• M9T-830-0300-XXX 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    应用行业: Medical 技术: Fabry Perot 工作模式: CW Laser 波长: 830 nm 输出功率: 300 mW

    Sheaumann Laser的M9T-830-0300是连续波(CW)Fabry Perot(FP)激光二极管,工作波长为830 nm.这种单空间模式激光二极管的光输出功率高达300mW,斜率效率为0.9W/A,垂直光束发散角(FWHM)为16°,水平光束发散角(FWHM)为8°。该激光二极管的正向电压为1.9-2.2 V,阈值电流高达65 mA.该器件采用Ø9 mm高TO-CAN封装,非常适合拉曼光谱和医疗应用。

  • PL 520 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 515 to 530 nm 输出功率: 0 to 0.05 W 工作电压: 7 to 8 V 工作电流: 0.150 to 0.160 A

    来自OSRAM的PL 520是绿色激光二极管,其在510至530nm的波长下工作。它提供30-50mW的峰值CW/脉冲输出功率,并且具有100∶1的TE极化。该激光二极管的光谱带宽为2nm,光束发散角为6-10°(平行)和19-25°(垂直)。它需要6-6.9 V的直流电源,消耗95-140 mA的电流。该单模半导体激光二极管具有30-65mA的阈值电流。它采用TO38 iCUT封装,是健康监测(心率监测、脉搏血氧仪)和家用/专业投影LED和激光应用的理想选择。

  • PLT5 522EA_P 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    工作模式: CW / Pulsed Laser 输出功率: 20 mW 工作电压: 5.5 to 6.3 V 工作电流: 68 to 82 mA 阈值电流: 30 to 50 mA

    欧司朗(OSRAM)的PLT5 522EA_P是单模绿色激光二极管,工作波长为520 nm.其峰值输出功率为20mW,光谱带宽(FWHM)为2nm.该激光二极管的光束发散角为8°(平行)和22°(垂直)。它的调制频率为100 MHz,TE极化为100:1,阈值电流高达50 mA.PLT5 522EA_P需要5.5 V的直流电源,功耗小于82 mA.它采用TO56封装,配有光电二极管,非常适合建筑、花园照明(LED和激光)、区域灯、筒灯、聚光灯、气氛照明、街道、隧道和户外照明应用。

  • SPL LL90_3 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 60 to 80 W 激光增益介质: InAIGaAs/GaAs 激光颜色: Infrared

    来自OSRAM的SPL LL90_3是在905nm的波长下操作的混合脉冲激光二极管。它的峰值输出功率为70 W,脉冲宽度(FWHM)为40 ns.该激光二极管的光束发散角为15°(平行)和30°(垂直),上升时间为10ns,下降时间为45ns.它的孔径为200 X 10μm²,反向电流为10μA.该激光二极管具有应变InAlGaAs/GaAs QW结构并使用纳米堆叠激光技术。它具有3个外延堆叠的发射极和一个用于脉冲控制的集成驱动级、FET和电容器。它需要20 V直流电源,采用4.9 X 2.4 X 5 mm的小尺寸塑料封装。该激光二极管适用于电子设备、设备照明(如固化、内窥镜)、高棚工业、工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)、激光雷达、预碰撞、ACC、安全和CCTV应用。

  • SPL PL90_3 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    波长: 905 nm RoHS: Yes 类型: 自由空间激光二极管 技术: 纳米堆叠激光技术(包含3个外延堆叠发射极) 工作模式: 脉冲

    来自OSRAM的SPL PL90_3,是波长为905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管。输出峰值功率为65W-85W,脉宽为1-100ns,光谱带宽7nm.该激光二极管有3个发射器,光束发散角(FWHM)为9°(平行)和25°(垂直)。它的阈值电流为0.75 A,反向电压高达3 V。它需要9 V的直流电源,正向电流高达40 A。该激光二极管采用Ø5.8 X 32 mm的塑料封装,非常适合电子设备、设备照明(如固化、内窥镜)、工矿灯行业、工业自动化、安全安保和CCTV应用。

  • SPL TL90AT03 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    应用行业: Security 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 65 W 工作电压: 9.5 V 工作电流: 20 A

