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工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 515 to 530 nm 输出功率: 0 to 0.05 W 工作电压: 7 to 8 V 工作电流: 0.150 to 0.160 A
来自OSRAM的PL 520是绿色激光二极管,其在510至530nm的波长下工作。它提供30-50mW的峰值CW/脉冲输出功率,并且具有100∶1的TE极化。该激光二极管的光谱带宽为2nm,光束发散角为6-10°(平行)和19-25°(垂直)。它需要6-6.9 V的直流电源,消耗95-140 mA的电流。该单模半导体激光二极管具有30-65mA的阈值电流。它采用TO38 iCUT封装,是健康监测(心率监测、脉搏血氧仪)和家用/专业投影LED和激光应用的理想选择。
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工作模式: CW / Pulsed Laser 输出功率: 20 mW 工作电压: 5.5 to 6.3 V 工作电流: 68 to 82 mA 阈值电流: 30 to 50 mA
欧司朗(OSRAM)的PLT5 522EA_P是单模绿色激光二极管,工作波长为520 nm.其峰值输出功率为20mW,光谱带宽(FWHM)为2nm.该激光二极管的光束发散角为8°(平行)和22°(垂直)。它的调制频率为100 MHz,TE极化为100:1,阈值电流高达50 mA.PLT5 522EA_P需要5.5 V的直流电源,功耗小于82 mA.它采用TO56封装,配有光电二极管,非常适合建筑、花园照明(LED和激光)、区域灯、筒灯、聚光灯、气氛照明、街道、隧道和户外照明应用。
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技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 60 to 80 W 激光增益介质: InAIGaAs/GaAs 激光颜色: Infrared
来自OSRAM的SPL LL90_3是在905nm的波长下操作的混合脉冲激光二极管。它的峰值输出功率为70 W,脉冲宽度(FWHM)为40 ns.该激光二极管的光束发散角为15°(平行)和30°(垂直),上升时间为10ns,下降时间为45ns.它的孔径为200 X 10μm²,反向电流为10μA.该激光二极管具有应变InAlGaAs/GaAs QW结构并使用纳米堆叠激光技术。它具有3个外延堆叠的发射极和一个用于脉冲控制的集成驱动级、FET和电容器。它需要20 V直流电源,采用4.9 X 2.4 X 5 mm的小尺寸塑料封装。该激光二极管适用于电子设备、设备照明(如固化、内窥镜)、高棚工业、工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)、激光雷达、预碰撞、ACC、安全和CCTV应用。
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应用行业: Security 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 65 W 工作电压: 9.5 V 工作电流: 20 A
欧司朗的SPL TL90AT03是一款脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.输出峰值功率为65W,脉冲宽度为1~100ns,光谱带宽为7nm.该激光二极管有3个发射器,光束发散角(FWHM)为10°(平行)和25°(垂直)。它的激光孔径(FWHM)为110μm(平行)和10μm(垂直)。该激光二极管的阈值电流为0.3 A,反向电压为3 V.它需要9.5 V的直流电源,正向电流高达20 A.该激光二极管采用TO-56封装,尺寸为Ø5.6 X 10 mm,非常适合3D传感、闭路电视监控、电子设备、手势识别、高棚和工业自动化(机器控制、光栅、视觉控制)应用。
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工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 125 W 工作电压: 11 V 工作电流: 40 A 阈值电流: 0.6 A
欧司朗的SPL TL90AT08是一款纳米堆叠脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它的峰值输出功率为120W,脉冲宽度为1-100ns,光谱带宽为7nm.该激光二极管有3个发射器,光束发散角(FWHM)为10°(平行)和25°(垂直)。它的激光孔径(FWHM)为220μm(平行)和10μm(垂直)。该激光二极管的阈值电流为0.6 A,反向电压为3 V.它需要11 V的直流电源,正向电流高达40 A.该激光二极管采用TO-56封装,尺寸为Ø5.6 X 10 mm,非常适合3D传感、CCTV监控、电子设备、工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)、激光雷达、预碰撞、ACC和测量调平应用。
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应用行业: Security 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 65 W 工作电压: 9.5 V 工作电流: 20 A
欧司朗的SPL UL90AT03是一种脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.输出峰值功率为65W,脉冲宽度为1~100ns,光谱带宽为7nm.该激光二极管有3个发射器,光束发散角(FWHM)为10°(平行)和25°(垂直)。它的激光孔径(FWHM)为110μm(平行)和10μm(垂直)。该激光二极管的阈值电流为0.3 A,反向电压高达3 V.它需要9.5 V的直流电源,正向电流高达20 A.该激光二极管采用TO-56封装,尺寸为Ø5.6 X 10 mm,非常适合3D传感、闭路电视监控、电子设备、手势识别、高棚和工业自动化(机器控制、光栅、视觉控制)应用。
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工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 125 W 工作电压: 11 V 工作电流: 40 A 阈值电流: 0.6 A
欧司朗的SPL UL90AT08是一种脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它的峰值输出功率为120W,脉冲宽度为1-100ns,光谱带宽为7nm.该激光二极管具有3个外延堆叠的发射器,光束发散角(FWHM)为10°(平行)和25°(垂直)。它的阈值电流高达0.6 A,反向电压低于3 V.它需要11 V的直流电源,正向电流高达40 A.这款激光二极管采用TO-56封装,尺寸为Ø5.6 X 10 mm,是3D传感、闭路电视监控、电子设备、激光雷达、预碰撞、ACC、测量水平和工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)应用。
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技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 180 to 210 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V 工作电流: 250 mA
Vertilite的CAC940D001是一款垂直腔面发射激光二极管阵列,工作波长为940 nm.该激光器的输出功率为210mW,功率转换效率为36%,斜率效率为1W/A,光谱宽度(RMS)为2.5nm,光束全发散角为23°,阈值电流为30mA.它需要2.3 V的直流电源,功耗为250 mA.这款激光二极管阵列采用芯片封装,尺寸为212 X 241 X 100µm,非常适合手势识别、汽车传感、飞行时间和红外照明应用。
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技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 0.4 to 1 mW 工作电压: 1.7 to 2.5 V 工作电流: 1.5 mA
Vertilite的CAS850A005是一款垂直腔面发射激光器(VCSEL)二极管,工作波长为850 nm.该激光器输出光功率为0.6mW,功率转换效率为30%,斜率效率为0.8W/A,光束全发散角为16°,阈值电流为0.8mA.它需要2.1 V的直流电源,功耗为1.5 mA.这款激光二极管采用尺寸为173 X 173 X 100µm的封装,非常适合3D传感应用。
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技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 2.5 to 2.8 W 工作电压: 1.5 to 2.3 V 工作电流: 3.5 A
Vertilite的P35940S2G006是一款垂直腔面发射激光照明模块,工作波长为940 nm.该VCSEL二极管的输出功率为2.8W,功率转换效率为38%,斜率效率为1W/A,光谱宽度(RMS)为1nm,FWHM处的光束发散角为72°(长轴)和58°(短轴)。阈值电流为0.6 A,差分电阻为0.3Ω。该激光二极管需要1.9 V的直流电源,并消耗3.5 A的电流。它采用卷带封装,尺寸为3.5±0.1 X 3.2±0.1 X 1.2±0.1 mm,非常适合飞行时间和红外照明应用。
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激光波长: 0.905um 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片,在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片,在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。