Ushio Opto Semiconductors的HL63283HD是一款工作波长为637 nm的AlGaInP激光二极管。单发射极输出功率为1.2W连续波/1.5W脉冲。该激光二极管采用9 mm CAN封装，是激光投影仪、显示激光器和光学仪器光源应用的理想选择。

Ushio Opto Semiconductors的HL63392DG是一种AlGaInP激光二极管，在638nm下工作时可提供200mW的输出功率。该激光二极管采用TO-CAN封装，是激光模块、校平器和光学设备光源应用的理想选择。

Ushio Opto Semiconductors的HL63520HD是一款638 nm AlGaInP激光二极管。该激光二极管在-10°C至45°C的工作温度范围内提供了3.5W的脉冲光输出功率（脉冲周期=120 Hz，占空比=30%），在55°C的工作温度上限下实现了2.5W的脉冲光输出功率。即使在CW操作中，红色激光二极管也实现了2.4W的光输出功率，并实现了超过20，000小时的MTTF.它可以在脉冲和CW操作模式下集成到投影仪中。它采用9 mm TO-CAN封装，非常适合激光投影仪和光学设备应用。

Ushio Opto Semiconductors的HL65241DG是一款工作波长为652至665 nm的AlGaInP红色激光二极管。它提供110mW的连续光功率和220mW的脉冲光功率。该单横模激光二极管具有30V的反向电压和60mA的阈值电流。该器件采用5.6 mm的DG封装，非常适合光学设备光源和传感器应用。

Ushio Opto Semiconductors的HL65242DG是一款工作波长为652至665 nm的AlGaInP红色激光二极管。它提供110mW的连续光功率和220mW的脉冲光功率。该单横模激光二极管具有30V的反向电压和60mA的阈值电流。它采用5.6 mm的DG封装，是光学设备和传感器应用的理想光源。

Ushio Inc.的HL65261MG系列是工作波长为658 nm的AlGaInP激光二极管。它们在横向模式下工作，提供85 MW（CW）和310 MW（脉冲）的光输出功率，墙上插头效率为34%。这些激光二极管的光束发散角（FWHM）为7.5°（平行）和15°（垂直），阈值电流高达50mA.它们需要2.6 V的直流电源，消耗90 mA（连续波）和245 mA（脉冲）的电流。这些激光二极管采用直径为5.6 mm的CAN封装，非常适合TOF传感器（距离传感器）、光电传感器和激光雷达应用。

来自Ushio Opto Semiconductors的HL67191MG_192MG是670nm AlGaInP激光二极管。该激光二极管提供16mW的光输出功率并实现32mW的脉冲光输出功率。脉冲宽度小于50ns，占空比小于50%。激光二极管需要2.70 V的DC电压，并且具有高达30 mA的阈值电流。该器件采用φ5.6mm小型CAN封装，非常适合传感和测量应用。

Roithner Lasertechnik的LD-450-100SG是一款基于GaN的宝蓝色激光二极管，工作波长为450 nm.它的输出功率为100 MW，调制带宽超过100 MHz.这款单横模激光器采用TO38封装，不带光电二极管，非常适合激光投影、全息摄影、计量和生物医学应用。

Roithner Lasertechnik GmbH生产的QL94J6SA是一款输出波长为940 nm的AlGaAs红外激光二极管。它提供高达50 MW的光输出功率，并在高达60°C的宽工作温度范围内产生单模发射。激光二极管的光束发散度为6-12度（平行）、23-33度（垂直），光束角为±3°（平行和垂直）。它需要高达2.5 V的电源电压，功耗低于90 mA.这种单横模激光器是利用MOCVD（金属有机化学气相沉积）技术设计的，具有量子阱结构。它采用TO18封装，带有一个平面窗口，适合工业应用。

Innolume的LD-10xx-BA-15W是一款激光二极管，在1064 nm下工作时可提供12 W的输出功率。在准连续波（QCW）工作模式下，它提供35 W的输出功率。激光二极管的波长范围为1030~1130nm.它可用于C-Mount封装，但TO-CAN封装可用于QCW操作。

来自Laserscom的LDS-1310-FP-1.25G-15/80是耦合到光纤的1310nm InGaAsP激光二极管。在单模光纤G.657.A1中，它在CW模式下提供高达15 MW的光输出功率，在脉冲模式下提供高达80 MW的光输出功率。这款法布里-珀罗激光二极管提供高达1.25 Gbps的数据速率，并内置监控光电二极管。该激光二极管是激光系统和数据速率高达1.25 Gbps的光纤通信系统的理想选择。

来自Laserscom的LDS-1450-DFB-2.5G-15/45是耦合到光纤的1450nm InGaAsP MQW激光二极管。在单模光纤G.657.A1中，它在CW模式下提供高达15 MW的光功率，在脉冲模式下提供高达45 MW的光功率。该激光二极管具有高达2.5Gbps的数据速率和小于500kHz的线宽。该二极管的工作电压为1.4至1.7 V，功耗高达120 mA.该激光二极管采用同轴封装，是光纤通信系统的理想选择。

