• MTD5010N 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 15 pF 暗电流: 5 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTD5010N是一款光电二极管,波长范围为850 nm,电容为8至15 PF,暗电流为5 nA,响应度/光敏度为0.20至0.55 A/W.MTD5010N的更多详情见下文。

  • MTD5010W 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 15 pF 暗电流: 5 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTD5010W是一款光电二极管,波长范围为850 nm,电容为8至15 PF,暗电流为5 nA,响应度/光敏度为0.20至0.55 A/W.MTD5010W的更多详情见下文。

  • APA1101040000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1101040000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为12至14 GHz,电容为110至150 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101040000的更多详情见下文。

  • APA1101120000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1101120000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为12至14 GHz,电容为110至150 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101120000的更多详情见下文。

  • APA1201010000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201010000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201010000的更多详情见下文。

  • APA1201040000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201040000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201040000的更多详情见下文。

  • APA1201120000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201120000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.有关APA1201120000的更多详细信息,请联系我们。

  • SAH-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon

    Laser Components的SAH系列是低成本的通用硅APD,波长范围为400至1000 nm.它们的峰值灵敏度为800 nm,有效区域直径为230µm和500µm.针对850 nm和905 nm测距仪优化了响应度。这些APD采用微型SMD封装,是测距和光通信系统的理想选择。

  • SAH1L16-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon

    来自Laser Components的SAH1L16系列是线性Si-APD阵列,具有16个元件,采用带保护窗的LCC44封装。响应度优化为850 nm.它们具有低噪声、高速度和高量子效率的特点。这些阵列每个元件的有效面积为620µm X 190µm,可在-40至85℃的宽温度范围内工作。它们是测距、激光雷达ACC和激光扫描仪应用的理想选择。

  • NXIR-5C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 1 to 3 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/W

    Opto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外(NIR)增强型光电二极管,圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度,在850 nm时为0.62 A/W,在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流,在10伏时具有5皮法(PF)的低电容,以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件(SMD)封装。坚固的封装具有AR涂层窗口,可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准,并以卷带和卷盘形式提供。

  • NXIR-RF100C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: Yes 波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 0.75 nA

    Opto Diode Corporation的NXIR-RF100C是一款表面贴装光电二极管,工作波长为320至1100 nm.它的感光面积为1×1mm,灵敏度为0.62A/W(λ=850nm),0.35A/W(λ=1064nm)。光电二极管是激光监测、雨水和阳光传感器应用的理想选择。

  • GAP5000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 850 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 750 to 2500 pF 暗电流: 5 to 10 µA 响应度/光敏度: 0.10 to 0.95 A/W

    GPD Optoelectronics的GAP5000是一款光电二极管,波长范围为850至1550 nm,带宽为4 MHz,电容为750至2500 PF,暗电流为5至10µA,响应度/光敏度为0.10至0.95 A/W.有关GAP5000的更多详细信息,请联系我们。

  • MS9740B 光谱分析仪
    日本
    分类:光谱分析仪
    厂商:安立公司
    波长范围: 600 to 1750 nm 波长精度: ±20 to ±300 ppm 光纤模式: Multi Mode 动态范围: 42 to 70 dB 扫描时间: 0.2 to 1.65 s

    MS9740B是一款光谱分析仪,工作波长范围为600 nm至1750 nm,可准确验证和改进5G和云通信系统中设计的100G/400G光模块的上市时间。台式OSA具有超过70dB的宽动态范围,测量处理时间小于0.35S(扫描30nm波长)。它具有低至–90 dBm的光学灵敏度,并且可以在45 dB或更高的情况下进行精确的边模抑制比(SMSR)测量。光谱分析仪专为高通量生产环境而设计。它支持多模光纤输入,是制造和评估850-nm波段VCSEL模块的理想选择。MS9740B支持九种应用测量模式,包括LD模块、DFB-LD、FP-LD、LED、PMD、WDM、光放大器(NF和增益)和WDM滤波器。

  • FSLD-835-01-FC 超辐射发光二极管
    光纤模式: Single Mode 类型: Fiber-Coupled SLED

    Frankfurt Laser公司的FSLD-835-01-FC是超辐射发光二极管,其波长为820至850nm,输出功率为1至1.25mW,带宽(FWHM)为45至50nm(光谱宽度),正向电压为2至2.6V,正向电流为150至220mA.有关FSLD-835-01-FC的更多详细信息,请联系我们。

  • FSLD-835-04 超辐射发光二极管
    类型: Free Space SLED

    法兰克福激光公司(Frankfurt Laser Company)的FSLD-835-04是超辐射发光二极管,波长为820至850nm,输出功率为4至6mW,带宽(FWHM)为45至50nm(光谱宽度),正向电压为2至2.6V,正向电流为150至220mA.有关FSLD-835-04的更多详细信息,请联系我们。

  • FSLD-840-01-FC 超辐射发光二极管
    光纤模式: Single Mode 类型: Fiber-Coupled SLED

    Frankfurt Laser公司的FSLD-840-01-FC是超辐射发光二极管,其波长为830至850nm,输出功率为0.8至1mW,带宽(FWHM)为55至60nm(光谱宽度),正向电压为2.8V,正向电流为170至200mA.有关FSLD-840-01-FC的更多详细信息,请联系我们。

  • FSLD-840-02-FC 超辐射发光二极管
    光纤模式: Single Mode 类型: Fiber-Coupled SLED

    Frankfurt Laser公司的FSLD-840-02-FC是超辐射发光二极管,其波长为830至850nm,输出功率为1.5至2mW,带宽(FWHM)为45至50nm(光谱宽度),正向电压为2.8V,正向电流为180至220mA.有关FSLD-840-02-FC的更多详细信息,请联系我们。

  • FSLD-840-025 超辐射发光二极管
    类型: Free Space SLED

    Frankfurt Laser公司的FSLD-840-025是超辐射发光二极管,其波长为830至850nm,输出功率为2至2.5mW,带宽(FWHM)为55至60nm(光谱宽度),正向电压为2.8V,正向电流为170至200mA.有关FSLD-840-025的更多详细信息,请联系我们。

  • FSLD-840-04-FC 超辐射发光二极管
    光纤模式: Single Mode 类型: Fiber-Coupled SLED

    Frankfurt Laser公司的FSLD-840-04-FC是超辐射发光二极管,波长830~850nm,输出功率3~4mW,带宽(FWHM)40~45nm(谱宽),正向电压2.8V,正向电流200~240mA.有关FSLD-840-04-FC的更多详细信息,请联系我们。

  • FSLD-840-04 超辐射发光二极管
    类型: Free Space SLED

    Frankfurt Laser公司的FSLD-840-04是超辐射发光二极管,波长830~850nm,输出功率3~4mW,带宽(FWHM)45~50nm(谱宽),正向电压2.8V,正向电流180~220mA.有关FSLD-840-04的更多详细信息,请联系我们。