• SAP500-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon

    Laser Components的SAP500系列基于“穿透”结构,具有出色的量子效率、极低的噪声和体暗电流以及高增益。该APD的有效面积为D=500µm,既可用于增益高达250或更高的正常线性模式,也可用于“盖革”模式。盖革模式APD可以被偏置在击穿电压之上,以允许检测单个光子。SAP500系列可用于各种要求苛刻的应用,包括激光雷达、光谱学、小信号荧光检测和光子计数。APD密封在改进的TO-46封装中,或者作为选项,它可以与TO-37封装中的一级TEC或TO-8封装中的二级TEC一起提供。

  • SUR500X 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 260 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.4 pF

    Laser Components的SUR500X是一款雪崩光电二极管(APD),可在260 nm至1000 nm的商用波长范围内提供无与伦比的噪声和灵敏度性能。它基于硅“穿透”结构,在DUV/UV波长范围内具有高灵敏度。有源区的直径为0.5mm.该APD在10μA的暗电流下具有200V的击穿电压。SUR500X采用特殊的密封TO-46封装,针对紫外线波长范围进行了优化。它是荧光测量、分析设备、医疗、闪烁和高速光度测量应用的理想解决方案。

  • SM05PD3A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博
    波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 140 pF 暗电流: 20 to 100 nA 响应度/光敏度: 0.60 A/W

    来自Thorlabs的SM05PD3A是一款贴装式硅光电二极管,工作波长范围为320至1100 nm.它是测量脉冲和连续光纤光源的理想选择。光电二极管安装在方便的SM05(Ø0.535-40)外螺纹管中,响应度为0.60 A/W.

  • Lms49PD-05 光电二极管
    俄罗斯
    分类:光电二极管
    模块: No 工作模式: Photovoltaic, Photoconductive 暗电流: 17 mA 响应度/光敏度: 1 A/W

    LED MicroSensor NT的LMS49PD-05系列是一款光电二极管,可为中红外应用提供快速响应速度。它的敏感区域为0.5 mm,最大灵敏度范围为3.55-4.50μm.该光电二极管的暗电流为17 mA,光敏度为1 A/W,截止波长(10%水平)为4.9~5.0μm.它提供TO-18和TO-5两种封装,具有内置热冷却器、热电阻和前置放大器等多种选择。

  • LA PD120AP1 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Light Avenue
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 560 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 730 pF

    来自Light Avenue的LA PD120AP1是波长范围为560 nm、带宽为390至800 nm、电容为730 PF、暗电流反向暗电流为2至5 nA、上升时间为100 ns的光电二极管。有关LA PD120AP1的更多详细信息,请联系我们。

  • LA PD120BP1 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Light Avenue
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 30 to 90 pF

    来自Light Avenue的LA PD120BP1是波长范围为940 nm、带宽为350至1100 nm、电容为30至90 PF、暗电流为2至5 nA、上升时间为40 ns的光电二极管。有关LA PD120BP1的更多详细信息,请联系我们。

  • LA PD120HP1 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Light Avenue
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 25 to 70 pF

    来自Light Avenue的LA PD120HP1是波长范围为940nm、带宽为430至1100nm、电容为25至70pF、暗电流为2至5nA、上升时间为100ns的光电二极管。有关LA PD120HP1的更多详细信息,请联系我们。

  • LA PD26HP1 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Light Avenue
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.3 pF

    来自Light Avenue的LA PD26HP1是波长范围为900 nm、带宽为430至1100 nm、电容为1.3 PF、反向暗电流为0.1至3 nA、上升时间为4 ns的光电二极管。有关LA PD26HP1的更多详细信息,请联系我们。

  • LA PD28AP1 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Light Avenue
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 560 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 28 pF

    来自Light Avenue的LA PD28AP1是波长范围为560 nm、带宽为390至800 nm、电容为28 PF、反向暗电流为0.1至2 nA、上升时间为100 ns的光电二极管。有关LA PD28AP1的更多详细信息,请联系我们。

  • LA PD60HP1 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Light Avenue
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 to 18 pF

    来自Light Avenue的LA PD60HP1是波长范围为950nm、带宽为590至1070nm、电容为6至18pF、暗电流为3至5nA、上升时间为625ns的光电二极管。有关LA PD60HP1的更多详细信息,请联系我们。

  • GAP5000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 850 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 750 to 2500 pF 暗电流: 5 to 10 µA 响应度/光敏度: 0.10 to 0.95 A/W

    GPD Optoelectronics的GAP5000是一款光电二极管,波长范围为850至1550 nm,带宽为4 MHz,电容为750至2500 PF,暗电流为5至10µA,响应度/光敏度为0.10至0.95 A/W.有关GAP5000的更多详细信息,请联系我们。

  • IAV200 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV200是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.5至2 GHz,电容为1.8至2.2 PF,暗电流为8至25 nA,响应度/光敏度为0.85至1.05 A/W.有关IAV200的更多详细信息,请联系我们。

  • IAV202 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV202是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.5至2 GHz,电容为1.8至2.2 PF,暗电流为8至25 nA,响应度/光敏度为0.85至1.05 A/W.有关IAV202的更多详细信息,请联系我们。

  • IAV203 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV203是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.5至2 GHz,电容为1.8至2.2 PF,暗电流为8至25 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV203的更多详细信息,请联系我们。

  • IAV204 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV204是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.5至2 GHz,电容为1.8至2.2 PF,暗电流为8至25 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV204的更多详情见下文。

  • IAV205 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV205是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.5至2 GHz,电容为1.8至2.2 PF,暗电流为8至25 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV205的更多详情见下文。

  • IAV350 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 25 nA

    GPD Optoelectronics的IAV350是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.6 GHz,电容为3.2至4 PF,暗电流为30至25 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV350的更多详细信息,请联系我们。

  • IAV352 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 250 nA

    GPD Optoelectronics的IAV352是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.6 GHz,电容为3.2至4 PF,暗电流为30至250 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.

  • IAV353 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 250 nA

    GPD Optoelectronics的IAV353是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为0.6 GHz,电容为3.2至4 PF,暗电流为30至250 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.

  • IAV80 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nA

    GPD Optoelectronics的IAV80是一款光电二极管,波长范围为1至1.63µm,带宽为1至3 GHz,电容为0.35至0.45 PF,暗电流为4至15 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV80的更多详细信息,请联系我们。