Laserscom公司的LDS-1550-DFB-2.5G-15/50是一种多量子阱激光二极管，工作波长为1550 nm.输出光功率50mW（脉冲）&15mW（连续），光谱宽度0.08nm，斜率效率0.16W/A，上升/下降时间80ps，跟踪误差0.15dB.它的电容为10 PF，暗电流小于100 nA，阈值电流为8 mA.该激光二极管具有DFB腔、内置监控光电二极管，并提供高达2.5 Gbps的数据速率。它使用LDS技术来提高光功率的热稳定性。LDS-1550-DFB-2.5G-15/50需要1.4 V的直流电源，消耗100 mA的电流。该激光二极管采用同轴、带支架的同轴或14针DIL封装，并具有带FC/APC、SC/APC、FC/UPC和SC/UPC连接器选项的SM/PM光纤选项。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统和激光系统应用。

Laserscom的LDS-1590-DFB-2.5G-15/45是一款InGaAsP多量子阱激光二极管，工作波长为1587至1593 nm.激光二极管提供高达15 MW（CW）和45 MW（峰值脉冲）的光输出功率。它具有边模抑制比大于40dB的DFB腔，并且具有低于500kHz的谱线宽度。激光二极管基于LDS技术，可提供增强的光功率热稳定性，跟踪误差为0.15 dB.它需要1.7 V的直流电源，电流消耗高达120 mA.激光二极管集成了光电二极管，并采用带光纤连接器的同轴封装。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信。该激光二极管可从制造商处订购特定配置。

Quantum Semiconductor International的QL63D4S-A/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的635 nm波段InGaAlP激光二极管。它为光学水平仪和模块等光电器件提供5mW的输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置用于监控激光二极管的光电二极管。

来自QSI的QL94J6SA/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的940nm波段InGaAs激光二极管。它为工业光学模块和传感器应用提供50 MW的光输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置光电二极管，用于监控激光二极管。

Broadcom的AFBR-S20N1N256是一款近红外光谱仪，工作波长范围为950至1700 nm.它有一个未冷却的256像素InGaAs传感器阵列，具有30微米的入口狭缝，可提供具有高杂散光抑制的可靠测量。该光谱仪具有16位ADC，可提供12000：1的动态范围和大于10000的最大SNR.积分时间为4μs至5分钟，并可对波长、灵敏度、非线性和存储在设备中的多个暗光谱进行校准。该光谱仪可通过USB 2.0 Type-C、SPI和UART接口进行控制。AFBR-S20N1N256需要5 V直流电源，功耗为30 mA.它采用坚固紧凑的封装，尺寸为60 X 50 X 19 mm，并具有用于光学接口的SMA连接器。该光谱仪适用于农业分析、食品安全、化学分析、质量控制、石化分析、环境分析、生物医学应用、制药分析、过程控制和监测应用。

HÜBNER Photonics的T-Spectralyzer T/R/F是一款太赫兹光谱仪，工作频率为0.1至4 THz.它的动态范围超过70dB（0.5THz），频率分辨率为10GHz，标准测量时间为5秒。光谱仪使用太赫兹波进行操作，这是完全安全的，并且不需要昂贵的安全预防措施。它不需要任何额外的冷却或外部气体供应。光谱仪有一个大的样品盘，尺寸为335 X 240 mm2，可对样品进行非破坏性无接触分析。该光谱仪非常适合光谱成像、透射/反射测量、THz时域光谱（如检测和表征材料）、使用振幅和相位信息、分析粉末和片剂形式的化学品、分析液体和气体、区分晶体和无定形结构、确定聚合物的填充水平和区分各种异构体以及无损检测（NDT）（如识别物质，甚至通过塑料管、管道和其他包装）以及确定多层系统应用的层厚度。光谱仪需要115-230 V的交流电源，功耗小于200 W.

IDS Imaging Development Systems的U3-3684XLE-C-HQ是一款USB3 5.0 Gbps摄像机，可为工业应用（如表面检测）中的详细图像评估提供高分辨率数据。它使用ON Semiconductors的500万像素CMOS图像传感器，该传感器具有2592（H）X 1944（V）像素的有源像素阵列。相机具有滚动快门传感器功能，支持高达30 FPS的帧速率。由于采用了BSI（背面照明）像素技术，它提供了卓越的低光性能，并且具有低功耗。该传感器在低光照条件和NIR范围内提供低噪声和更好的灵敏度。该相机采用塑料外壳，带有C/CS支架和可调后焦距，或者作为板级版本，带有或不带有C/CS支架或S支架。它的光学尺寸为5.702 X 4.277 mm，非常适合恶劣或不断变化的照明条件、ITS、计量、农业和工业应用。

Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为0.5ns，带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为2-15 PF，暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm，有效面积为0.2 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。