• 808LD-6-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 808 nm 技术: Multimode multi emitter

    在200/220/250µm多模激光二极管(NA=0.22)中,高功率激光二极管在808 nm处发射高达220 W的功率。裸光纤输出。与选项6和选项7兼容。

  • 808LD-7-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 808 nm 技术: Multimode multi emitter

    在200/220/250µm多模激光二极管(NA=0.22)中,高功率激光二极管在808 nm处发射高达220 W的功率。裸光纤输出。与选项6和选项7兼容。

  • 1053LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1053 nm 技术: Butterfly single mode

    1053nm蝶形激光二极管。高达120 MW CW.带FC/APC光纤连接器的HI1060光纤输出。兼容选项1:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在10和20°C之间时,达到1053 nm波长(所有航空二极管驱动器包括高效激光二极管芯片温度控制器)。

  • 1053LD-2-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1053 nm 技术: Butterfly single mode

    1053nm蝶形激光二极管。高达300 MW CW.带FC/APC光纤连接器的HI1060光纤输出。与选项1bis:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)兼容。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在10和20°C之间时,达到1053 nm波长(所有航空二极管驱动器包括高效激光二极管芯片温度控制器)。

  • 785LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 785 nm 技术: Butterfly single mode

    785nm蝶形激光二极管。高达150 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。兼容选项1:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在30和35°C之间时,达到785nm波长(所有航空二极管驱动器包括高效激光二极管芯片温度控制器)。

  • LDD-14pin-2A 半导体激光器驱动器
    德国
    厂商:Innolume
    输出电流: 0.06-2 A

    用于驱动/控制激光二极管、SLD和SOA的紧凑型单元: •独立外壳组合: ♢设备电流驱动器(2A) ♢器件TEC驱动器(3A) ♢14针蝶形器件底座 ♢控制电路和固件 无需激光控制器和/或TEC电缆 外部调制功能、USB接口和控制应用 卓越的便利性和工学设计

  • 790LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 790 nm 技术: Butterfly single mode 输出功率(脉冲): 400 mW

    790nm蝶形激光二极管。高达250 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。与选项1兼容:PM光纤、选项2(窄发射@792nm,带FBG-TM3+泵浦的理想选择)和选项3(3mm准直器)。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准法布里-珀罗激光二极管。当激光二极管芯片稳定在30和40°C之间时,可达到792 nm TM3+泵浦波长(所有航空二极管可选驱动器都具有高效的激光二极管芯片温度调节)。

  • 830LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 830 nm 技术: Butterfly single mode 输出功率(脉冲): 400 mW 输出功率: 200 mW

    单独的830nm蝶形激光二极管。高达200 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。兼容选项1:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在15至35°C之间的给定温度时,可达到830 nm波长(所有航空二极管驱动器均包括高效激光二极管芯片温度控制器)。

  • 830LD-2-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 830 nm 技术: Butterfly MULTIMODE with VBG 输出功率(脉冲): 600 mW 输出功率: 600 mW

    单独的830nm蝶形激光二极管。窄线宽发射高达600 MW CW,830±1 nm多模105/125µm光纤输出,具有900µm缓冲涂层和FC/PC光纤连接器。与上述选项-3(3 mm准直器)兼容-见上文。采用特殊的体布拉格光栅(VBG)实现了非常稳定的窄发射线宽。蝶形1型封装。

  • 830LD-3-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 830 nm 技术: Multimode single emitter 输出功率(脉冲): 2000 mW

    105(核心)/125/250/900µm多模激光二极管(NA=0.22)在830 nm处发射高达2 W的高功率激光二极管。FC/PC光纤连接器输出(可按需提供SMA)。与选项6兼容:高功率准直器(见下文)。

  • 830LD-4-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 830 nm 技术: Multimode multiemitter 输出功率(脉冲): 20000 mW

    105(核心)/125/250/900µm多模激光二极管(NA=0.22)在830 nm处发射高达20 W的高功率激光二极管。SMA光纤连接器输出(FC/PC按需提供)。与选项6兼容:高功率准直器(见下文)。

  • EP1512-DM-B 半导体激光器
    爱尔兰
    厂商:Eblana Photonics
    波长: 1500-1530 nm 波长公差: -1-1 nm 斜率效率: 0.1-0.15 mW/mA 输出功率: 7-10 mW 热敏电阻: 9.5-10.5 kW

