• VEMD2023X01 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD2023X01是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为1.3至4 PF,暗电流为1至10 nA,上升时间为100 ns.有关VEMD2023X01的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD2500X01 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD2500X01是一款光电二极管,波长范围为900 nm,电容为1.3至4 PF,暗电流为1至10 nA,上升时间为100 ns.有关VEMD2500X01的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD2503X01 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD2503x01是一款光电二极管,波长范围为900 nm,电容为1.3至4 PF,暗电流为1至10 nA,上升时间为100 ns.有关VEMD2503x01的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD2520X01 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD2520x01是一款光电二极管,波长范围为900 nm,电容为1.3至4 PF,暗电流为1至10 nA,上升时间为100 ns.有关VEMD2520X01的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD2523SLX01 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD2523SLX01是一款光电二极管,波长范围为900 nm,电容为1.3至4 PF,暗电流为1至10 nA,上升时间为100 ns.有关VEMD2523SLX01的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD2523X01 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD2523X01是一款光电二极管,波长范围为900 nm,电容为1.3至4 PF,暗电流为1至10 nA,上升时间为100 ns.有关VEMD2523X01的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD5010X01 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD5010X01是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为25至70 PF,暗电流为2至30 nA,上升时间为100 ns.有关VEMD5010X01的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD5060X01 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 820 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 80 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD5060X01是一款光电二极管,波长范围为820 nm,电容为35至80 PF,暗电流为0.2至10 nA,上升时间为30 ns.有关VEMD5060X01的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD5080X01 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 350 to 1110 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 80 pF

    VEMD5080x0是一款高速、高灵敏度的PIN光电二极管,对350至1100 nm的可见光具有增强的灵敏度。它是一种薄型表面贴装器件(SMD),包括具有7.5 mm2敏感区域的芯片,可检测可见光和近红外辐射。光电二极管尺寸为5 X 4 X 0.9 mm,非常适合高速光电探测器应用。

  • VEMD5110X01 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD5110X01是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为25至70 PF,暗电流为2至30 nA,上升时间为100 ns.有关VEMD5110X01的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD5160X01 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 840 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 80 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD5160X01是一款光电二极管,波长范围为840 nm,电容为35至80 PF,暗电流为0.2至10 nA,上升时间为30 ns.有关VEMD5160X01的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD5510C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 80 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD5510C是一款光电二极管,波长范围为550 nm,电容为30至80 PF,暗电流为0.2至10 nA,上升时间为70 ns.有关VEMD5510C的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD5510CF 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 540 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 80 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD5510CF是一款光电二极管,波长范围为540 nm,电容为30至80 PF,暗电流为0.2至10 nA,上升时间为70 ns.有关VEMD5510CF的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD6010X01 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3.6 to 12 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD6010x01是一款光电二极管,波长范围900 nm,电容3.6至12 PF,暗电流1至3 nA,上升时间100 ns.有关VEMD6010x01的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD6060X01 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 820 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4.8 to 11 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD6060X01是一款光电二极管,波长范围为820 nm,电容为4.8至11 PF,暗电流为0.03至5 nA,上升时间为60 ns.有关VEMD6060x01的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD6110X01 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3.6 to 12 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD6110X01是一款光电二极管,波长范围为950 nm,电容为3.6至12 PF,暗电流为1至3 nA,上升时间为100 ns.有关VEMD6110x01的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD6160X01 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 840 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4.6 to 11 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD6160X01是一款光电二极管,波长范围为840 nm,电容为4.6至11 PF,暗电流为0.03至5 nA,上升时间为60 ns.有关VEMD6160x01的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD8080 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 42 pF 暗电流: 0.2 nA

    Vishay Intertechnology的VEMD8080是一款硅PIN光电二极管,峰值波长为850 nm.它是一种薄型表面贴装器件(SMD),包括具有4.5 mm2敏感区域的芯片,可检测可见光和近红外辐射。它的正向电压为1.2V,反向暗电流为0.2nA,光谱带宽为350~1100nm.这款光电二极管采用表面贴装封装,尺寸为4.8 X 2.5 X 0.48 mm,非常适合高速光电探测器、可穿戴应用等。

  • P13243-045CF 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    工作模式: Photovoltaic 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.7 pF 响应度/光敏度: 3.7 mA/W

    Hamamatsu Photonics的P13243-045CF是一款InAsSb光电二极管,工作波长为4450 nm.光电二极管的灵敏度为3.7mA/W,光谱响应半峰全宽(FWHM)为350nm,探测率为8.2×108cm·Hz1/2/W,光敏面积为0.7×0.7mm,视场为90°,带通滤波器为4.45μm.上升时间为15 ns,噪声等效功率为8.5 X 10-11 W/Hz1/2,分流电阻为300 kΩ。P13243-045F采用陶瓷封装,非常适合火焰监测应用。

  • P13243-045MF 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    工作模式: Photovoltaic 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.7 pF 响应度/光敏度: 3.7 mA/W

    Hamamatsu Photonics的P13243-045MF是一款InAsSb光电二极管,工作波长为4450 nm.光电二极管的灵敏度为3.7mA/W,光谱响应半峰全宽(FWHM)为350nm,探测率为8.2×108cm·Hz1/2/W,光敏面积为0.7×0.7mm,带通滤波器为4.45μm,视场为82°。它的上升时间为15 ns,噪声等效功率为8.5 X 10-11 W/Hz1/2,分流电阻为300 kΩ。P13243-045MF采用TO-46封装,非常适合火焰监测应用。