• TPG2EW1S09 半导体激光器
    美国
    应用行业: Test & Measurements, Security, Medical, Bio Medical, Aerospace / Military, Commercial 工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 925 nm 输出功率: 75 to 85 W 工作电压: 13.5 V

    Excelitas Technologies的TPG2EW1S09是一款GaAs脉冲半导体激光二极管,工作波长为895至925 nm.该激光器的峰值功率为85W,功率斜率为3W/A,光谱宽度(FWHM)为10nm,脉冲宽度为100ns.它的正向电压为13.5 V,阈值电流高达1.5 A.该激光二极管采用多层单片芯片设计,并在GaAs结构上制造。它采用类似于TO的T1¾通孔塑料封装,非常适合激光雷达/飞行时间测量、激光测距、激光扫描/UGV、红外夜间照明、激光治疗、医疗和分析应用中的材料激发。

  • QDFBLD-105X-20 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1049 to 1064 nm 输出功率: 20 mW 工作电流: 130 to 150 mA

    Qphotonics的QDFBLD-105X-20是一款光纤耦合DFB激光二极管,工作波长为1049至1064 nm.输出功率为20mW,上升时间为0.5ns.该激光器具有内置热电冷却器、热敏电阻和可选的光电二极管。它可在带有HI1060或PM980光纤尾纤的模块中使用。还提供可选的FC/APC连接器。

  • QDFBLD-105X-50 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW or pulsed operation 波长: 1049 to 1064 nm 输出功率: 50 mW 工作电压: 2 to 2.3 V

    来自Qphotonics的QDFBLD-105X-50是一种光纤耦合DFB激光二极管,可在1049至1064 nm范围内工作时提供50 MW的输出功率。它有一个内置热电冷却器,热敏电阻和可选的光电二极管。激光二极管的上升时间为5 ns,工作温度范围为15 C至40 C.它采用14引脚蝶形封装,提供可选的FC/PC或FC/APC连接器。

  • qdfbld-1550-100 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    波长: 1528 to 1565 nm 输出功率: 100 mW 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.626 A 阈值电流: 40 to 80 mA

    Qphotonics的QDFBLD-1550-100是一款波长稳定的单模光纤耦合DFB激光二极管,工作波长范围为1528至1565 nm.输出功率为100 MW,上升时间为0.5 ns.该激光器具有内置的光隔离器、监控光电二极管、热电冷却器和热敏电阻。它可以在带有保偏(PM)光纤尾纤的模块中使用。还提供可选的FC/APC连接器。

  • SCW 1650系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1650 nm 输出功率: 0.18 W 工作电压: 1.2 to 1.6 V 阈值电流: 45 mA

    OSI Laser Diode的SCW1650系列是SMF耦合激光模块,旨在满足光学测试设备市场的性能需求。它们在1640至1665 nm范围内工作时提供超过180 MW的光功率。这些模块采用全密封激光焊接封装,是OTDR仪器、光谱学和光子计数应用的理想选择。这些封装的激光器可以包括TEC和温度传感热敏电阻以及背面监视器,以在宽温度范围内实现卓越的波长稳定性。

  • CVN 63-90ECL 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 0 to 75 W 工作电流: 35 A 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    OSI Laser Diode的CVN 63-90ECL是一款集成微透镜的脉冲激光二极管,工作波长为895至915 nm.该激光器的脉冲宽度为100纳秒,峰值功率超过75瓦,同时消耗30 A的输入电流。它为发射的快轴(垂直轴)和慢轴(平行轴)提供了具有等效发散值(8×8 FWHM)的远场光束模式。经调整的远场图案提供进入标准球面透镜系统的较高耦合效率。这款符合RoHS标准的激光器/透镜采用9毫米密封封装,是关键国防应用(如现场部署的测距仪)的理想选择。

  • LCW/SCW系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser (Fiber CW), Pulsed Laser (Fiber, TO56) 工作电压: 3 V 工作电流: 1000 mA 阈值电流: 30 to 45 mA 激光颜色: Infrared

