• LDS-1310-FP-1.25G-15/80 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Fabry-Perot (FP), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1290 to 1330 nm 输出功率: 15 to 80 mW 工作电压: 1.4 to 1.8 V

    来自Laserscom的LDS-1310-FP-1.25G-15/80是耦合到光纤的1310nm InGaAsP激光二极管。在单模光纤G.657.A1中,它在CW模式下提供高达15 MW的光输出功率,在脉冲模式下提供高达80 MW的光输出功率。这款法布里-珀罗激光二极管提供高达1.25 Gbps的数据速率,并内置监控光电二极管。该激光二极管是激光系统和数据速率高达1.25 Gbps的光纤通信系统的理想选择。

  • LDS-1450-DFB-2.5G-15/45 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1447 to 1453 nm 输出功率: 15 to 45 mW 工作电压: 1.4 to 1.7 V

    来自Laserscom的LDS-1450-DFB-2.5G-15/45是耦合到光纤的1450nm InGaAsP MQW激光二极管。在单模光纤G.657.A1中,它在CW模式下提供高达15 MW的光功率,在脉冲模式下提供高达45 MW的光功率。该激光二极管具有高达2.5Gbps的数据速率和小于500kHz的线宽。该二极管的工作电压为1.4至1.7 V,功耗高达120 mA.该激光二极管采用同轴封装,是光纤通信系统的理想选择。

  • LDS-1550-DFB-2.5G-15/50 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1547 to 1553 nm 输出功率: 15 to 50 mW 工作电压: 1.3 to 1.7 V

    Laserscom公司的LDS-1550-DFB-2.5G-15/50是一种多量子阱激光二极管,工作波长为1550 nm.输出光功率50mW(脉冲)&15mW(连续),光谱宽度0.08nm,斜率效率0.16W/A,上升/下降时间80ps,跟踪误差0.15dB.它的电容为10 PF,暗电流小于100 nA,阈值电流为8 mA.该激光二极管具有DFB腔、内置监控光电二极管,并提供高达2.5 Gbps的数据速率。它使用LDS技术来提高光功率的热稳定性。LDS-1550-DFB-2.5G-15/50需要1.4 V的直流电源,消耗100 mA的电流。该激光二极管采用同轴、带支架的同轴或14针DIL封装,并具有带FC/APC、SC/APC、FC/UPC和SC/UPC连接器选项的SM/PM光纤选项。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统和激光系统应用。

  • LDS-1590-DFB-2.5G-15/45 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1587 to 1593 nm 输出功率: 15 to 45 mW 工作电压: 1.4 to 1.7 V

    Laserscom的LDS-1590-DFB-2.5G-15/45是一款InGaAsP多量子阱激光二极管,工作波长为1587至1593 nm.激光二极管提供高达15 MW(CW)和45 MW(峰值脉冲)的光输出功率。它具有边模抑制比大于40dB的DFB腔,并且具有低于500kHz的谱线宽度。激光二极管基于LDS技术,可提供增强的光功率热稳定性,跟踪误差为0.15 dB.它需要1.7 V的直流电源,电流消耗高达120 mA.激光二极管集成了光电二极管,并采用带光纤连接器的同轴封装。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信。该激光二极管可从制造商处订购特定配置。

  • QL63D4S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 630 to 640 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.2 to 2.7 V

    Quantum Semiconductor International的QL63D4S-A/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的635 nm波段InGaAlP激光二极管。它为光学水平仪和模块等光电器件提供5mW的输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装,内置用于监控激光二极管的光电二极管。

  • QL94J6SA/B/C 半导体激光器
    应用行业: Industrial 技术: Quantum Well 芯片技术: InGaAs 工作模式: CW Laser 波长: 930 to 950 nm

    来自QSI的QL94J6SA/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的940nm波段InGaAs激光二极管。它为工业光学模块和传感器应用提供50 MW的光输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装,内置光电二极管,用于监控激光二极管。

  • AFBR-S20N1N256 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    厂商:Broadcom
    应用: Agricultural Analysis, Food Safety, Chemical Analysis, Quality Control, Petro-Chemical Analysis, Environmental Analysis, Biomedical Applications, Pharmaceutical Analysis, Process Control and Monitoring 测量技术: NIR Spectroscopy 探测器: Uncooled 256-pixel InGaAs Sensor

