近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Gentec-EO提供了一种功率探测器，用于测量100W-12，000W范围内的高或超高激光功率。HP系列功率计可广泛用于检测从深紫外线（DUV）到远红外线（FIR）的光。

Gentec-EO提供了一种功率探测器，用于测量100W-12，000W范围内的高或超高激光功率。HP系列探测器应用广泛，可探测从深紫外（DUV）到远红外（FIR）的光线。

Gentec-EO提供了一种功率探测器，用于测量100W-12，000W范围内的高或超高激光功率。HP系列功率计可广泛用于检测从可见光（VIS）到中红外（MIR）的光。

Gentec-EO为实验室和工业应用提供UP19-VR系列激光功率探测器。

Gentec-EO为实验室和工业应用提供UP19-W系列激光功率探测器。

Gentec-EO为实验室和工业应用提供UP19-VR系列激光功率探测器。

Gentec-EO为实验室和工业应用提供UP19-W系列激光功率探测器。

Gentec-EO为实验室和工业应用提供UP19-W系列激光功率探测器。

Gentec-EO为实验室和工业应用提供UP19-W系列激光功率探测器。

Gentec-EO为实验室和工业应用提供UP19-W系列激光功率探测器。

Gentec-EO UP系列激光功率探测器包括七个系列（XLP12、UP12、UP10、UP17、UP19、UP25、UP55）的光热传感器，具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。Gentec-EO UP系列激光功率探测器包括七个系列（XLP12，UP12，UP10，UP17，UP19，UP25，UP55），具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大器。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。

Gentec-EO提供调谐器-带有调谐针的单通道功率监控器。调谐器与热电堆传感器和光电探测器兼容。多功能用户界面和光学规格使其成为科学和工业激光功率测量应用的理想选择。

Gentec-EO UP系列激光功率探测器包括七个系列（XLP12、UP12、UP10、UP17、UP19、UP25、UP55）的光热传感器，具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。Gentec-EO UP系列激光功率探测器包括七个系列（XLP12，UP12，UP10，UP17，UP19，UP25，UP55），具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大器。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。

Gentec-EO UP系列激光功率探测器包括七个系列（XLP12、UP12、UP10、UP17、UP19、UP25、UP55）的光热传感器，具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。Gentec-EO UP系列激光功率探测器包括七个系列（XLP12，UP12，UP10，UP17，UP19，UP25，UP55），具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大器。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。

Gentec-EO UP系列激光功率探测器包括七个系列（XLP12、UP12、UP10、UP17、UP19、UP25、UP55）的光热传感器，具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。Gentec-EO UP系列激光功率探测器包括七个系列（XLP12，UP12，UP10，UP17，UP19，UP25，UP55），具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大器。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。

Gentec-EO UP系列激光功率探测器包括七个系列（XLP12、UP12、UP10、UP17、UP19、UP25、UP55）的光热传感器，具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。Gentec-EO UP系列激光功率探测器包括七个系列（XLP12，UP12，UP10，UP17，UP19，UP25，UP55），具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大器。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。

Gentec-EO UP系列激光功率探测器包括七个系列（XLP12、UP12、UP10、UP17、UP19、UP25、UP55）的光热传感器，具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。Gentec-EO UP系列激光功率探测器包括七个系列（XLP12，UP12，UP10，UP17，UP19，UP25，UP55），具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大器。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。