• APD410A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博

    Thorlabs Inc的APD410A是一款光电二极管,波长范围为400至1000 nm,带宽为DC至10 MHz,响应度/光敏度为53 A/W.有关APD410A的更多详细信息,请联系我们。

  • APD410A2 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博

    Thorlabs Inc的APD410A2是一款光电二极管,波长范围为200至1000 nm,带宽为DC至10 MHz,响应度/光敏度为25 A/W.有关APD410A2的更多详细信息,请联系我们。

  • APD410C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博

    Thorlabs Inc的APD410C是一款光电二极管,波长范围为900至1700 nm,带宽为DC至10 MHz,响应度/光敏度为18 A/W.有关APD410C的更多详细信息,请联系我们。

  • APD430A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博

    Thorlabs Inc的APD430A是一款光电二极管,波长范围为400至1000 nm,带宽为DC至400 MHz,响应度/光敏度为53 A/W.有关APD430A的更多详细信息,请联系我们。

  • APD430A2 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博

    Thorlabs Inc的APD430A2是一款光电二极管,波长范围为200至1000 nm,带宽为DC至400 MHz,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD430A2的更多详细信息,请联系我们。

  • APD430C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博

    Thorlabs Inc的APD430C是一款光电二极管,波长范围为900至1700 nm,带宽为DC至400 MHz,响应度/光敏度为18 A/W.有关APD430C的更多详细信息,请联系我们。

  • 2651A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1100 to 1600 nm RoHS: Yes 电容: 0.35 to 0.4 pF 暗电流: 5 to 50 nA

    来自Emcore Corporation的2651A是一款光电二极管,波长范围为1100至1600 nm,带宽为1000 MHz,电容为0.35至0.4 PF,暗电流为5至50 nA,响应度/光敏度为0.90至0.98 A/W.

  • 2651E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1100 to 1600 nm RoHS: Yes 电容: 0.35 to 0.4 pF 暗电流: 5 to 50 nA

    来自Emcore Corporation的2651E是一款光电二极管,波长范围为1100至1600 nm,带宽为3000 MHz,电容为0.35至0.4 PF,暗电流为5至50 nA,响应度/光敏度为0.90至0.98 A/W.

  • 501559 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:First Sensor
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: Scintillator RoHS: Yes

    First Sensor的501559是单元件PIN光电二极管,有效面积为2.8 X 2.8/6.2 mm2。这种背照式PIN光电二极管针对CSI:Tl闪烁体发光检测进行了优化。它采用BGA封装,采用平面倒装芯片设计,是光度测量、阵列组件和X射线检测应用的理想选择。

  • FCI-GaAs-XXM 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 650 to 860 nm 光电二极管材料: GaAs

    OSI Optoelectronics的FCI-GaAs-xxM是一款光电二极管,波长范围为650至860 nm,带宽为2 GHz,电容为0.65 PF,暗电流为0.03 nA,响应度/光敏度为0.63 A/W.有关FCI-GaAs-xxM的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-XXM series 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-xxM系列是一款光电二极管,波长范围为900至1700 nm,带宽为2 GHz,电容为0.65 PF,暗电流为0.03 nA,响应度/光敏度为0.95 A/W.有关FCI-InGaAs-xxM系列的更多详细信息,请联系我们。

  • GAP5000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 850 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 750 to 2500 pF 暗电流: 5 to 10 µA 响应度/光敏度: 0.10 to 0.95 A/W

    GPD Optoelectronics的GAP5000是一款光电二极管,波长范围为850至1550 nm,带宽为4 MHz,电容为750至2500 PF,暗电流为5至10µA,响应度/光敏度为0.10至0.95 A/W.有关GAP5000的更多详细信息,请联系我们。

  • IAV200 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV200是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.5至2 GHz,电容为1.8至2.2 PF,暗电流为8至25 nA,响应度/光敏度为0.85至1.05 A/W.有关IAV200的更多详细信息,请联系我们。

  • IAV202 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV202是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.5至2 GHz,电容为1.8至2.2 PF,暗电流为8至25 nA,响应度/光敏度为0.85至1.05 A/W.有关IAV202的更多详细信息,请联系我们。

  • IAV203 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV203是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.5至2 GHz,电容为1.8至2.2 PF,暗电流为8至25 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV203的更多详细信息,请联系我们。

  • IAV204 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV204是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.5至2 GHz,电容为1.8至2.2 PF,暗电流为8至25 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV204的更多详情见下文。

  • IAV205 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV205是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.5至2 GHz,电容为1.8至2.2 PF,暗电流为8至25 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV205的更多详情见下文。

  • IAV350 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV350是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.6 GHz,电容为3.2至4 PF,暗电流为30至25 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV350的更多详细信息,请联系我们。

  • IAV352 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 250 nA

    GPD Optoelectronics的IAV352是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.6 GHz,电容为3.2至4 PF,暗电流为30至250 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.

  • IAV353 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 250 nA

    GPD Optoelectronics的IAV353是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.6 GHz,电容为3.2至4 PF,暗电流为30至250 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.