CSH-300185系列大型CO2激光切割机。

骏河精机的大型工作台KXS系列线性电动平移台非常适合需要良好精度和相对较大行程范围的应用。这些电动平移台在激光光学、光谱学、显微镜和计量应用中特别受欢迎。无论您是在研发或工业环境中工作，还是为您的运动控制应用寻找OEM解决方案，骏河精机都能为您的应用提供合适的解决方案。我们的产品在日本制造，并经过严格的质量控制，以满足客户的需求。

1964年，贝尔实验室首次演示了掺杂三价钕的钇铝石榴石作为激光增益介质的操作[1]。今天，Nd：YAG已经在固体激光材料中取得了主导地位，成为世界范围内使用较广泛的激光介质，应用于医疗、工业、军事和科学市场。Nd：YAG激光器通常发射1064nm的红外光，但也使用940、1120、1320和1440nm附近的其他跃迁[2]。在SM，我们专注于高纯度低损耗稀土掺杂YAG激光材料的生长和制造。SM的研究带来了许多发现，使激光材料表现出更高的效率、更大的输出功率、更高的抗损性、更低的热透镜效应、更高亮度和更高TEM00输出。我们为您的大批量生产或小批量开发工作提供激光棒、平板、光盘、无源Q开关和YAG光学器件的定制制造。

LAT（激光分析望远镜）是一种功能强大的测量仪器，能够直接测量激光束或其他光源。LAT将分析并显示入射激光束的角度方向，分辨率低至1微弧度，精度为1毫度（~20微弧度）。内置的后过滤器滑块允许控制撞击探测器区域的激光水平。此外，特殊版本将允许检查十字形准直目标的角度测量。所提供的软件可清晰地显示结果。

Er：YAG是一种性能优良的2.94μm激光晶体，广泛应用于激光医疗等领域。Er：YAG晶体是产生3nm激光的较主要材料，并且具有斜率高、可在室温下工作的激光、激光波长在人眼安全波段范围内等优点。2.94mm Er：YAG激光已广泛应用于医学领域的外科手术、皮肤美容、牙科治疗等。

掺杂到绝缘激光晶体中的Ho：YAgHo3+离子具有14个流形间激光通道，工作在从CW到锁模的时间模式中。Ho：YAG通常被用作从5I7-5I8跃迁产生2.1μm激光发射的有效手段，用于诸如激光遥感、医疗手术和泵浦中红外OPO以实现3-5微米发射的应用。直接二极管泵浦系统和TM：光纤激光器泵浦系统已经表现出高斜率效率，一些接近理论极限。

Nd：YAG晶体棒用于激光打标机和其他激光设备。它是先进能在常温下连续工作的固体物质，是性能较优异的激光晶体。另外，YAG（钇铝石榴石）激光器可以掺杂铬和钕以增强激光器的吸收特性。它吸收能量并通过偶极-偶极相互作用将能量传递给钕离子（Nd3+），该激光器发射波长为1064nm。1964年，贝尔实验室首次演示了Nd：YAG激光器的激光作用。Nd，Cr：YAG激光器由太阳辐射泵浦。通过掺杂铬，增强了激光的能量吸收能力，并发射出超短脉冲。

Product 2004是一款恒流输出电源，针对驱动激光二极管进行了优化，并提供三种额定电流。输出可以是单个二极管或多达六个串联二极管的二极管串/条。（对于大于6的字符串，请联系工厂以获得建议）。独特的“自动感应”输出电路可自动补偿用于维持恒定电流输出的二极管数量。此外，输出电流缓慢地从10欧姆的低内阻传输到二极管负载。这种缓慢的转变大约需要三秒钟才能达到较大输出，并可防止对激光二极管的热冲击。关断遵循类似的技术，在较终关断之前，将负载电流从二极管串转移到内部电阻。包括瞬态抑制。远程调制输入可用于在限定范围内快速改变设置的直流二极管电流。该宽带宽信道可用于“过程控制”。

FIDL-1000M-1020X是用MOCVD半导体激光器制作的1020nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1020X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1064X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用INSOT-148外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，TO-3窗口外壳集成了TEC、热敏电阻和监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-1070X是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1070X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用11.4mm外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-804X是804nm AlGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-804X光源是连续多模式注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-808D-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的808nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-1000M-808D-TO3光源是一种连续多模注入半导体激光二极管。采用TO-3外壳，内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管，以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统中。

FIDL-1000M-808X是808nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-808X光源是一种连续多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-830X是用MOCVD半导体激光器制作的830nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-830X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，配有监控光电二极管以稳定功率输出。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-850X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-860X光源是一种CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-895D是用MOCVD半导体激光器制作的895nm InGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-895D光源是一种CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-900X是900nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-900X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-905X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的905nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-905X-TO3光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用TO-3外壳，内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管，以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。