• 带前置放大器和玻璃罩的光电二极管 MID-IR PD 36-03-PA-CG 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 3800nm

    光电二极管PD 36-03被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器(-PA)在光伏模式下工作(零偏置)。此外,光电二极管芯片覆盖有玻璃盖,该玻璃盖提供高于三倍的信号。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器,并封装在铝管中,用于保护和屏蔽。

  • 带前置放大器和玻璃罩的光电二极管 MID-IR PD 36-05-PA-CG 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 3600nm

    光电二极管PD 36-05被设计用于检测从1800到3600nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器(-PA)在光伏模式下工作(零偏置)。此外,光电二极管芯片覆盖有玻璃盖,该玻璃盖提供高于三倍的信号。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器,并封装在铝管中,用于保护和屏蔽。

  • 带前置放大器和玻璃罩的光电二极管MID-IR PD 43-03-PA-CG 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 4600nm

    光电二极管PD 43-03设计用于探测3000-4600nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器(-PA)在光伏模式下工作(零偏置)。此外,光电二极管芯片覆盖有玻璃盖,该玻璃盖提供高于三倍的信号。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器,并封装在铝管中,用于保护和屏蔽。

  • 带前置放大器和玻璃罩的光电二极管 MID-IR PD 43-05-PA-CG 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 4600nm

    光电二极管PD 43-05设计用于检测2600至4600nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器(-PA)在光伏模式下工作(零偏置)。此外,光电二极管芯片覆盖有玻璃盖,该玻璃盖提供高于三倍的信号。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器,并封装在铝管中,用于保护和屏蔽。

  • Seminex光纤耦合激光二极管EP1654-DM-B 1654nm 0.008W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.654um 输出功率: 8mW

    EP1654-DM-B激光二极管模块是一款高性价比、高相干激光源。专利分立模式(类DFB)脊形波导技术和外延结构设计用于提供InP基应变量子阱激光二极管源,其发射波长为1.654µm,具有高SMSR。分立模式激光二极管芯片采用行业标准的密封14针蝶形封装,集成了光隔离器、热电冷却器(TEC)、监控光电二极管和热敏电阻。

  • TFMD5000硅PIN光电二极管 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: Si 工作波长: 1050nm

    TFMD5000是一款具有超扁平外形的新设备,外形尺寸为5x4x1.1mm。它可以接受有效面积高达10平方毫米的PIN光电二极管芯片。为了满足不同传感应用的严格要求,该器件有3个不同的版本:标准透明封装透镜,用于从可见光到1000nm的响应;红色封装透镜,用于需要滤除可见环境光干扰的应用;以及黑色封装透镜,用于要求红外区域具有更高响应度的应用。

  • TFMD5000B硅 PIN光电二极管 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: Si 工作波长: 950nm

    TFMD5000是一款具有超扁平外形的新设备,外形尺寸为5x4x1.1mm。它可以接受有效面积高达10平方毫米的PIN光电二极管芯片。为了满足不同传感应用的严格要求,该器件有3个不同的版本:标准透明封装透镜,用于从可见光到1000nm的响应;红色封装透镜,用于需要滤除可见环境光干扰的应用;以及黑色封装透镜,用于要求红外区域具有更高响应度的应用

  • TFMD5000R硅 PIN光电二极管 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: Si 工作波长: 950nm

    TFMD5000是一款具有超扁平外形的新设备,外形尺寸为5x4x1.1mm。它可以接受有效面积高达10平方毫米的PIN光电二极管芯片。为了满足不同传感应用的严格要求,该器件有3个不同的版本:标准透明封装透镜,用于从可见光到1000nm的响应;红色封装透镜,用于需要滤除可见环境光干扰的应用;以及黑色封装透镜,用于要求红外区域具有更高响应度的应用。

  • EP689-DM-BC 半导体激光器
    德国
    技术: Distributed Feedback (DFB), Quantum well 波长: 689 to 695 nm 输出功率: 5 to 10 mW 工作电压: 2.5 V 工作电流: 150 mA

    EP689-DM-BC激光二极管模块是一款高性价比、高相干激光源,工作波长为689nm,具有高SMSR.该激光二极管采用专利的离散模式(类DFB)脊形波导技术开发,采用外延结构设计,以提供基于InP的应变量子阱激光二极管光源。分立模式激光二极管芯片采用行业标准的密封14针蝶形封装,配有热电冷却器(TEC)和热敏电阻。

  • 4PN-101 半导体激光器
    美国
    应用行业: Military, Space, Medical 工作模式: CW Laser 波长: 1450 nm 输出功率: 3.8 W 工作电压: 1.6 V

