• Seminex单模激光芯片1630nm 0.45W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.630um 输出功率: 450mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex单模激光芯片1650nm 0.45W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.650um 输出功率: 450mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex单模激光芯片1650nm 0.45W N155 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.650um 输出功率: 450mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • LD-1470-0020-DFB-1 半导体激光器
    德国
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1470 nm 输出功率: 0.02 W 类型: Free Space Laser Diode

    Toptica Photonics的LD-1470-0020-DFB-1是一款分布式反馈(DFB)激光二极管,工作波长为1470 nm.它提供20mW的输出功率,并且在激光芯片内具有频率选择结构,该结构将激光发射限制为单纵模。通过改变驱动电流或芯片温度来调节该激光二极管的激射波长。它可以在没有任何模式跳变的情况下保持超过几百GHz的单频操作。这款激光二极管采用蝶形尾纤封装,内置热敏电阻和热电冷却器。

  • CMDFB1064B 半导体激光器
    波长: 1063.5 nm 类型: CW/脉冲 技术: 分布式反馈(DFB) 输出功率(脉冲): 800 mW 输出功率: 200 mW

    II-VI CMDFB1064B下一代波长稳定高功率单频单模激光模块被设计用于脉冲窄带宽光纤激光器和直接变频应用。位于激光腔中的分布式反馈光栅(DFB)可在几次往返行程内实现波长稳定。激光芯片和封装针对亚纳秒级脉冲操作进行了优化。将光纤耦合到激光器的工艺和技术允许高峰值输出功率,这些功率在时间和温度下都非常稳定。

  • DPGEW1S03H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片,在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • DPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片,在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • PGEW1S03H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • PGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • QPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • TPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • 1999PLU Mini-DIL无冷却泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    工作温度范围: 0至75°C 无折射功率: >275mW 封装类型: mini-DIL 波长锁定: Fiber Bragg Grating (FBG) 静态放电防护: 5kV

    3SP Technologies的1999PLU Mini-DIL无冷却泵浦模块专为需要紧凑尺寸和低功耗的应用而设计,采用mini-DIL封装,内置新开发的用于宽温范围(0至75°C)无冷却操作的激光芯片,芯片完全符合Telcordia建议。可提供超过275mW的无折射功率。波长通过位于单模偏振保持光纤(PMF)尾纤中的光纤布拉格光栅(FBG)来锁定。

  • 1999UMM系列 980nm 3-pin无冷却泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    工作温度范围: 0-80°C 波长锁定技术: 光纤布拉格光栅(FBG) 芯片合格标准: 超过Telcordia推荐 电静态放电阈值: 2000V 最大外壳温度: 80°C

    3SP Technologies的1999UMM系列980nm 3-pin无冷却泵浦模块专为尺寸超紧凑和低功耗的应用而设计。该产品具有3-pin“披萨盒”尺寸优化封装,内置专为无冷却操作而开发的激光芯片,可在0至80°C的宽温度范围内运行,芯片完全符合Telcordia推荐标准。波长通过模块封装内的光纤布拉格光栅(FBG)锁定在单模光纤(SMF)尾纤上。

  • DFB-CX 同轴分布反馈(DFB)激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:Optilab
    阈值电流: 8mA典型值 工作电流: 100mA最大值 模拟带宽: 2.5GHz典型值 30mA 监视光电二极管电流: 50uA最小值, 2mA最大值 监视光电二极管暗电流: 10nA最大值

    DFB-CX是一款用于CWDM模拟通信、CATV返程路径、实验室仪器和研发应用的CWDM同轴DFB激光器。这款经济高效、高可靠性的DFB激光芯片具有1270nm至1610nm的可选择波长范围。DFB-CX还具有内置InGaAsP监视光电二极管、内置光隔离器和4针同轴封装,单模耦合,以及FC/APC连接器。

  • DFB-P-CX 高性能CWDM脉冲同轴DFB激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:Optilab
    阈值电流: 8 mA typ. 工作电流: 100 mA max. 脉冲上升时间: 300 ps typ. 监视光电二极管电流: 50 uA min., 2 mA max. 监视光电流暗电流: 10 nA max.

    DFB-P-CX是一种用于CWDM模拟通信、CATV返程、实验室仪器和研发应用的CWDM脉冲同轴DFB激光器。这种高可靠性DFB激光芯片具有成本效益,可以选择在1270 nm到1610 nm范围内的波长。