来自Roithner Lasertechnik的UV-Tiamo-S是波长范围为290 nm、带宽为15 Hz、响应度/光敏度为280 MV/NW/cm2、上升时间为0.073 s的光电二极管。有关UV-Tiamo-S的更多详细信息，请联系我们。

来自Roithner Lasertechnik的UV-Tiamo是波长范围为280nm、带宽为15Hz、响应度/光敏度为280mV/NW/cm2、上升时间为0.066s的光电二极管。有关UV-Tiamo的更多详细信息，请联系我们。

Laserscom的APMI-2.5G-M是一款光电二极管，波长范围为1260至1620 nm，带宽为1.5 GHz，暗电流为20至50 nA，响应度/光敏度为0.80至1 A/W.APMI-2.5G-M的更多详细信息见下文。

来自Laserscom的PDI-35-10G-W是一款光电二极管，波长范围为1000至1650 nm，电容为0.25至0.3 PF，暗电流为1至1.5 nA，响应度/光敏度为0.9至1 A/W.PDI-35-10G-W的更多详情见下文。

Laserscom的PDI-3P30-10G-W是一款PIN光电二极管模块，工作波长范围为1000至1650 nm.它的光功率为30 MW，响应度为0.70 A/W.光电二极管的工作电压为5 V，暗电流为1 nA.它配有单模光纤，可提供-45 dB的低背反射，是高速光通信系统的理想选择。

来自Laserscom的PDI-40-4G-K是一款光电二极管，波长范围为850至1700 nm，电容为0.55至0.80 PF，暗电流为0.02至0.08 nA，响应度/光敏度为0.96至1.10 A/W.有关PDI-40-4G-K的更多详细信息，请联系我们。

来自Laserscom的PDI-4P40-4G-K-R50是一款光电二极管，波长范围1000至1700 nm，电容0.55至0.80 PF，暗电流0.005至0.02 nA，响应度/光敏度0.85至0.9 A/W.有关PDI-4P40-4G-K-R50的更多详细信息，请联系我们。

来自Laserscom的PDI-80-2G-K是一款光电二极管，波长范围为850至1700 nm，电容为0.95至1.1 PF，暗电流为0.03至0.16 nA，响应度/光敏度为0.96至1.10 A/W.PDI-80-2G-K的更多详情见下文。

来自Laserscom的PDI-8P50-2G-K-R50是一款光电二极管，波长范围为1000至1700 nm，电容为0.95至1.1 PF，暗电流为0.03至0.16 nA，响应度/光敏度为0.85至0.9 A/W.有关PDI-8P50-2G-K-R50的更多详细信息，请联系我们。

来自Laserscom的PDI-8P50-2G-K是一款光电二极管，波长范围为1000至1650 nm，电容为0.65至0.8 PF（芯片），0.95至1.1 PF（总电容），暗电流为0.03至0.16 nA，响应度/光敏度为0。8至0。85 A/W.有关PDI-8P50-2G-K的更多详细信息，请联系我们。

Laserscom的PMI-10G-K是一款光电二极管，波长范围为1260至1620 nm，带宽为9.0 GHz，电容为0.2 PF，暗电流为30 pA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.PMI-10G-K的更多详细信息见下文。

Excelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD，能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式（Vop > VBD）以检测单光子，或者在Linear模式（Vop < VBD）下工作，增益可达250。

Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构，提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中，正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米，C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中，可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。

C30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管，采用双扩散“穿透”结构制造，可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。

C30884EH是一种硅雪崩光电二极管，具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造，优化了在1000纳米以下波长的高响应度。

C30626FH系列雪崩光电二极管是一种高性能的传感器，具有高响应度和低暗电流，适用于高精度光电检测。

C30703FH Avalanche Photodiode是一种具有高响应度和低暗电流特性的光电探测器，适用于高精度光学测量。

Excelitas的C30724系列雪崩光电二极管（APD）设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度，并具有大约5纳秒的上升和下降时间，下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。

Excelitas Technologies的C30737系列硅雪崩光电二极管（APDs）适用于汽车激光雷达、激光测距仪、激光计量表及区域扫描应用，提供500nm至1000nm范围内的高响应度。

Excelitas Technologies的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管是高速、大面积的InGaAs APDs，提供高量子效率和低噪声的高响应度。