    OSI的LCW/SCW系列是工作波长为1310、1490、1550、1625和1650 nm的激光二极管。它们可提供高达75 MW的CW功率和高达200 MW的脉冲功率。这些高功率激光模块提供单模和多模光纤选项。激光器可以包括TEC和温度传感热敏电阻以及背面监视器,以在宽温度范围内实现卓越的波长稳定性。它们适用于OTDR仪器、光谱学、光子计数、光学和Los传感器以及通话设备等应用。

  • SCW 1430系列 半导体激光器
    美国
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1470 to 1510 nm 工作电压: 2 to 4 V 工作电流: 500 to 1000 mA

    SCW 1430系列激光二极管模块是1490 nm脉冲激光二极管,采用14针DIL、蝶形或3针TO56封装。它们提供高达300mW的光输出功率。这些SCW激光二极管模块非常适合需要高峰值脉冲光功率的光学测试设备应用。

  • TCW RGBS-400R 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 输出功率: 3 mW 激光颜色: Visible, Red, Green, Blue 类型: Fiber-Coupled Laser Diode 纤芯直径: 4 / 125 / 900 um

    OSI Laser Diode的TCW RGBS-400R是一款三波长光纤耦合激光器,工作波长为450 nm至638 nm.该激光器提供3mW的输出功率,同时在25度下消耗高达70mW的CW功率。该红色、绿色、蓝色激光二极管模块有效地将所有三种波长耦合到单模光纤尾纤中。它采用紧凑的三重封装,是RGB显示器、RGB投影仪和光学传感器的理想选择。如有要求,可提供额外的光纤尾纤选项。

  • 蓝光-DE-44x 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW Laser 波长: 440 to 449 nm 输出功率: 0 to 10 W 工作电压: 6 to 24 V 工作电流: 1.6 to 1.7 A

    Ushio Opto Semiconductors的Blue-DE-44X是一种NECSEL蓝色直接发射激光器,工作波长为440至449 nm.它可提供10 W的输出功率,并具有高达28%的电源转换效率。激光器的纤芯直径为0.400mm,数值孔径为0.22。它的阈值电流高达350 mA,使用寿命长达20,000小时。该激光器采用带SMA-905连接器的光纤耦合封装,是数字投影、远程光源照明、危险照明、磷光照明、激光表演、医疗和法医应用的理想选择。

  • HL63283HD 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 632 to 641 nm 工作电压: 2.3 to 2.7 V 工作电流: 1300 to 1600 mA 阈值电流: 340 to 440 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL63283HD是一款工作波长为637 nm的AlGaInP激光二极管。单发射极输出功率为1.2W连续波/1.5W脉冲。该激光二极管采用9 mm CAN封装,是激光投影仪、显示激光器和光学仪器光源应用的理想选择。

  • HL63392DG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    芯片技术: AlGaInP 波长: 633 to 643 nm 输出功率: 120 to 200 mW 工作电压: 2.8 to 3.3 V 工作电流: 255 to 290 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL63392DG是一种AlGaInP激光二极管,在638nm下工作时可提供200mW的输出功率。该激光二极管采用TO-CAN封装,是激光模块、校平器和光学设备光源应用的理想选择。

  • HL63520HD 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    芯片技术: AIGaInP 工作模式: CW / Pulse Laser 波长: 638 nm 工作电压: 2.4 to 2.8 V 阈值电流: 570 to 750 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL63520HD是一款638 nm AlGaInP激光二极管。该激光二极管在-10°C至45°C的工作温度范围内提供了3.5W的脉冲光输出功率(脉冲周期=120 Hz,占空比=30%),在55°C的工作温度上限下实现了2.5W的脉冲光输出功率。即使在CW操作中,红色激光二极管也实现了2.4W的光输出功率,并实现了超过20,000小时的MTTF.它可以在脉冲和CW操作模式下集成到投影仪中。它采用9 mm TO-CAN封装,非常适合激光投影仪和光学设备应用。

