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激光波长: 0.905um 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片,在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片,在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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波长: 1053nm 平均值功率: 0.7W 重复频率: 0 - 0.01 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%
Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。
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波长: 1064nm 平均值功率: 1W 重复频率: 0 - 0.02 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%
Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。
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波长: 211nm 平均值功率: 0.035W 重复频率: 0 - 0.01 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%
Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。
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波长: 263nm 平均值功率: 0.110W 重复频率: 0 - 0.01 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%
Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。
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波长: 266nm 平均值功率: 0.140W 重复频率: 0 - 0.02 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%
Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。
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波长: 351nm 平均值功率: 0.200W 重复频率: 0 - 0.01 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%
Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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类型: Laser System 工作模式: CW Laser 波长: 532 nm 可调谐: No 激光颜色: Green
Novanta Photonics的GEM 532是一种固态连续波激光器,工作波长为532nm.它的输出功率为100-2000mW,光束发散角小于0.8mrad.这款单横模绿色激光器的光谱带宽为30 GHz,光束指向稳定性高达10µrad/°C.它产生的光束直径为0.9 mm±0.1 mm,功率稳定性小于0.8%RMS.该激光器具有100∶1(水平)以上的偏振比和小于1.1的光束质量因子M2。它的射束角小于1mrad,相干长度接近1cm.该激光器的均方根噪声小于0.8%,噪声带宽为10 Hz-6 MHz.GEM 532采用PowerLOQTM技术,在长时间使用中具有极高的功率稳定性,并配有高功率单模和多模光纤耦合解决方案。它具有坚固的光学机械设计,可延长使用寿命并最大限度地减少停机时间。这款激光器具有高效的壁插式效率,可实现有效的热管理和简单的即插即用解决方案,从而提高生产率。它采用紧凑的台式封装,尺寸为127.5 X 83 X 42.5 mm,非常适合基于激光的诊断、分析、微加工和精细材料加工应用。
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工作模式: CW Laser 波长: 660 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.1 V 工作电流: 21000 mA
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-4119-660是在660nm的波长下工作的激光二极管阵列。它有一个100 X 19µm发射器,可提供10 MW的输出功率。该TE偏振激光二极管阵列的光谱宽度为1nm(FWHM),光束发散角为7度(平行)和40度(垂直)。在大多数封装上,这种激光二极管阵列的芯片连接可以是硬焊接或软焊接,并且具有高精度放置,无助焊剂、无空隙、均匀的键合线厚度。它需要9400 mA的阈值电流和消耗21000 mA电流的2.1 V直流电源。该激光二极管采用CS封装,尺寸为4.5 X 4 X 0.5 mm,是牙科激光器、机器视觉激光器、光遗传学激光器、PDT激光器和RGB激光器的理想选择。
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工作模式: CW / Pulse Laser 工作电压: 2.6 to 3.3 V 工作电流: 90 to 120 mA 阈值电流: 30 to 50 mA 激光增益介质: AlGaInP
Ushio Inc.的HL65261MG系列是工作波长为658 nm的AlGaInP激光二极管。它们在横向模式下工作,提供85 MW(CW)和310 MW(脉冲)的光输出功率,墙上插头效率为34%。这些激光二极管的光束发散角(FWHM)为7.5°(平行)和15°(垂直),阈值电流高达50mA.它们需要2.6 V的直流电源,消耗90 mA(连续波)和245 mA(脉冲)的电流。这些激光二极管采用直径为5.6 mm的CAN封装,非常适合TOF传感器(距离传感器)、光电传感器和激光雷达应用。