First Sensor的501557是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为0.3 PF，暗电流为0.5至1 nA，响应度/光敏度为52至60 A/W.501557的更多详情见下文。

First Sensor的501559是单元件PIN光电二极管，有效面积为2.8 X 2.8/6.2 mm2。这种背照式PIN光电二极管针对CSI：Tl闪烁体发光检测进行了优化。它采用BGA封装，采用平面倒装芯片设计，是光度测量、阵列组件和X射线检测应用的理想选择。

First Sensor的501805是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为0.6 PF，暗电流为0.2至0.5 nA，响应度/光敏度为30至50 A/W，有效面积直径为230µm.有关501805的更多详细信息，请联系我们。

First Sensor的501809是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为2.2 PF，暗电流为0.5至1 nA，响应度/光敏度为30至50 A/W，有效面积直径为500µm.有关501809的更多详细信息，请联系我们。

First Sensor的501810是一个光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为0.5 PF，暗电流为0.05至0.1 nA，响应度/光敏度为30至50 A/W，有效面积直径为100µm.有关501810的更多详细信息，请联系我们。

First Sensor的501811是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为0.05 PF，暗电流为0.05至0.1 nA，响应度/光敏度为30至50 A/W，有效面积直径为100µm.有关501811的更多详细信息，请联系我们。

First Sensor的501812是一个光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为0.05 PF，暗电流为0.05至0.1 nA，响应度/光敏度为30至50 A/W，有效面积直径为100µm.有关501812的更多详细信息，请联系我们。

First Sensor的501817是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为0.3 PF，暗电流为0.5至1 nA，响应度/光敏度为42至60 A/W，有效面积直径为230µm.501817的更多细节可以在下面看到。

First Sensor的501818是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为1.2 PF，暗电流为0.8至2 nA，响应度/光敏度为42至60 A/W，有效面积直径为500µm.有关501818的更多详细信息，请联系我们。

First Sensor的501819是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为4.5 PF，暗电流为0.3至2 nA，响应度/光敏度为40至50 A/W，有效面积直径为500µm.有关501819的更多详细信息，请联系我们。

First Sensor的501820是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为1.5 PF，暗电流为0.2至1 nA，响应度/光敏度为40至50 A/W，有效面积直径为230µm.有关501820的更多详细信息，请联系我们。

First Sensor的501828是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为0.5 PF，暗电流为0.05至0.5 nA，响应度/光敏度为40至50 A/W，有效面积直径为100µm.有关501828的更多详细信息，请联系我们。

First Sensor的501829是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为0.5 PF，暗电流为0.05至0.5 nA，响应度/光敏度为40至50 A/W，有效面积直径为100µm.有关501829的更多详细信息，请联系我们。

First Sensor的501830是一个光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为0.5 PF，暗电流为0.05至0.5 nA，响应度/光敏度为40至50 A/W，有效面积直径为100µm.有关501830的更多详细信息，请联系我们。

First Sensor的501831是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为0.5 PF，暗电流为0.05至0.5 nA，响应度/光敏度为45至50 A/W，有效面积直径为100µm.有关501831的更多详细信息，请联系我们。

LED MicroSensor NT的LMS49PD-05系列是一款光电二极管，可为中红外应用提供快速响应速度。它的敏感区域为0.5 mm，最大灵敏度范围为3.55-4.50μm.该光电二极管的暗电流为17 mA，光敏度为1 A/W，截止波长（10%水平）为4.9~5.0μm.它提供TO-18和TO-5两种封装，具有内置热冷却器、热电阻和前置放大器等多种选择。

Sensors Unlimited的LE/LSE系列是波长为0.8-2.2μm的InGaAs线性光电二极管阵列。这些光电二极管阵列的像素间距为25/50μm，像素高度为250/500μm.它们具有1.5μm的峰值波长灵敏度和10.5nV/光子的最小响应度。这些光电二极管阵列需要4.9-5.25 V的模拟电源。LE/LSE光电二极管阵列具有防晕光保护功能，可防止电荷从饱和像素流出，并允许增加场景内动态范围。它们与CMOS读出集成电路（ROIC）集成，可提供最大的抗扰度和灵敏度。这些光电二极管阵列需要一个模拟电源和两条数字控制线，以实现最佳ROIC性能，并提供通过单个输入选择两个独立增益的选项。它们由1级或2级热电冷却器组成，用于温度稳定和监控。这些光电二极管阵列采用ESD保护模块，非常适合FTIR/NIR干涉测量、NIR分子光谱、生物医学分析、塑料回收、工业过程控制和检测、机器视觉、农业分拣和热成像应用。

Kyoto Semiconductors的KPM100是一款硅雪崩光电二极管，工作波长为400至1000 nm.它可以处理1 MW的光输入功率，光电灵敏度为-67.5 kV/W.光电二极管需要5 V的直流电源，消耗高达70 mA的电流。它的响应度为0.45 A/W，支持USB 2.0接口。光电二极管由高速跨阻抗放大器组成，并具有预设和可编程的放大系数。它采用尺寸为61 X 61 X 2 mm的模块，带有SMA母头连接器，非常适合光通信、测距仪、光学测量、弱光检测和APD评估应用。

来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度，并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用，包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管（PMT）的固态替代品。

Vishay Intertechnology的VEMT3700F是一款硅NPN光电晶体管，光谱带宽为870至1050 nm.它具有与870至950 nm红外发射器匹配的日光阻挡滤光片，并且具有±60度的半灵敏度角度。该光电晶体管的最小集电极-发射极（C-E）击穿电压为70 V，C-E暗电流高达200 nA，C-E电容为3 PF.上升/下降时间为2-6μs，截止频率为180 kHz.这款光电晶体管采用表面贴装微型PLCC-2封装，尺寸为3.5 X 2.8 X 1.75 mm，非常适合光断续器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器应用。