• MTAPD-07-011 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-011是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-011的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-012 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-012是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-012的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-013 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-013是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-013的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-014 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-014是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-014的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-015 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-015是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-015的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-016 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-016是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-016的更多详细信息,请联系我们。

  • MTPD1346D-010 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 10 pF 暗电流: 1 uA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-010是波长范围为1300 nm、电容为10 PF、暗电流为1 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-010的更多详细信息,请联系我们。

  • MTPD1346D-030 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 15 pF 暗电流: 1 uA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-030是波长范围为1300 nm、电容为15 PF、暗电流为1 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-030的更多详细信息,请联系我们。

  • MTPD1346D-080 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 45 pF 暗电流: 2 uA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-080是波长范围为1300 nm、电容为45 PF、暗电流为2 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-080的更多详细信息,请联系我们。

  • MTPD1346D-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 60 pF 暗电流: 2 uA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-100是波长范围为1300 nm、电容为60 PF、暗电流为2 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-100的更多详细信息,请联系我们。

  • MTPD1346D-150 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 200 pF 暗电流: 2 uA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-150是波长范围为1300 nm、电容为200 PF、暗电流为2 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-150的更多详细信息,请联系我们。

  • MTPD1346D-200 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-200是一款光电二极管,波长范围为600至1750 nm,带宽为7 MHz,电容为1260 PF,暗电流为160 uA,响应度/光敏度为0.57 A/W.MTPD1346D-200的更多详情见下文。

  • MTPD1346D-300 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-300是一款光电二极管,波长范围为600至1750 nm,带宽为4.3 MHz,电容为2090 PF,暗电流为265 uA,响应度/光敏度为0.50 A/W.MTPD1346D-300的更多详情见下文。

  • MTPD1500D-2.5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 暗电流: 15 to 40 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1500D-2.5是一款光电二极管,波长范围为440 nm,电容为1000 PF,暗电流为15至40 pA,响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD1500D-2.5的更多详细信息见下文。

  • MTPD3650D-1.4 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 365 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 250 pF 暗电流: 5 to 30 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD3650D-1.4是一款光电二极管,波长范围为365 nm,电容为250 PF,暗电流为5至30 pA,响应度/光敏度为0.07 A/W.MTPD3650D-1.4的更多详情见下文。

  • MTPD4400D-1.4 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 300 pF 暗电流: 10 to 30 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD4400D-1.4是一款光电二极管,波长范围为440 nm,电容为300 PF,暗电流为10至30 pA,响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD4400D-1.4的更多详情见下文。

  • BMPDT080-1 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    工作模式: Photoconductive 波长范围: 1270 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 20 pF 暗电流: 1 nA

    II-VI Incorporated的BMPDT080-1是一款光电二极管,波长范围为1270至1620 nm,电容为20 PF,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为1 A/W.有关BMPDT080-1的更多详细信息,请联系我们。

  • SAH-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon

    Laser Components的SAH系列是低成本的通用硅APD,波长范围为400至1000 nm.它们的峰值灵敏度为800 nm,有效区域直径为230µm和500µm.针对850 nm和905 nm测距仪优化了响应度。这些APD采用微型SMD封装,是测距和光通信系统的理想选择。

  • SAH1L12-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 暗电流: 4 to 10 nA

    Laser Components的SAH1L12系列是低噪声、高灵敏度、12元件线性硅雪崩光电二极管阵列,工作波长为800至900 nm.它们可以提供高达60 MW的功耗。APD具有较低的温度系数,元件之间的间隙仅为40µm.这些器件采用带保护窗的14引脚DIL封装,非常适合测距、激光扫描仪和激光雷达ACC应用。

  • SAH1L16-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon

    来自Laser Components的SAH1L16系列是线性Si-APD阵列,具有16个元件,采用带保护窗的LCC44封装。响应度优化为850 nm.它们具有低噪声、高速度和高量子效率的特点。这些阵列每个元件的有效面积为620µm X 190µm,可在-40至85℃的宽温度范围内工作。它们是测距、激光雷达ACC和激光扫描仪应用的理想选择。