• TEMT1000 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT1000是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.下面可以看到TEMT1000的更多详细信息。

  • TEMT1020 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT1020是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.下面可以看到TEMT1020的更多详细信息。

  • TEMT1030 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT1030是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.下面可以看到TEMT1030的更多详细信息。

  • TEMT1040 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT1040是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.下面可以看到TEMT1040的更多详细信息。

  • VEMT3700F 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的VEMT3700F是一款硅NPN光电晶体管,光谱带宽为870至1050 nm.它具有与870至950 nm红外发射器匹配的日光阻挡滤光片,并且具有±60度的半灵敏度角度。该光电晶体管的最小集电极-发射极(C-E)击穿电压为70 V,C-E暗电流高达200 nA,C-E电容为3 PF.上升/下降时间为2-6μs,截止频率为180 kHz.这款光电晶体管采用表面贴装微型PLCC-2封装,尺寸为3.5 X 2.8 X 1.75 mm,非常适合光断续器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器应用。

  • MTD6000PT-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    来自Marktech Optoelectronics的MTD6000PT-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关MTD6000PT-T的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD8000N4-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8000N4-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗150 MW.有关MTD8000N4-T的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD8600N-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600N-T是一款峰值灵敏度波长为880 nm的光电晶体管。它的光谱范围为400-1100nm,开关时间(上升/下降)为10μs.该晶体管的集电极-发射极电流为3 mA,C-E饱和电压为0.2 V,集电极暗电流高达100 nA.该器件采用TO-18金属罐封装,尺寸为Ø5.4 mm,是光学开关、光学传感器、边缘检测和烟雾探测器应用的理想选择。

  • MTD8600N4-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600N4-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗250 MW.有关MTD8600N4-T的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD8600T-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600T-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗250 MW.有关MTD8600T-T的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD8600T4-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600T4-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗250 MW.有关MTD8600T4-T的更多详细信息,请联系我们。

  • RPM-22PB 光电晶体管
    日本
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount Type 光电晶体管型: Phototransistors 集电极发射极电压(击穿): 32 V 集电极暗电流: 0.5 µA

    Rohm Semiconductor的RPM-22PB是一种光电晶体管,其峰值灵敏度波长为800 nm.它的光电流为0.48-1.94 mA,暗电流高达0.5μA,集电极-发射极饱和电压高达0.4 V.该光电晶体管具有Ø1.5透镜,半角为±32度,响应时间为10μs.它采用尺寸为4.7 X 4.6 X 2.5 mm的封装,非常适合传感器应用的光学控制设备和接收器。

  • OP300SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP300SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.8 mA.有关OP300SL的更多详情,请联系我们。

  • OP301SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP301SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.8至2.4 mA.有关OP301SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP302SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP302SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为1.8至5.4 mA.有关OP302SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP303SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP303SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为3.6至12.0 mA.有关OP303SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP304SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP304SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为7.0至21.0 mA.有关OP304SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP305SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP305SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为14 mA.有关OP305SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP505A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP505A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流4.3 mA.有关OP505A的更多详细信息,请联系我们。

  • OP505B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP505B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.15至5.95 mA.有关OP505B的更多详细信息,请联系我们。