUS还具有2种额外的测量模式：在连续功率（CWP）模式下，该器件可连续测量高达8 W的功率，而在单次能量模式（SSE）下，它可测量单个脉冲的能量。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。Pronto探测器可配备可选支架和/或电源。如果所需的波长在校准的光谱范围之外，您可以使用“校正因子”功能来调整显示的测量。

Gentec-EO的PRONTO-50-W5和PRONTO-250便携式激光探头是带有内置显示屏的袖珍功率和电能表。PRONTO-50-W5和PRONTO-250可在5秒内精确测量高达50 W和250 W的激光功率。除常规单次功率（SSP）模式外，PRONTO-250-PLUS还具有2种额外的测量模式：在连续功率（CWP）模式下，该器件可连续测量高达8 W的功率，而在单次能量模式（SSE）下，它可测量单个脉冲的能量。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。Pronto探测器可配备可选支架和/或电源。如果所需的波长在校准的光谱范围之外，您可以使用“校正因子”功能来调整显示的测量。

用于宽光谱范围激光功率测量的Gentec-EO Pronto-250功率探测器

用于宽光谱范围激光功率测量的Gentec-EO Pronto-250功率探测器

OSI激光二极管公司S 850nm激光模块设计用于高光功率和低功率的光纤仪器

Q开关是用于产生非常高的峰值功率、短持续时间的激光脉冲的腔内器件。这些典型地是在零级光束上操作的损耗调制器。Q开关的目标是从零级衍射尽可能多的功率，以增加腔损耗并消除激光输出。当对Q开关的RF驱动瞬间关闭时，在激光器中建立的光功率作为短脉冲发射。该过程可以以超过100kHz的速率重复。根据频率和相互作用长度，AO Q开关要么像AOM一样工作在主要具有单个衍射光束的Bragg区域，要么工作在具有多个衍射光束的Raman-Nath区域。

Q开关是用于产生非常高的峰值功率、短持续时间的激光脉冲的腔内器件。这些典型地是在零级光束上操作的损耗调制器。Q开关的目标是从零级衍射尽可能多的功率，以增加腔损耗并消除激光输出。当对Q开关的RF驱动瞬间关闭时，在激光器中建立的光功率作为短脉冲发射。该过程可以以超过100kHz的速率重复。根据频率和相互作用长度，AO Q开关要么像AOM一样工作在主要具有单个衍射光束的Bragg区域，要么工作在具有多个衍射光束的Raman-Nath区域。

Q开关是用于产生非常高的峰值功率、短持续时间的激光脉冲的腔内器件。这些典型地是在零级光束上操作的损耗调制器。Q开关的目标是从零级衍射尽可能多的功率，以增加腔损耗并消除激光输出。当对Q开关的RF驱动瞬间关闭时，在激光器中建立的光功率作为短脉冲发射。该过程可以以超过100kHz的速率重复。根据频率和相互作用长度，AO Q开关要么像AOM一样工作在主要具有单个衍射光束的Bragg区域，要么工作在具有多个衍射光束的Raman-Nath区域。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。