• 可焊接的光电二极管芯片系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 不同型号有4.7mm2到189.0mm2 峰值波长: 不同型号有370nm到8500nm 响应度: 不同型号有A/W单位 并联电阻: 不同型号有(MΩ)单位 暗电流: 不同型号有(nA)单位

    这是一系列可焊接的光电二极管芯片,提供了一种低成本的解决方案,适用于需要大活动区域的光检测器,无论是否带有飞线以便组装,或在检测器被视为“一次性使用”的情况下。这些检测器具有低电容、适度的暗电流、宽动态范围和高开路电压。

  • FCI-InGaAs-36C 光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    感光区直径: 36µm 芯片尺寸: 450 x 250µm x µm 响应度(1310nm): 0.8 - 0.85A/W 响应度(1550nm): 0.75 - 0.8A/W 电容: VR=5V --- 0.16 - 0.2pF

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-36C是一款OC-192 (SONET/SDH)兼容的光电探测器,适用于高速光通信和光网络。具有低暗电流和良好的性能稳定性。该器件的阳极和阴极接触点都出现在芯片的顶面,非常适合在10Gbps的高速光数据传输应用中使用,能够响应从910nm到1650nm的光谱范围。

  • FCI-InGaAs-XXX-WCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40 to +85 °C 工作温度: 0 to +70 °C 焊接温度: --- to +260 °C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

    FCI-InGaAs-XXX-WCER高速InGaAs光电二极管,安装在环绕式陶瓷基板上。这些紧凑的组件设计用于便于集成。芯片可以用环氧树脂或共晶安装在陶瓷基板上。适用于高速光通信和激光二极管监控,具有900nm到1700nm的宽光谱响应范围。

  • FCI-InGaAs-XXX-CCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40-+85°C 工作温度: 0-+70°C 焊接温度: ----+260°C 活动区域直径: 75-500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80-0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管安装在带玻璃窗的空腔陶瓷封装上。这些设备具有玻璃窗,可以直接将光纤环氧树脂安装上去。芯片可以环氧树脂或者熔融焊接安装在陶瓷基板上。这些设备可以提供定制的抗反射涂层窗口。FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管适用于高速光通信和激光二极管监控,具有高响应度和900nm至1700nm的宽光谱范围。

  • 1948RxM 超低功耗14xx/15xx nm泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    目标波长: 1420-1510nm 中心波长偏差: -0.5nm +0.5nm 操作泵浦功率: 300mW-500mW 最小操作泵浦功率: 50mW 带内功率: 80%

    1948RxM Ultra-Low Power Consumption 14xx/15xx nm泵浦模块,专为拉曼放大设计,采用内部芯片技术,提供卓越的性能、功耗和可靠性。

  • 1999PLU 980纳米未冷却泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 85 mA 标称工作功率: 100-300 mW 无折点功率: 1.1 x Pnom mW 正向电流: 225-600 mA 正向电压: 1.75-2.1 V

    1999PLU是一款新一代980纳米未冷却泵浦模块,采用内部芯片技术,专为紧凑型和功率效率要求高的应用设计,通过Telcordia GR-468-CORE认证,符合RoHS标准。具备高达300mW的工作功率,适用于EDFA、多泵浦架构和传感器等应用。

  • 1999PLU Mini-DIL无冷却泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    工作温度范围: 0至75°C 无折射功率: >275mW 封装类型: mini-DIL 波长锁定: Fiber Bragg Grating (FBG) 静态放电防护: 5kV

    3SP Technologies的1999PLU Mini-DIL无冷却泵浦模块专为需要紧凑尺寸和低功耗的应用而设计,采用mini-DIL封装,内置新开发的用于宽温范围(0至75°C)无冷却操作的激光芯片,芯片完全符合Telcordia建议。可提供超过275mW的无折射功率。波长通过位于单模偏振保持光纤(PMF)尾纤中的光纤布拉格光栅(FBG)来锁定。

  • 1999UMM 980nm非制冷泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 100 mA 标称工作功率: 50-250 mW 正向电流: 300-500 mA 正向电压: 1.9 V 峰值波长容差: ±0.5 nm

    1999UMM是最新一代980纳米非制冷泵浦模块,采用公司内部芯片技术,专为需要紧凑性和功率效率的应用而设计。该模块采用超紧凑的3针微型封装,提供高达250毫瓦的工作功率。适用于高比特率相干收发器和掺铒光纤放大器。

  • 1999UMM系列 980nm 3-pin无冷却泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    工作温度范围: 0-80°C 波长锁定技术: 光纤布拉格光栅(FBG) 芯片合格标准: 超过Telcordia推荐 电静态放电阈值: 2000V 最大外壳温度: 80°C

    3SP Technologies的1999UMM系列980nm 3-pin无冷却泵浦模块专为尺寸超紧凑和低功耗的应用而设计。该产品具有3-pin“披萨盒”尺寸优化封装,内置专为无冷却操作而开发的激光芯片,可在0至80°C的宽温度范围内运行,芯片完全符合Telcordia推荐标准。波长通过模块封装内的光纤布拉格光栅(FBG)锁定在单模光纤(SMF)尾纤上。

  • 1999CMB 980nm冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 50mA 标称工作功率: 200-500mW 无折点功率: 1.1 x Pnom mW 正向电流: 580-870mA 正向电压: 1.9V

    1999CMB是一款新一代980nm地面泵浦模块,采用内部芯片技术,确保了卓越的性能和可靠性。该模块集成了热电制冷器(TEC)、精密NTC热敏电阻和背面监测光电二极管,供高达500mW的输出功率和高波长稳定性,适用于EDFA、光纤激光器等应用。