    Broadcom的AFBR-S20N1N256是一款近红外光谱仪,工作波长范围为950至1700 nm.它有一个未冷却的256像素InGaAs传感器阵列,具有30微米的入口狭缝,可提供具有高杂散光抑制的可靠测量。该光谱仪具有16位ADC,可提供12000:1的动态范围和大于10000的最大SNR.积分时间为4μs至5分钟,并可对波长、灵敏度、非线性和存储在设备中的多个暗光谱进行校准。该光谱仪可通过USB 2.0 Type-C、SPI和UART接口进行控制。AFBR-S20N1N256需要5 V直流电源,功耗为30 mA.它采用坚固紧凑的封装,尺寸为60 X 50 X 19 mm,并具有用于光学接口的SMA连接器。该光谱仪适用于农业分析、食品安全、化学分析、质量控制、石化分析、环境分析、生物医学应用、制药分析、过程控制和监测应用。

  • T-SPECTRALYZER T/R/F 光谱仪
    德国
    分类:光谱仪
    应用: THz-Time-Domain Spectroscopy, Detecting & characterizing materials, Analysing liquids and gases, Investigating moisture distributions, Distinguishing crystalline and amorphous structures, THz-Imaging, Non-destructive testing (NDT) 测量技术: IR Spectroscopy, Transmission, Reflectance 光谱仪类型: Benchtop 谱带: IR

    HÜBNER Photonics的T-Spectralyzer T/R/F是一款太赫兹光谱仪,工作频率为0.1至4 THz.它的动态范围超过70dB(0.5THz),频率分辨率为10GHz,标准测量时间为5秒。光谱仪使用太赫兹波进行操作,这是完全安全的,并且不需要昂贵的安全预防措施。它不需要任何额外的冷却或外部气体供应。光谱仪有一个大的样品盘,尺寸为335 X 240 mm2,可对样品进行非破坏性无接触分析。该光谱仪非常适合光谱成像、透射/反射测量、THz时域光谱(如检测和表征材料)、使用振幅和相位信息、分析粉末和片剂形式的化学品、分析液体和气体、区分晶体和无定形结构、确定聚合物的填充水平和区分各种异构体以及无损检测(NDT)(如识别物质,甚至通过塑料管、管道和其他包装)以及确定多层系统应用的层厚度。光谱仪需要115-230 V的交流电源,功耗小于200 W.

  • U3-3684XLE-C-HQ 科学和工业相机
    数据接口: USB 扫描模式: Progressive Scan 传感器类型: CMOS 透镜支架: C-/CS mount Compatible 传感器制造商: ON Semiconductor

    IDS Imaging Development Systems的U3-3684XLE-C-HQ是一款USB3 5.0 Gbps摄像机,可为工业应用(如表面检测)中的详细图像评估提供高分辨率数据。它使用ON Semiconductors的500万像素CMOS图像传感器,该传感器具有2592(H)X 1944(V)像素的有源像素阵列。相机具有滚动快门传感器功能,支持高达30 FPS的帧速率。由于采用了BSI(背面照明)像素技术,它提供了卓越的低光性能,并且具有低功耗。该传感器在低光照条件和NIR范围内提供低噪声和更好的灵敏度。该相机采用塑料外壳,带有C/CS支架和可调后焦距,或者作为板级版本,带有或不带有C/CS支架或S支架。它的光学尺寸为5.702 X 4.277 mm,非常适合恶劣或不断变化的照明条件、ITS、计量、农业和工业应用。

  • C30619GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为0.5ns,带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V,电容为2-15 PF,暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm,有效面积为0.2 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30641GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为2ns,带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V,电容为9-60 PF,暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm,有效面积为0.8 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30642GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为9ns,带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V,电容为36-400 PF,暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm,有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30645L-080 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs

    Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管,工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V,响应度为9.4 A/W,量子效率为75%,上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA,反向电流为0.4 mA,功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装,尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm,非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

  • C30662L-200 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管,工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V,响应度为9.4 A/W,量子效率为75%,上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA,反向电流为0.4 mA,功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装,尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm,非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。

  • C30665GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为17ns,带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V,电容为77-530 PF,暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • EXACTD-332 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 工作模式: Photoconductive 波长范围: 500 to 1650 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaAs 电容: 13.5 pF

