• FCI-InGaAs-75CCER 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-75CCER是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03至2nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间0.2ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75CCER的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75LCER 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-75LCER是波长范围为900至1700nm的光电二极管,电容为0.65pF,暗电流为0.03至2nA,响应度/光敏度为0.80至0.95A/W,上升时间为020ns.有关FCI-InGaAs-75LCER的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75WCER 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-75WCER是一种光电二极管,其波长范围为900至1700 nm,电容为0.65 PF,暗电流为0.03至2 nA,响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W,上升时间0.2 ns.有关FCI-InGaAs-75WCER的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-8M 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-8M是一种波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。

  • FCI-InGaAs-Q1000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 25 pF 暗电流: 0.5 to 15 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-Q1000是波长范围为900至1700 nm、电容为25 PF、暗电流为0.5至15 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q1000的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-Q3000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 225 pF 暗电流: 2 to 100 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-Q3000是波长范围为900至1700 nm、电容为225 PF、暗电流为2至100 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为24 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q3000的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-WCER-LR 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 15 pF 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.生产的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款光电二极管,波长范围为900至1700 nm,电容为15 PF,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.FCI-InGaAs-WCER-LR的更多详情见下文。

  • FCI-InGaAs-XXX-X Series 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 80 to 1800 pF

    OSI Laser Diode的FCI-InGaAs-XXX-X系列是InGaAs光电二极管,工作光谱范围为900至1700 nm.它们在1100至1620nm范围内表现出优异的响应度。这些光电二极管的有效面积尺寸为1 mm、1.5 mm和3 mm,并具有5、10、20和40 mΩ的不同分流电阻值。这些光电二极管内部的芯片采用TO-46或TO-5封装,具有宽带双面AR涂层平面窗口,非常适合光学仪器、功率测量、红外传感和医疗设备应用。

  • FIL-UV005 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 300 pF 响应度/光敏度: 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的FIL-UV005是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为300 PF,响应度/光敏度为0.14 A/W,上升时间为0.9µs.有关FIL-UV005的更多详细信息,请联系我们。

  • FIL-UV50 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的FIL-UV50是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为2500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为3.5µs.有关FIL-UV50的更多详细信息,请联系我们。

  • LSC-30D 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 pF 暗电流: 0.025 to 25 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的LSC-30D是一款光电二极管,波长范围为670 nm,电容为300 PF,暗电流为0.025至25 nA,响应度/光敏度为0.35至0.42 A/W,上升时间为3µs.有关LSC-30D的更多详细信息,请联系我们。

  • LSC-5D 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 pF 暗电流: 0.01 to 10 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的LSC-5D是一款光电二极管,波长范围670 nm,电容50 PF,暗电流0.01至10 nA,响应度/光敏度0.35至0.42 A/W,上升时间0.25µs.有关LSC-5D的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD1-0 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 to 12 pF 暗电流: 1 to 3 nA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的OSD1-0是波长范围为900 nm、电容为3至12 PF、暗电流为1至3 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关OSD1-0的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD1-5T 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 pF 暗电流: 1 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的OSD1-5T是一款光电二极管,波长范围为436nm,电容为35 PF,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W,上升时间为7µs.有关OSD1-5T的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD1-E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 7 to 35 pF 暗电流: 0.2 to 1 nA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的OSD1-E是波长范围为550 nm、电容为7至35 PF、暗电流为0.2至1 nA、响应度/光敏度为2.2 nA/Lux的光电二极管。有关OSD1-E的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD100-0A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 130 to 1000 pF 暗电流: 30 to 70 nA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的OSD100-0A是波长范围为900 nm、电容为130至1000 PF、暗电流为30至70 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为19 ns的光电二极管。有关OSD100-0A的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD100-5TA 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 暗电流: 30 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的OSD100-5TA是一款光电二极管,波长范围436nm,电容2500 PF,暗电流30 nA,响应度/光敏度0.18至0.21 A/W,上升时间45µs.有关OSD100-5TA的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD15-0 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20 to 150 pF 暗电流: 8 to 15 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的OSD15-0是一款光电二极管,波长范围为900 nm,电容为20至150 PF,暗电流为8至15 nA,响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W,上升时间为9 ns.有关OSD15-0的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD15-5T 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 390 pF 暗电流: 10 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的OSD15-5T是一款光电二极管,波长范围为436nm,电容为390 PF,暗电流为10 nA,响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W,上升时间为12µs.有关OSD15-5T的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD15-E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 80 to 390 pF 暗电流: 2 to 10 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的OSD15-E是一款光电二极管,波长范围为550 nm,电容为80至390 PF,暗电流为2至10 nA,响应度/光敏度为33 nA/Lux.有关OSD15-E的更多详细信息,请联系我们。