    Seminex的4PN-101是一款4针光纤耦合激光模块,工作波长为1450 nm,可提供4 W的CW输出功率。多模激光器具有10nm的光谱宽度。该激光器需要1.6 V电源,阈值电流为0.5 A.它采用高功率Seminex激光二极管芯片,与光电二极管或热敏电阻一起安装在方便的低成本封装中。该封装采用105/125.22NA光纤和SMA 905连接器。该激光模块适用于OEM医疗、DPSS泵浦源、激光雷达、自由空间通信和军事/航空航天应用。

  • ML1006 半导体激光器
    芬兰
    厂商:Modulight Inc.
    应用行业: Communications 技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1535 to 1560 nm 输出功率: 0.003 W

    Modulight的ML1006是一款分布式反馈(DFB)激光二极管芯片,工作波长为1535至1560 nm.裸片激光器提供高达3mW的功率,边模抑制比(SMSR)为40 dB,工作电压为1.2 V.发射波长由内部光栅控制。该激光器的尺寸为300 X 300 X 100微米,设计用于调制速度高达3.125 GB/s的数字光通信网络。

  • AXUV20A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 0.0124 to 190 nm RoHS: Yes

    Opto Diode Corporation的AXUV20A是一种圆形光电二极管,有效面积为5.5 mm直径,对电子能级的灵敏度低至100eV.它的分流电阻超过100 mOhm,电容低于10 N,反向击穿电压为10 V,上升时间为2µs.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C(大气环境)和-20°C至+80°C(氮气或真空环境)。该器件配有保护盖板,以保护光电二极管芯片和焊线。

  • AXUV20HS1 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 0 to 250 nm RoHS: Yes

    Opto Diode Corporation的AXUV20HS1是一款圆形光电二极管,有效面积为20平方。嗯。它的电容小于800pF,反向击穿电压为160V,上升时间为3.5nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C(大气环境)和-20°C至+80°C(氮气或真空环境)。该设备是EUV探测的理想选择。它配有保护盖板,以保护光电二极管芯片和焊线。

  • AXUV63HS1 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 暗电流: 100 nA 响应度/光敏度: 0.05 to 0.25 A/W

    Opto Diode Corporation的AXUV63HS1是一款圆形光电二极管,有效面积为63 sq.对电子能级的灵敏度低至100eV.它的电容小于85pF,反向击穿电压为160V,上升时间为10nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C(大气环境)和-20°C至+80°C(氮气或真空环境)。该器件配有保护盖板,以保护光电二极管芯片和焊线。

  • SPL EN91-40-8-10B 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    波长: 910 nm 芯片技术: 可切割的8个单管组成的单片线性阵列巴条 工作电流: 10.8A 阈值电流: 0.54A 发射器数量: 8

    单管芯片(未切割的巴条) ,发射器宽度100μm,910nm;现货库存,请联系客服咨询。推荐用于连续波(cw)-应用,光纤激光泵浦,直接材料加工,医疗应用,打印应用.

  • SPL EN91-40-8-10B 激光二极管单管;单管功率:11瓦;波长:910nm;条宽:100µm 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    中心波长: 0.904-0.914 um 输出功率: 11000 mW

    单管芯片(未切割的巴条) ,发射器宽度100μm,910nm;现货库存,请联系客服咨询。

  • 1053LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1053 nm 技术: Butterfly single mode

    1053nm蝶形激光二极管。高达120 MW CW.带FC/APC光纤连接器的HI1060光纤输出。兼容选项1:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在10和20°C之间时,达到1053 nm波长(所有航空二极管驱动器包括高效激光二极管芯片温度控制器)。

  • 1053LD-2-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1053 nm 技术: Butterfly single mode

    1053nm蝶形激光二极管。高达300 MW CW.带FC/APC光纤连接器的HI1060光纤输出。与选项1bis:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)兼容。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在10和20°C之间时,达到1053 nm波长(所有航空二极管驱动器包括高效激光二极管芯片温度控制器)。

  • 785LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 785 nm 技术: Butterfly single mode

    785nm蝶形激光二极管。高达150 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。兼容选项1:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在30和35°C之间时,达到785nm波长(所有航空二极管驱动器包括高效激光二极管芯片温度控制器)。

  • 790LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 790 nm 技术: Butterfly single mode 输出功率(脉冲): 400 mW

    790nm蝶形激光二极管。高达250 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。与选项1兼容:PM光纤、选项2(窄发射@792nm,带FBG-TM3+泵浦的理想选择)和选项3(3mm准直器)。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准法布里-珀罗激光二极管。当激光二极管芯片稳定在30和40°C之间时,可达到792 nm TM3+泵浦波长(所有航空二极管可选驱动器都具有高效的激光二极管芯片温度调节)。