  • 1999CMB 605mW FBG稳定的980纳米冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 50 mA 标称工作功率: 150-550 mW 无故障功率: 290-620 mW 正向电流: 680-870 mA 正向电压: 1.9 V

    1999CMB是一款新一代980纳米波长的陆上泵浦模块,采用内部芯片技术,通过完全合格认证,确保了卓越的性能和可靠性。适用于高输出功率低噪声的掺铒光纤放大器和密集波分复用系统。

  • 1999CHB 750mW泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 70mA 标称工作功率: 540-680mW 无折点功率: 1.1 x Pnom 正向电流: 1100-1150mA (Pnom=680mW) 正向电压: 1.9V @ 680mW

    1999CHB是一款新一代980纳米波长的陆地泵浦模块,具有低功耗、不会产生折点且具有PM光纤尾纤的特点。模块在宽温度范围内运行,采用内部芯片技术,确保了卓越的性能和可靠性。1999CHB 750mW泵浦激光模块专为高波长和功率稳定性的EDFA和CATV应用设计,具有低功耗和扩展的工作温度范围。

  • 1999CVB 1050mW 泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 100mA 标称工作功率: 700-950mW 无折点功率: 1.1 x Pnom mW 正向电流: -1520mA 正向电压@950mW: 2V

    1999CVB是一款新一代980nm陆地泵浦模块,采用公司内部芯片技术,充分经过验证,确保了卓越的性能和可靠性。该模块在低功耗的同时,提供高波长和功率稳定性。

  • 1999CMX 高性能980纳米泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 50mA 标称工作功率: 150-550mW 无故障功率: 290-620mW 正向电流: 640-870mA 正向电压: 1.9V

    1999CMX是一款新一代980纳米波长的陆地泵浦模块,采用公司内部芯片技术,全面质量认证,确保了卓越的性能和可靠性。该模块具有小型封装,密封良好,并集成了热电制冷器、精密NTC热敏电阻和背面监测光电二极管。1999CMX是3SP Technologies推出的高性能980纳米泵浦模块,适用于高输出功率低噪声的掺铒光纤放大器和密集波分复用掺铒光纤放大器。

  • 1999CHX 980nm冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 80mA 标称工作功率: 550-680mW 无折点功率: 1.1 x Pnom 正向电流: 1000-1150mA 正向电压: 1.9V

    1999CHX是一款新一代980nm陆地泵浦模块,采用公司自主芯片技术,全面合格认证,确保了卓越的性能和可靠性。这款小型化、密封的激光模块,最高可提供680mW的操作功率,适用于高输出功率低噪声EDFAs、密集波分复用EDFAs和CATV。

  • 1999SHB 980nm高功率泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 80mA 标称工作功率: 350-540mW 无折点功率: 1.1 x Pnom 正向电流: 880-1010mA 前向电压@600mW: 1.9V

    1999SHB是一款新一代的980纳米波长的陆地泵浦模块,采用公司自有芯片技术提供卓越的性能和可靠性。该模块具有低功耗、高波长和功率稳定性,满足Telcordia GR-468 CORE标准,适用于高功率低噪声掺铒光纤放大器、密集波分复用和CATV系统。

  • 1999SHX 980nm泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 80mA 标称工作功率: 360-540mW 无折点功率: 1.1 x Pnom 正向电流: 740-1010mA 正向电压@540mW: 1.9V

    1999SHX是一款新一代980nm地面泵浦模块,采用公司内部芯片技术,全面合格认证,确保了卓越的性能和可靠性。该模块设计用于低功耗下高波长和功率稳定性的性能。1999SHX具有高输出功率和低噪声,适用于掺铒光纤放大器和密集波分复用。

  • EM339 制冷型多模激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    输出功率: 3W 波长: 808nm 数值孔径: 0.22 工作电压: 2.3V 工作电流: 4.5A

    EM4公司的EM339是一款高亮度、光纤耦合、制冷型多模激光器。这款高功率激光器器件被密封在行业标准的14针蝶形金属陶瓷封装中,包含用于芯片温度控制的Peltier制冷器和用于温度监测的热敏电阻。适用于光纤激光器、激光泵浦、标记、材料加工和国防等应用场景。

  • SIDEKICK™ 多功能量子级联激光器控制器 半导体激光器驱动器
    美国
    厂商:Leonardo DRS
    操作模式: Pulsed, CW, CW-Mode-Hop-Free 兼容性: 31xxx/41xxx可调谐和固定波长激光头 调谐模式: 设定波长,单双向扫描,步进测量,开始/停止扫描 外部接口: USB 2.0, Ethernet 10/100 控制接口: GUI和SDK命令集(包含)

    SideKick是一款多功能量子级联激光器控制器,具有行业领先的噪声性能。它是基于TLC/FLC控制电子的下一代设计,支持Daylight广泛的外腔量子级联激光器(ECqcL™)系统,提供灵活、高精度和高稳定性的激光输出功率、波长、温度、扫描速度控制,同时通过Daylight的高保真量子级联驱动(HFQD™)电路保护增益芯片。

  • DFB-CWDM-TO 分布反馈(DFB)激光器模块 半导体激光器
    美国
    厂商:Optilab
    阈值电流: 8 mA typ., 15 mA max. 工作电流: 70 mA max. 模拟带宽: 2.5 GHz typ. @ 30 mA 监视光电二极管电流: 50 uA min., 2 mA max. 监视光电二极管暗电流: 10 nA max.

    DFB-CWDM-TO是一款适用于CWDM模拟通信、CATV回程路径、实验室仪器和研发应用的CWDM TO Can DFB-LD模块。这款高稳定性的DFB激光器芯片成本效益高,可选择的波长范围为1290nm至1650nm,内置InGaAsP监视光电二极管、内置光隔离器、4针TO Can和平窗发射类型。