    欧司朗的SPL TL90AT03是一款脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.输出峰值功率为65W,脉冲宽度为1~100ns,光谱带宽为7nm.该激光二极管有3个发射器,光束发散角(FWHM)为10°(平行)和25°(垂直)。它的激光孔径(FWHM)为110μm(平行)和10μm(垂直)。该激光二极管的阈值电流为0.3 A,反向电压为3 V.它需要9.5 V的直流电源,正向电流高达20 A.该激光二极管采用TO-56封装,尺寸为Ø5.6 X 10 mm,非常适合3D传感、闭路电视监控、电子设备、手势识别、高棚和工业自动化(机器控制、光栅、视觉控制)应用。

  • SPL TL90AT08 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 125 W 工作电压: 11 V 工作电流: 40 A 阈值电流: 0.6 A

    欧司朗的SPL TL90AT08是一款纳米堆叠脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它的峰值输出功率为120W,脉冲宽度为1-100ns,光谱带宽为7nm.该激光二极管有3个发射器,光束发散角(FWHM)为10°(平行)和25°(垂直)。它的激光孔径(FWHM)为220μm(平行)和10μm(垂直)。该激光二极管的阈值电流为0.6 A,反向电压为3 V.它需要11 V的直流电源,正向电流高达40 A.该激光二极管采用TO-56封装,尺寸为Ø5.6 X 10 mm,非常适合3D传感、CCTV监控、电子设备、工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)、激光雷达、预碰撞、ACC和测量调平应用。

  • SPL UL90AT03 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    应用行业: Security 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 65 W 工作电压: 9.5 V 工作电流: 20 A

    欧司朗的SPL UL90AT03是一种脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.输出峰值功率为65W,脉冲宽度为1~100ns,光谱带宽为7nm.该激光二极管有3个发射器,光束发散角(FWHM)为10°(平行)和25°(垂直)。它的激光孔径(FWHM)为110μm(平行)和10μm(垂直)。该激光二极管的阈值电流为0.3 A,反向电压高达3 V.它需要9.5 V的直流电源,正向电流高达20 A.该激光二极管采用TO-56封装,尺寸为Ø5.6 X 10 mm,非常适合3D传感、闭路电视监控、电子设备、手势识别、高棚和工业自动化(机器控制、光栅、视觉控制)应用。

  • SPL UL90AT08 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 125 W 工作电压: 11 V 工作电流: 40 A 阈值电流: 0.6 A

    欧司朗的SPL UL90AT08是一种脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它的峰值输出功率为120W,脉冲宽度为1-100ns,光谱带宽为7nm.该激光二极管具有3个外延堆叠的发射器,光束发散角(FWHM)为10°(平行)和25°(垂直)。它的阈值电流高达0.6 A,反向电压低于3 V.它需要11 V的直流电源,正向电流高达40 A.这款激光二极管采用TO-56封装,尺寸为Ø5.6 X 10 mm,是3D传感、闭路电视监控、电子设备、激光雷达、预碰撞、ACC、测量水平和工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)应用。

  • 权力的米尔 半导体激光器
    法国
    厂商:mirSense
    技术: Quantum Well 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 4.65 to 4.84 um 输出功率: 1.6 W 横模: TEM00

    Mir Sense的PowerMir是一款激光二极管,工作范围为4.6至4.8µm.它工作在准连续/连续模式下,输出功率高达1.63W.该激光二极管具有2.3mrad的平行光束发散角和4.3mrad的垂直光束发散角。它需要24 V直流电源,支持USB和TTL接口。激光二极管采用HHL封装,是国防应用的理想选择。

  • CAC940D001 半导体激光器
    美国
    厂商:Vertilite
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 180 to 210 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V 工作电流: 250 mA

    Vertilite的CAC940D001是一款垂直腔面发射激光二极管阵列,工作波长为940 nm.该激光器的输出功率为210mW,功率转换效率为36%,斜率效率为1W/A,光谱宽度(RMS)为2.5nm,光束全发散角为23°,阈值电流为30mA.它需要2.3 V的直流电源,功耗为250 mA.这款激光二极管阵列采用芯片封装,尺寸为212 X 241 X 100µm,非常适合手势识别、汽车传感、飞行时间和红外照明应用。

  • CAS850A005 半导体激光器
    美国
    厂商:Vertilite
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 0.4 to 1 mW 工作电压: 1.7 to 2.5 V 工作电流: 1.5 mA

    Vertilite的CAS850A005是一款垂直腔面发射激光器(VCSEL)二极管,工作波长为850 nm.该激光器输出光功率为0.6mW,功率转换效率为30%,斜率效率为0.8W/A,光束全发散角为16°,阈值电流为0.8mA.它需要2.1 V的直流电源,功耗为1.5 mA.这款激光二极管采用尺寸为173 X 173 X 100µm的封装,非常适合3D传感应用。

