• PGAx1S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx1S09H脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx3S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx3S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • Quantas-Q2-1053:高能量紧凑型纳秒DPSS激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1053nm 平均值功率: 0.7W 重复频率: 0 - 0.01 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%

    Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

  • Quantas-Q2-1064:高能量紧凑型纳秒DPSS激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1064nm 平均值功率: 1W 重复频率: 0 - 0.02 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%

    Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

  • Quantas-Q2-211:高能量紧凑型纳秒DPSS激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 211nm 平均值功率: 0.035W 重复频率: 0 - 0.01 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%

    Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

  • Quantas-Q2-263:高能量紧凑型纳秒DPSS激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 263nm 平均值功率: 0.110W 重复频率: 0 - 0.01 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%

    Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

  • Quantas-Q2-266:高能量紧凑型纳秒DPSS激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 266nm 平均值功率: 0.140W 重复频率: 0 - 0.02 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%

    Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

  • Quantas-Q2-351:高能量紧凑型纳秒DPSS激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 351nm 平均值功率: 0.200W 重复频率: 0 - 0.01 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%

    Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

  • SB1-1064-15-15: 1064nm微芯片激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1064nm 平均值功率: 0.225W 重复频率: 0.001 - 15 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 1.3ns

    我们Microchip系列的SB1-1064-15-15是一款短纳秒脉冲、15uJ、低SWAP、超紧凑、10 kHz–15 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser推出了全新的、完全重新设计的一体化SB1型号,进一步推动了其独特的微芯片激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计,Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个高度集成且坚固耐用的激光封装中。在保持同样出色的激光输出性能的同时,SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置,范围从236.5nm到1064nm,提供高达80µJ的脉冲能量,脉冲持续时间从几ns到350ps,工厂设置的重复率从单次到100kHz,并且能够产生窄线宽的单频操作,M^2<1.3,脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换,在不同波长之间共享相同的外形尺寸和电气及软件接口,使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。

  • SB1-1064-2-55: 1064纳米芯片激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1064nm 平均值功率: 0.110W 重复频率: 0.001 - 55 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 0.47ns

    我们Microchip系列的SB1-1064-2-55是一款短纳秒脉冲、2UJ、低SWAP、超紧凑、55 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser通过全新重新设计的一体化SB1型号进一步推动了其独特的Microchip激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计,Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个单元中,高度集成且坚固耐用的激光器封装。同时保持同样出色的激光输出性能。SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置,范围从236.5nm到1064nm,提供高达80µJ的脉冲能量,脉冲持续时间从几ns到350ps,工厂设置的重复率从单次到100kHz,并且能够产生窄线宽的单频操作,M^2<1.3,脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换,在不同波长上共享相同的外形尺寸以及电气和软件接口,使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。

  • SB1-1064-20-10: 1064纳米芯片激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1064nm 平均值功率: 0.200W 重复频率: 1 - 10 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 1.3ns

    我们Microchip系列的SB1-1064-20-10是一款短纳秒脉冲、20uJ、低SWAP、超紧凑、10 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser通过全新重新设计的一体化SB1型号进一步推动了其独特的Microchip激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计,Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个单元中,高度集成且坚固耐用的激光器封装。在保持同样出色的激光输出性能的同时,SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置,范围从236.5nm到1064nm,提供高达80µJ的脉冲能量,脉冲持续时间从几ns到350ps,工厂设置的重复率从单次到100kHz,并且能够产生窄线宽的单频操作,M^2<1.3,脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换,在不同波长之间共享相同的外形尺寸和电气及软件接口,使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。

  • SB1-1064-30-5: 1064纳米芯片激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1064nm 平均值功率: 0.150W 重复频率: 0.001 - 5 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 1.3ns

    我们Microchip系列的SB1-1064-30-5是一款短纳秒脉冲、30uJ、低SWAP、超紧凑、5 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser通过全新重新设计的一体化SB1型号进一步推动了其独特的Microchip激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计,Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备整合到一个高度集成且坚固耐用的激光封装中。在保持同样出色的激光输出性能的同时,SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置,范围从236.5nm到1064nm,提供高达80µJ的脉冲能量,脉冲持续时间从几ns到350ps,工厂设置的重复率从单次到100kHz,并且能够产生窄线宽的单频操作,M^2<1.3,脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换,在不同波长之间共享相同的外形尺寸和电气及软件接口,使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。

  • SB1-1064-40-1: 1064纳米芯片激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1064nm 平均值功率: 0.6W 重复频率: 0.001 - 1 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 1.3ns

    我们Microchip系列的SB1-1064-40-1是一款短纳秒脉冲、40uJ、低SWAP、超紧凑、1 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser推出了全新的、完全重新设计的一体化SB1型号,进一步推动了其独特的微芯片激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计,Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个单元中,高度集成且坚固耐用的激光器封装。同时保持同样出色的激光输出性能。SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置,范围从236.5nm到1064nm,提供高达80µJ的脉冲能量,脉冲持续时间从几ns到350ps,工厂设置的重复率从单次到100kHz,并且能够产生窄线宽的单频操作,M^2<1.3,脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换,在不同波长之间共享相同的外形尺寸和电气及软件接口,使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。

  • SB1-266-0.5-10: 266纳米微芯片激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 266nm 平均值功率: 0.001W 重复频率: 1 - 10 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 1.3ns

    我们Microchip系列的SB1-266-0.5-10是一款短纳秒脉冲、500nJ、低SWAP、超紧凑、1kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser推出了全新的、完全重新设计的一体化SB1型号,进一步推动了其独特的微芯片激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计,Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个单元中,高度集成且坚固耐用的激光器封装。同时保持同样出色的激光输出性能。SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置,范围从236.5nm到1064nm,提供高达80µJ的脉冲能量,脉冲持续时间从几ns到350ps,工厂设置的重复率从单次到100kHz,并且能够产生窄线宽的单频操作,M^2<1.3,脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换,在不同波长之间共享相同的外形尺寸和电气及软件接口,使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。

  • SB1-473-3-5: 473纳米微芯片激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 473nm 平均值功率: 0.015W 重复频率: 1 - 5 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 2.5ns

    SB1-473-3-5微芯片激光器是一种短纳秒脉冲、3uJ、低SWAP、超紧凑、5 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser推出了全新的、完全重新设计的一体化SB1型号,进一步推动了其独特的微芯片激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计,Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个高度集成且坚固耐用的激光封装中。同时保持同样出色的激光输出性能。SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置,范围从236.5nm到1064nm,提供高达80µJ的脉冲能量,脉冲持续时间从几ns到350ps,工厂设置的重复率从单次到100kHz,并且能够产生窄线宽的单频操作,M^2<1.5,脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换,在不同波长之间共享相同的外形尺寸和电气及软件接口,使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。