• APD410A2 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博

    Thorlabs Inc的APD410A2是一款光学探测器,波长范围为200至1000 nm,带宽为DC至10 MHz,响应度/光敏度为25 A/W.有关APD410A2的更多详细信息,请联系我们。

  • APD410C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博

    Thorlabs Inc的APD410C是一款光学探测器,波长范围为900至1700 nm,带宽为DC至10 MHz,响应度/光敏度为18 A/W.有关APD410C的更多详细信息,请联系我们。

  • APD430A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博

    Thorlabs Inc的APD430A是一款光学探测器,波长范围为400至1000 nm,带宽为DC至400 MHz,响应度/光敏度为53 A/W.有关APD430A的更多详细信息,请联系我们。

  • APD430A2 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博

    Thorlabs Inc的APD430A2是一款光学探测器,波长范围为200至1000 nm,带宽为DC至400 MHz,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD430A2的更多详细信息,请联系我们。

  • APD430C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博

    Thorlabs Inc的APD430C是一款光学探测器,波长范围为900至1700 nm,带宽为DC至400 MHz,响应度/光敏度为18 A/W.有关APD430C的更多详细信息,请联系我们。

  • FPD-IG-175 光电探测器
    以色列
    分类:光电探测器
    厂商:MKS | Ophir
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 900 to 1700 nm 上升时间: 0.175 nS 暗电流: 2 nA

    MKS|Ophir的FPD-IG-175是一款光学探测器,波长范围为900至1700 nm,上升时间为0.175 ns,暗电流为2 nA,带宽为2 GHz,响应度/光敏度为1.1 A/W.FPD-IG-175的更多详情见下文。

  • FPD-IG-25 光电探测器
    以色列
    分类:光电探测器
    厂商:MKS | Ophir
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 900 to 1700 nm 上升时间: 0.025 nS 暗电流: 3 nA

    MKS|Ophir的FPD-IG-25是一款光学探测器,波长范围为900至1700 nm,上升时间为0.025 ns,暗电流为3 nA,带宽为15 GHz,响应度/光敏度为0.95 A/W.FPD-IG-25的更多详情见下文。

  • FPD-UV-3000 光电探测器
    以色列
    分类:光电探测器
    厂商:MKS | Ophir
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 193 to 1100 nm 上升时间: 3 nS 暗电流: 10 nA

    MKS|Ophir的FPD-UV-3000是一款光学探测器,波长范围为193至1100 nm,上升时间为3 ns,暗电流为10 nA,带宽为118 MHz,响应度/光敏度为0.58 A/W.FPD-UV-3000的更多详情见下文。

  • FPD-VIS-300 光电探测器
    以色列
    分类:光电探测器
    厂商:MKS | Ophir
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 0.3 nS 暗电流: 0.1 nA

    MKS|Ophir的FPD-VIS-300是一款光学探测器,波长范围为320至1100 nm,上升时间0.3 ns,暗电流0.1 nA,带宽1.2 GHz,响应度/光敏度0.5 A/W.FPD-VIS-300的更多详情见下文。

  • FPS-1 光电探测器
    以色列
    分类:光电探测器
    厂商:MKS | Ophir
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 193 to 1100 nm 上升时间: 1.5 nS 暗电流: 0.3 to 1 nA

    MKS|Ophir的FPS-1是一款光学探测器,波长范围为193至1100 nm,上升时间为1.5 ns,暗电流为0.3至1 nA,带宽为233 MHz,响应度/光敏度为0.45 A/W.

  • P13243-045CF 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    工作模式: Photovoltaic 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.7 pF 响应度/光敏度: 3.7 mA/W

    Hamamatsu Photonics的P13243-045CF是一款InAsSb光电二极管,工作波长为4450 nm.光电二极管的灵敏度为3.7mA/W,光谱响应半峰全宽(FWHM)为350nm,探测率为8.2×108cm·Hz1/2/W,光敏面积为0.7×0.7mm,视场为90°,带通滤波器为4.45μm.上升时间为15 ns,噪声等效功率为8.5 X 10-11 W/Hz1/2,分流电阻为300 kΩ。P13243-045F采用陶瓷封装,非常适合火焰监测应用。

  • P13243-045MF 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    工作模式: Photovoltaic 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.7 pF 响应度/光敏度: 3.7 mA/W

    Hamamatsu Photonics的P13243-045MF是一款InAsSb光电二极管,工作波长为4450 nm.光电二极管的灵敏度为3.7mA/W,光谱响应半峰全宽(FWHM)为350nm,探测率为8.2×108cm·Hz1/2/W,光敏面积为0.7×0.7mm,带通滤波器为4.45μm,视场为82°。它的上升时间为15 ns,噪声等效功率为8.5 X 10-11 W/Hz1/2,分流电阻为300 kΩ。P13243-045MF采用TO-46封装,非常适合火焰监测应用。

  • P13894-011CN 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 9.7 to 11 µm 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.6 pF

    Hamamatsu Photonics的P13894-011CN是一款光谱范围高达11μm的InAsSb红外光电二极管。光敏二极管的光敏面积为1×1mm,灵敏度为2mA/W,探测率为7.0×107cm·Hz1/2/W,最大上升时间为10ns,最大噪声等效功率为2.5×10-9W/Hz1/2。其分流电阻为2K&Ω,终端电容为0.6pF.该光电二极管采用紧凑型表面贴装陶瓷封装,非常适合辐射温度计和气体检测(CH4、CO2、Co、NH3、O3等)应用。

  • MTPD1346D-200 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-200是一款光电二极管,波长范围为600至1750 nm,带宽为7 MHz,电容为1260 PF,暗电流为160 uA,响应度/光敏度为0.57 A/W.MTPD1346D-200的更多详情见下文。

  • MTPD1346D-300 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-300是一款光电二极管,波长范围为600至1750 nm,带宽为4.3 MHz,电容为2090 PF,暗电流为265 uA,响应度/光敏度为0.50 A/W.MTPD1346D-300的更多详情见下文。

  • MTSM1346SMF2-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pF

    Marktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管,工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF,击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装,尺寸为5 X 5 mm,是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件。“阿特拉斯”是一种密封缝焊陶瓷封装,比目前的标准通孔类型具有更高的可靠性。

  • APA1101040000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1101040000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为12至14 GHz,电容为110至150 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101040000的更多详情见下文。

  • APA1101120000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1101120000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为12至14 GHz,电容为110至150 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101120000的更多详情见下文。

  • APA1201010000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201010000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201010000的更多详情见下文。

  • APA1201040000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201040000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201040000的更多详情见下文。