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传感器类型: iCCD # 像素(宽度): 512 # 像素(高度): 512 像素大小: 24um 峰值量子效率: 50%
ANDOR' S iSTAR DH312T增强型CCD相机系列专为快速、纳秒级时间分辨成像而设计。512 X 512阵列非常适合基于PLIF的燃烧分析以及具有纳秒时间分辨率的等离子体羽流分析。它提供每秒超过15帧的多MHz读数,以及笔记本电脑友好的USB 2.0连接和完全集成的软件控制数字延迟发生器(DDG™)。这允许在触摸按钮时无缝集成复杂的实验,通过单个交互式界面进行完整的定时和增益控制。Gen 23图像增强器具有入口输入窗口和磷光体选项,可满足120 nm至1,100 nm的波长范围要求
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传感器类型: iCCD # 像素(宽度): 1024 # 像素(高度): 1024 像素大小: 13.3um 峰值量子效率: 50%
和或'SISTAR DH334T快速门控增强型CCD系列旨在为高分辨率、纳秒级时间分辨成像提供较终的集成检测解决方案。1024 X 1024阵列非常适合各种时间分辨应用,包括等离子体分析、安装在ANDOR MECHELLE光谱仪上的LIBS或快速瞬态现象。iStar DH334T快速门控增强型CCD提供多MHz读数,以及笔记本电脑友好的USB 2.0连接和完全集成的软件控制数字延迟发生器(DDG™)。这允许在触摸按钮时无缝集成复杂的实验,通过单个交互式界面进行完整的定时和增益控制。具有各种入口输入窗口和磷光体选项的第2代和第3代图像增强器可用于满足从120nm到1100nm的波长范围要求。
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APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm
Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封金属罐和高性价比SMD(LCC)类型,可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形(Ф230um)0.04 mm2有效面积雪崩光电二极管,具有800 nm的优化灵敏度,采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。
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APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm
Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封到金属罐和高性价比SMD(LCC)类型,可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形(Ф500um)2 mm2有效面积雪崩光电二极管,具有800 nm的优化灵敏度,采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。
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APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm
Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和杂化。封装选项包括密封到金属罐和经济高效的SMD(LCC)类型,并可根据要求进行额外定制。MTAPD-05-003是一款NIR(800nm)增强型500µm直径APD,可输入高速TIA以产生差分输出电压。TIA需要正电源电压。APD所需的正高压电源。