    Excelitas Technologies的ExactD-332是一款光谱范围为500-1650 nm的光电二极管模块。它可以从激光测距仪、目标指示器和主动激光光电(E.O.)系统的直接和间接散射光中探测并提供精确的到达角(AOA)信息。该光电二极管使用组装在夹层结构中的5元件Si和InGaAs检测器阵列,并结合3位数字格雷码掩模,以将入射激光束AOA转换为3位数字图案。它具有0.2-0.7A/W的响应度和60dB的动态范围。该光电二极管的上升时间为5 ns,结面积为0.75 mm2,视场为±45°。它的电容为13.5 PF,击穿电压为25 V.EXACTD-332采用TO-8 CAN封装,非常适合激光报警接收器系统、位置确定系统和方向辅助应用。

  • PDI-3P30-10G-W 光电二极管
    白俄罗斯
    分类:光电二极管
    厂商:LasersCom
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1650 nm RoHS: Yes

    Laserscom的PDI-3P30-10G-W是一款PIN光电二极管模块,工作波长范围为1000至1650 nm.它的光功率为30 MW,响应度为0.70 A/W.光电二极管的工作电压为5 V,暗电流为1 nA.它配有单模光纤,可提供-45 dB的低背反射,是高速光通信系统的理想选择。

  • SLD-1080-30-YY-100 超辐射发光二极管
    德国
    厂商:Innolume
    光纤类型: HI1060, PM980 数值孔径: 0.14, 0.12 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Laser RoHS: Yes

    Innolume的SLD-1080-30-YY-100是一款光纤耦合超辐射发光二极管,工作波长为1080 nm.它提供超过100mW的连续波输出功率,具有0.03dB的低ASE频谱纹波和-3dB时30nm的带宽。该超发光二极管具有0.15ns的上升时间和0.5ns的下降时间。它有一个内部TEC,需要4 V直流电源,功耗为3 A.SLD-1080-30-YY-100采用HI1060和PM980型光纤,数值孔径分别为0.14和0.12,模场直径分别为6.2±0.3µm和6.6±0.3µm,线偏振较强,偏振消光比为20 dB.它们的长度为1.0±0.1m,光纤弯曲半径大于3cm.这些光纤的涂层直径为245±15µm,包层直径为125±1µm.HI1060和PM980光纤的截止波长分别为920±50 nm和900±70 nm.SLD-1080-30-YY-100符合RoHS规范,使用窄键FC/APC连接器。它需要1.7 V的直流电源,功耗为800 mA.这款超发光二极管采用14引脚蝶形封装,尺寸为30 X 39 X 8.1 mm,非常适合光纤传感器、仪器仪表和光谱应用。

  • BFS-VRM 03 HP 半导体激光器驱动器
    德国
    厂商:PicoLAS
    工作模式: Pulsed 输出电流: 0 to 3 A 应用: seed applications, DVD-Disk mastering, printing application

    PicoLas的BFS-VRM 03 HP是一款高速激光二极管驱动器,脉冲工作时输出电流高达3 A,连续波工作时输出电流高达0.5 A.它提供足够的功率来过驱动短持续时间脉冲的单模二极管。该二极管驱动器的脉冲持续时间为1 ns,最小上升时间为1 ns,重复频率高达400 MHz.BFS-VRM 03 HP具有集成的TEC驱动器和数字控制接口。它采用尺寸为65 X 85 X 15 mm的蝶形封装,非常适合种子应用、DVD光盘母版制作和打印应用。

  • USBL-705-35-R-G55B1红色激光器模块 激光器模块和系统
    波长: 705 nm 最大输出功率: 35 mW 运行模式: CW, Modulated

    在考虑购买红色二极管激光模块时,Power Technology Inc.提供多种产品系列可供选择。自1969年以来,我们的红色激光模块已为干涉测量、全息术、机器视觉、共焦荧光显微镜、流式细胞术、DNA测序、计量学、光遗传学、PDT、牙科、指点、激光雷达以及更多应用提供了精密光源。我们的红色激光选择包括高精度模块,具有PID温度控制回路,可调焦距,数字或模拟输出,等等。想要了解更多关于哪些红色激光模块最适合您即将推出的应用或项目?让激光专家来处理繁重的工作。我们的典型红光波长为633nm、635nm、639nm、650nm、655nm、658nm、660nm、670nm、685nm、690nm和705nm.USB-L通过USB接口供电和控制。宽波长范围的模块可用于圆形或椭圆形光束形状配置。通过USB Micro Type B连接,USB-L设计用于现代USB 2.0连接(或更高标准)。使用传统USB 1.0连接的操作员可能会看到绿色、蓝色和紫色激光器的有限输出。所有型号均提供稳定的电源,并提供自定义图形用户界面来控制电源级别和开/关状态。