  • HL65241DG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW 波长: 660 nm 输出功率: 110 to 220 W 工作电压: 2.45 to 3.0 V 工作电流: 145 to 225 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL65241DG是一款工作波长为652至665 nm的AlGaInP红色激光二极管。它提供110mW的连续光功率和220mW的脉冲光功率。该单横模激光二极管具有30V的反向电压和60mA的阈值电流。该器件采用5.6 mm的DG封装,非常适合光学设备光源和传感器应用。

  • HL65242DG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW 波长: 660 nm 输出功率: 110 to 220 W 工作电压: 2.45 to 3.0 V 工作电流: 145 to 225 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL65242DG是一款工作波长为652至665 nm的AlGaInP红色激光二极管。它提供110mW的连续光功率和220mW的脉冲光功率。该单横模激光二极管具有30V的反向电压和60mA的阈值电流。它采用5.6 mm的DG封装,是光学设备和传感器应用的理想光源。

  • HL65261MG系列 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW / Pulse Laser 工作电压: 2.6 to 3.3 V 工作电流: 90 to 120 mA 阈值电流: 30 to 50 mA 激光增益介质: AlGaInP

    Ushio Inc.的HL65261MG系列是工作波长为658 nm的AlGaInP激光二极管。它们在横向模式下工作,提供85 MW(CW)和310 MW(脉冲)的光输出功率,墙上插头效率为34%。这些激光二极管的光束发散角(FWHM)为7.5°(平行)和15°(垂直),阈值电流高达50mA.它们需要2.6 V的直流电源,消耗90 mA(连续波)和245 mA(脉冲)的电流。这些激光二极管采用直径为5.6 mm的CAN封装,非常适合TOF传感器(距离传感器)、光电传感器和激光雷达应用。

  • hl67191mg_192mg 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    芯片技术: AlGaInP 工作模式: CW / Pulsed Laser 波长: 660 to 680 nm 工作电压: 2.25 to 2.70 V 工作电流: 0.03 to 0.045 A

    来自Ushio Opto Semiconductors的HL67191MG_192MG是670nm AlGaInP激光二极管。该激光二极管提供16mW的光输出功率并实现32mW的脉冲光输出功率。脉冲宽度小于50ns,占空比小于50%。激光二极管需要2.70 V的DC电压,并且具有高达30 mA的阈值电流。该器件采用φ5.6mm小型CAN封装,非常适合传感和测量应用。

  • LD-450-100SG 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 440 to 460 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 5.8 to 7 V 工作电流: 0.1 to 0.165 A

    Roithner Lasertechnik的LD-450-100SG是一款基于GaN的宝蓝色激光二极管,工作波长为450 nm.它的输出功率为100 MW,调制带宽超过100 MHz.这款单横模激光器采用TO38封装,不带光电二极管,非常适合激光投影、全息摄影、计量和生物医学应用。

  • QL94J6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 940 nm 输出功率: 0.05 W

    Roithner Lasertechnik GmbH生产的QL94J6SA是一款输出波长为940 nm的AlGaAs红外激光二极管。它提供高达50 MW的光输出功率,并在高达60°C的宽工作温度范围内产生单模发射。激光二极管的光束发散度为6-12度(平行)、23-33度(垂直),光束角为±3°(平行和垂直)。它需要高达2.5 V的电源电压,功耗低于90 mA.这种单横模激光器是利用MOCVD(金属有机化学气相沉积)技术设计的,具有量子阱结构。它采用TO18封装,带有一个平面窗口,适合工业应用。

  • LD-10XX-BA-15W 半导体激光器
    德国
    厂商:Innolume
    工作模式: CW 波长: 1030 to 1130 nm 输出功率: 15 W 工作电压: 1.5 to 1.7 V 工作电流: 18 to 20 A

    Innolume的LD-10xx-BA-15W是一款激光二极管,在1064 nm下工作时可提供12 W的输出功率。在准连续波(QCW)工作模式下,它提供35 W的输出功率。激光二极管的波长范围为1030~1130nm.它可用于C-Mount封装,但TO-CAN封装可用于QCW操作。