SCW 1397-CWDM*R激光二极管系列是1300nm高速单模边缘发射多量子

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

HÜBNER Photonics的C波是一种可调谐激光光源，工作波长为450至650 nm.使用1.5 W泵浦激光器时，输出功率超过80 MW；使用5 W泵浦激光器时，输出功率超过200 MW.这种完全由计算机控制的光源基于光学参量振荡（OPO），允许在不改变染料或光学元件的情况下从蓝色调谐到红色和近红外。C-Wave是一种固态系统，没有染料等耗材。波长可以简单地在计算机上设置，并且它可以自动调谐。它是原子物理、量子光学、纳米光子学和全息术应用的理想选择。

Roithner Lasertechnik的QL78M6SA是一款工作波长为770至790 nm的AlGaAs红外激光二极管。它的输出功率为90 MW，LD反向电压为2 V，PD反向电压为30 V.该单横模激光二极管具有量子阱结构，可在高达60摄氏度的温度下工作。它采用5.6 mm TO-CAN封装，是工业应用的理想辐射源。

Roithner Lasertechnik的QL83H6SA是一款具有量子阱结构的单模AlGaAs红外激光二极管，工作波长为830 nm.它的光输出功率为20mW，斜率效率为0.6W/A.该激光二极管具有9°的平行光束发散角和30°的垂直光束发散角。它需要1.9 V的工作电压和45 mA的电流。该器件采用集成PD的5.6 mm TO-CAN封装，是许多工业应用的理想选择。

Roithner Lasertechnik GmbH生产的QL94J6SA是一款输出波长为940 nm的AlGaAs红外激光二极管。它提供高达50 MW的光输出功率，并在高达60°C的宽工作温度范围内产生单模发射。激光二极管的光束发散度为6-12度（平行）、23-33度（垂直），光束角为±3°（平行和垂直）。它需要高达2.5 V的电源电压，功耗低于90 mA.这种单横模激光器是利用MOCVD（金属有机化学气相沉积）技术设计的，具有量子阱结构。它采用TO18封装，带有一个平面窗口，适合工业应用。

Roithner Lasertechnik的SHD4850MG是一款InAlGaN青色激光二极管，工作波长为488 nm.该激光器的输出功率为50mW，斜率效率为0.8W/A，阈值电流为40mA，采用多量子阱结构，工作在TE横模。它需要6 V直流电源，功耗为105 mA.这款激光二极管采用TO-CAN封装，尺寸为Ø5.6 mm，带平面窗口，非常适合激光投影、全息摄影、计量和生物医学应用。

Laserscom公司的LDS-1550-DFB-2.5G-15/50是一种多量子阱激光二极管，工作波长为1550 nm.输出光功率50mW（脉冲）&15mW（连续），光谱宽度0.08nm，斜率效率0.16W/A，上升/下降时间80ps，跟踪误差0.15dB.它的电容为10 PF，暗电流小于100 nA，阈值电流为8 mA.该激光二极管具有DFB腔、内置监控光电二极管，并提供高达2.5 Gbps的数据速率。它使用LDS技术来提高光功率的热稳定性。LDS-1550-DFB-2.5G-15/50需要1.4 V的直流电源，消耗100 mA的电流。该激光二极管采用同轴、带支架的同轴或14针DIL封装，并具有带FC/APC、SC/APC、FC/UPC和SC/UPC连接器选项的SM/PM光纤选项。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统和激光系统应用。

Laserscom的LDS-1570-DFB-2.5G-15/45是一款与光纤耦合的多量子阱激光二极管，工作波长为1570 nm，斜率效率为0.16 W/A.在SM光纤G.657.A1中，它在CW模式下的光输出功率高达15 MW，在脉冲模式下高达45 MW.该激光二极管需要大约1.4V的工作电压，并且具有大约8mA的阈值电流。它采用同轴电缆、带支架的同轴电缆或14针DIL，包括密封外壳中的监视器PD，是数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统的理想选择。

Laserscom的LDS-1590-DFB-2.5G-15/45是一款InGaAsP多量子阱激光二极管，工作波长为1587至1593 nm.激光二极管提供高达15 MW（CW）和45 MW（峰值脉冲）的光输出功率。它具有边模抑制比大于40dB的DFB腔，并且具有低于500kHz的谱线宽度。激光二极管基于LDS技术，可提供增强的光功率热稳定性，跟踪误差为0.15 dB.它需要1.7 V的直流电源，电流消耗高达120 mA.激光二极管集成了光电二极管，并采用带光纤连接器的同轴封装。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信。该激光二极管可从制造商处订购特定配置。

Quantum Semiconductor International的QL63D4S-A/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的635 nm波段InGaAlP激光二极管。它为光学水平仪和模块等光电器件提供5mW的输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置用于监控激光二极管的光电二极管。

来自QSI的QL94J6SA/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的940nm波段InGaAs激光二极管。它为工业光学模块和传感器应用提供50 MW的光输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置光电二极管，用于监控激光二极管。

Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。

HARPIA-TG是一个瞬时光栅光谱仪，用于测量载流子扩散和寿命。测量是基于激光诱导的瞬态光栅（LITG）技术。这种方法可以通过全光手段同时观察非平衡载流子的重组和扩散。 HARPIA-TG允许对非导电或非荧光的样品进行表征。它适用于半导体材料和衍生物，如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、包晶石、有机和无机太阳能电池、量子点，甚至复杂的纳米结构，如量子井。 与CARBIDE或带有集成光学参数放大器（I-OPA）的PHAROS激光器相配合，这个紧凑的系统通过先进的测量和分析软件实现了完全自动化和计算机控制。因此，用户只需要把样品放在支架上并开始测量，就可以在几分钟内获得扩散系数。

pco.panda 4.2是一款超紧凑设计的sCMOS相机，具有高量子效率和专为光片显微镜设计的扫描模式。

pco.panda 4.2 bi是一款超紧凑型背照式sCMOS相机，适用于低光模式和光片扫描模式，具有高达95%的量子效率。