    Eblana Photonics在设计时考虑到了氨气传感EP1512-DM-B激光二极管非常适合集成到用于NH3的TDLAS系统中。Eblana的离散模式(DM)技术是提供经济高效的解决方案,具有无跳模可调性和出色的SMSR。

  • LDS-655-FP-1.5 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    波长: 655 nm 封装类型: Compact coaxial; Coaxial with bracket; 14 pins DIL 偏振消光比: 17 dB 芯片技术: F-P 应用行业: Biomedicine; Laser systems

    LDS - 655 - FP - 1.5是一款光纤耦合的激光二极管(三种封装形式可选)。

  • EP1278-DM-B 半导体激光器
    爱尔兰
    厂商:Eblana Photonics
    波长: 1260-1288 nm 储存温度: -40-85 Degree C 正向电压: null-2 V 斜率效率: 0.15 mW/mA 输出功率: 5-12 mW

    Eblana Photonics EP1278 - DM - B激光二极管是专门为检测氟化氢而设计的,波长范围为1260 ~ 1288nm。Eblana的离散模式( Discrete Mode,DM )技术具有无跳模的可调性和出色的SMSR,具有成本效益。

  • FCI-InGaAs-XXX-WCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40 to +85 °C 工作温度: 0 to +70 °C 焊接温度: --- to +260 °C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

    FCI-InGaAs-XXX-WCER高速InGaAs光电二极管,安装在环绕式陶瓷基板上。这些紧凑的组件设计用于便于集成。芯片可以用环氧树脂或共晶安装在陶瓷基板上。适用于高速光通信和激光二极管监控,具有900nm到1700nm的宽光谱响应范围。

  • FCI-InGaAs-XXX-LCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40°C - +85°C 工作温度: 0°C - +70°C 焊接温度: --- - +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-LCER是OSI Optoelectronics提供的高速InGaAs光电二极管,适用于高速光通信和激光二极管监测。FCI-InGaAs-XXX-LCER高速InGaAs光电二极管,安装在带引线的陶瓷封装上。

  • FCI-InGaAs-XXX-CCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40-+85°C 工作温度: 0-+70°C 焊接温度: ----+260°C 活动区域直径: 75-500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80-0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管安装在带玻璃窗的空腔陶瓷封装上。这些设备具有玻璃窗,可以直接将光纤环氧树脂安装上去。芯片可以环氧树脂或者熔融焊接安装在陶瓷基板上。这些设备可以提供定制的抗反射涂层窗口。FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管适用于高速光通信和激光二极管监控,具有高响应度和900nm至1700nm的宽光谱范围。

  • AA0701 高带宽分布反馈激光器(DFB) 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 15-35°C 中心波长: 1310nm模型: ±5nm, C波段模型: ±1nm 输出功率: 1310nm模型: 18mW, C波段模型: 10mW 线宽: 1MHz 相对强度噪声: -150dBc/Hz

    AA0701是一款由InGaAsP/InP多量子阱激光二极管组成的分布反馈激光器(DFB),内含热电制冷器、热敏电阻、背面监视探测器以及偏置T。EM4公司的AA0701高带宽DFB激光器适用于需要高带宽、模式稳定性、低相对强度噪声和稳定输出功率的模拟射频链接和高速脉冲应用。

  • AA1401系列高功率DFB激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-40°C 输出功率: 请参阅订购信息 中心频率: 请参阅订购信息 线宽: 1MHz 相对强度噪声: -150dBc/Hz

    EM4的AA1401系列高功率DFB激光器提供稳定的偏振维持性能,适用于需要低相对强度噪声(RIN)和稳定偏振维持属性的长途波分复用传输和射频链接等应用。高功率分布反馈激光器(DFB)是一种InGaAs/InP多量子阱(MQW)激光二极管。

  • AA1418系列高功率分布反馈激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-35°C 输出功率: 40mW 中心频率: 见订购信息 线宽: 2-5MHz 相对强度噪声: -140dBc/Hz

    EM4的AA1418系列高功率分布反馈激光器是一个连续波InGaAs/InP多量子阱(MQW)激光二极管。适用于长距离波分复用传输、射频链接等应用,具有低相对强度噪声和高效TEC。