  • P35940S2G006 半导体激光器
    美国
    厂商:Vertilite
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 2.5 to 2.8 W 工作电压: 1.5 to 2.3 V 工作电流: 3.5 A

    Vertilite的P35940S2G006是一款垂直腔面发射激光照明模块,工作波长为940 nm.该VCSEL二极管的输出功率为2.8W,功率转换效率为38%,斜率效率为1W/A,光谱宽度(RMS)为1nm,FWHM处的光束发散角为72°(长轴)和58°(短轴)。阈值电流为0.6 A,差分电阻为0.3Ω。该激光二极管需要1.9 V的直流电源,并消耗3.5 A的电流。它采用卷带封装,尺寸为3.5±0.1 X 3.2±0.1 X 1.2±0.1 mm,非常适合飞行时间和红外照明应用。

  • PLPCOS 450E 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    波长: 447 nm 激光颜色: 蓝光 光束散度平行: 9 Degrees 光束散度垂直: 49 Degrees 工作电流: 最大4A

    来自OSRAM的PLPCOS 450E,是波长为447nm的具有CoS封装的蓝光激光二极管。输出功率为5W,光束发散角(1/e²)为9°(平行)和49°(垂直)。它的阈值电流为0.29A(最大0.45A),最大工作电流为4A。该激光二极管非常适合激光材料加工,家用投影,专业投影,舞台灯光应用。

  • SPL BF98-40-5-01B 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    类型: 半导体激光巴条芯片(裸片) 芯片技术: MOVPE生长量子阱结构 光束散度平行: 6.4 Degrees 光束散度垂直: 40 Degrees 电源转换效率: 65%

    来自OSRAM的SPL BF98-40-5-01B,是波长为980nm的半导体激光巴条芯片(裸片)。单片线性激光阵列由5个单管组成,峰值输出功率为40W,光束发散角为6.4°(平行)和40°(垂直)。它的阈值电流为2.7A(最大3.1A),转换效率为65%,正向电流为41A,可应用于激光材料加工。

  • 1.57μm全固态激光器 半导体激光器
    中国大陆
    激光波长: 1.06±0.01um 激光平均能量: ≥20mJ/≥40mJ/≥60mJ/≥80mJ/≥100mJ/≥150mJ/≥200mJ 激光脉冲宽度: 15±5ns 频率范围: 5~20Hz 光斑圆度: >80%

    国产化1.57μm全固态激光器,采用激光二极管泵浦技术,具有长达20亿次的使用寿命,高精度电光调Q,支持多变频模块选择,体积小巧,便于系统集成。提供能量输出和发散角的定制服务。

  • DPGEW1S03H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片,在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • DPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片,在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • OT-03:Er:玻璃激光发射器与二极管泵浦。 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1540nm 平均值功率: 0.1W 重复频率: 0.01 - 0.01 kHz 脉宽: 30ns 冷却: Air, Conductive

    OT-03是Optitask公司的一款高能量、调Q、1.54µm二极管泵浦固态(DPSS)激光器。这款风冷、主动调Q激光器专为现场高能激光传输而设计。该激光器的工作温度范围为-40oC至65oC,连续工作时脉冲能量超过10 MJ,脉冲半高宽(FWHM)小于30 ns,脉冲重复频率为10 Hz,输出光束直径为4 mm,光束发散角小于5毫弧度,非常适合远距离传输。所有这些功能使OT-03激光器成为测距和主动夜视等应用的强大工具。

  • OT-20: Er: 玻璃激光发射器与二极管泵浦 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1540nm 平均值功率: 0.1W 重复频率: 0.02 - 0.02 kHz 脉宽: 30ns 冷却: Air, Conductive

    OT-03是Optitask公司的一款高能量、调Q、1.54µm二极管泵浦固态(DPSS)激光器。这款风冷、主动调Q激光器专为现场高能激光传输而设计。该激光器的工作温度范围为-40oC至65oC,脉冲能量超过10mJ,脉冲半高宽(FWHM)<30ns,连续工作时脉冲重复频率为10Hz,输出光束直径为4mm,光束发散角小于5毫弧度,非常适合远距离传输。所有这些功能使OT-03激光器成为测距和主动夜视等应用的强大工具。