光敏度【参数，厂家，图片，选型】-光电查

DL-4

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 60 pF 暗电流: 50 to 1000 nA

OSI Laser Diode，Inc.的DL-4是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为35至60 PF，暗电流为50至1000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.08µs.下面可以看到DL-4的更多详细信息。

DLS-10

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 160 to 200 pF 暗电流: 50 to 400 nA

OSI Laser Diode，Inc.的DLS-10是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为160至200 PF，暗电流为50至400 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.2µs.有关DLS-10的更多详细信息，请联系我们。

DLS-2

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 40 pF 暗电流: 10 to 300 nA

OSI Laser Diode，Inc.的DLS-2是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为8至40 PF，暗电流为10至300 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.08µs.有关DLS-2的更多详细信息，请联系我们。

DLS-20

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 580 to 725 pF 暗电流: 100 to 1000 nA

OSI Laser Diode，Inc.的DLS-20是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为580至725 PF，暗电流为100至1000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为1µs.有关DLS-20的更多详细信息，请联系我们。

DLS-2S

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 375 pF 暗电流: 10 to 5000 nA

OSI Laser Diode，Inc.的DLS-2S是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为8至375 PF，暗电流为10至5000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.2µs.有关DLS-2S的更多详细信息，请联系我们。

DLS-4

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 1500 pF 暗电流: 25 to 12000 nA

OSI Laser Diode，Inc.的DLS-4是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为30至1500 PF，暗电流为25至12000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为1µs.有关DLS-4的更多详细信息，请联系我们。

FCI-125G-006HRL

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 0.65 to 0.66 pF 暗电流: 20 to 500 pA

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-006HRL是波长范围为850nm、电容为0.65至0.66pF、暗电流为20至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为35至38ps的光电二极管。有关FCI-125G-006HRL的更多详细信息，请联系我们。

FCI-125G-010HRL

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 0.94 to 0.96 pF 暗电流: 25 to 500 pA

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-010HRL是波长范围为850nm、电容为0.94至0.96pF、暗电流为25至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为47至50ps的光电二极管。有关FCI-125G-010HRL的更多详细信息，请联系我们。

FCI-125G-012HRL

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.13 to 1.16 pF 暗电流: 30 to 500 pA

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-012HRL是波长范围为850nm、电容为1.13至1.16pF、暗电流为30至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为60至69ps的光电二极管。有关FCI-125G-012HRL的更多详细信息，请联系我们。

FCI-125G-016HRL

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.70 to 1.73 pF 暗电流: 40 to 500 pA

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-016HRL是波长范围为850nm、电容为1.70至1.73pF、暗电流为40至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为84至100ps的光电二极管。有关FCI-125G-016HRL的更多详细信息，请联系我们。

FCI-GaAs-12M

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: GaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-GaAs-12M是波长范围为850 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.63 A/W的光电二极管。

FCI-GaAs-4M

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: GaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA

OSI Laser Diode，Inc.的FCI-GaAs-4M是一款光电二极管，波长范围850 nm，带宽2 GHz，电容0.65 PF，暗电流0.03 nA，响应度/光敏度0.63 A/W.

FCI-HR005

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 0.8 pF 暗电流: 0.02 nA 响应度/光敏度: 0.5 A/W

OSI Laser Diode，Inc.的FCI-HR005是一种光电二极管，波长范围为850 nm，电容为0.8 PF，暗电流为0.02 nA，响应度/光敏度为0.5 A/W，上升时间0.75 ns.有关FCI-HR005的更多详细信息，请联系我们。

FCI-HR008

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 0.8 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.5 A/W

OSI Laser Diode，Inc.的FCI-HR008是一种光电二极管，波长范围为850 nm，电容为0.8 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.5 A/W，上升时间0.75 ns.有关FCI-HR008的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-1000

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 80 to 200 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-1000是一种波长范围为900至1700 nm、电容为80至200 PF、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W的光电二极管。

FCI-InGaAs-120-XX-XX

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1 pF 暗电流: 0.05 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-120-XX-XX是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120-XX-XX的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-120

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 2 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-120是波长范围为900至1700 nm、电容为2 PF、暗电流为0.05至2、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.30 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-120ACER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1 pF 暗电流: 0.05 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-120ACER是波长范围为900至1700nm、电容为1pF、暗电流为0.05至2nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间为0.3ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120ACER的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-120C-XX-XX

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1 pF 暗电流: 0.05 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-120C-XX-XX是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120C-XX-XX的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-120CCER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1 pF 暗电流: 0.05 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-120CCER是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05至2 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120CCER的更多详细信息，请联系我们。