近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

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基于InAs/GaAs量子点的半导体激光器独特的波长范围专有镜面涂层技术实现高可靠性CW或脉冲（低至2ns脉冲宽度）操作高度可靠的Au/Sn技术可选：集成监视器光电二极管

基于InAs/GaAs量子点的半导体激光器独特的波长范围专有镜面涂层技术实现高可靠性CW或脉冲（低至2ns脉冲宽度）操作高度可靠的Au/Sn技术可选：集成监视器光电二极管

基于InAs/GaAs量子点异质结构的半导体激光器 输出功率高达300mW 可用波长范围11751280nm 专有镜面涂层技术实现高可靠性 高度可靠的Au/Sn技术

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

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近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

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QSI RS 0.4型号相机采用40万像素柯达全画幅CCD图像传感器和微透镜技术。QSI RS 0.4具有高量子效率、宽动态范围、双读取速率和内部5位或8位彩色滤光轮，非常适合各种要求苛刻的科学、医疗、天文和工业成像应用。QSI RS系列的紧凑设计使RS 0.4在高性能、全功能科学CCD相机的成本和尺寸方面树立了新的标杆。QSI RS 0.4具有可选功能和可升级性，可根据您当前和未来的需求进行定制。RS 0.4相机系统由行业领先的图像采集软件支持，并提供完整的相机控制API，可用于创建自定义Windows或Linux应用程序。

QUANTAS-Q2-355是来自Quantum Light Instruments的高能量Q开关355nm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。该风冷Q开关系列激光器设计用于需要高峰值功率脉冲的广泛应用。由于短激光腔和Nd：YAG晶体的出色热性能，QUANTAS-Q2-355可提供20mJ@8Hz的脉冲能量。RMS抖动<0.5 ns的高速触发脉冲（相对于泵浦二极管触发脉冲的下降沿）。内部和外部触发使该激光器成为各种高速应用的理想选择。Quantas-Q2-355激光器通过内置以太网端口进行控制，并可选择添加Wi-Fi适配器，允许用户远程监控和控制激光器。其他选项包括用于基波波长的可连接衰减器、可连接脉冲能量监测器等。

QUANTAS-Q2-527是来自Quantum Light Instruments的高能量调Q 527nm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。该风冷、调Q系列激光器设计用于需要高峰值功率脉冲的广泛应用。由于Nd：YAG晶体的短激光腔和出色的热性能，QUANTAS-Q2-527可提供40mJ@8Hz的脉冲能量。RMS抖动<0.5 ns的高速触发脉冲（相对于泵浦二极管触发脉冲的下降沿）。内部和外部触发使该激光器成为各种高速应用的理想选择。Quantas-Q2-527激光器通过内置以太网端口进行控制，并可选择添加Wi-Fi适配器，允许用户远程监控和控制激光器。其他选项包括用于基波波长的可连接衰减器、可连接脉冲能量监测器等。

QUANTAS-Q2-532是Quantum Light Instruments推出的一款高能量调Q 532nm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。该风冷、调Q系列激光器设计用于需要高峰值功率脉冲的广泛应用。由于激光腔较短且Nd：YAG晶体具有出色的热性能，QUANTAS-Q2-532可提供40mJ@8Hz的脉冲能量。RMS抖动<0.5 ns的高速触发脉冲（相对于泵浦二极管触发脉冲的下降沿）。内部和外部触发使该激光器成为各种高速应用的理想选择。Quantas-Q2-532激光器通过内置以太网端口进行控制，并可选择添加Wi-Fi适配器，允许用户远程监控和控制激光器。其他选项包括用于基波波长的可连接衰减器、可连接脉冲能量监测器等。

SCW 1397-CWDM*R激光二极管系列是1300nm高速单模边缘发射多量子

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

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