近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器，专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时，Q2是一个多功能平台，可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置，激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd：YLF或Nd：YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd：YLF晶体的无热特性，在1053nm处，激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作，而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中，与标准配置相比，脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时，脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险（泄漏、有机污染等）并降低维护成本。如有要求，可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下，并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器，专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时，Q2是一个多功能平台，可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置，激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd：YLF或Nd：YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd：YLF晶体的无热特性，在1053nm处，激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作，而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中，与标准配置相比，脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时，脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险（泄漏、有机污染等）并降低维护成本。如有要求，可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下，并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器，专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时，Q2是一个多功能平台，可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置，激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd：YLF或Nd：YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd：YLF晶体的无热特性，在1053nm处，激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作，而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中，与标准配置相比，脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时，脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险（泄漏、有机污染等）并降低维护成本。如有要求，可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下，并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器，专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时，Q2是一个多功能平台，可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置，激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd：YLF或Nd：YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd：YLF晶体的无热特性，在1053nm处，激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作，而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中，与标准配置相比，脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时，脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险（泄漏、有机污染等）并降低维护成本。如有要求，可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下，并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器，专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时，Q2是一个多功能平台，可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置，激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd：YLF或Nd：YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd：YLF晶体的无热特性，在1053nm处，激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作，而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中，与标准配置相比，脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时，脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险（泄漏、有机污染等）并降低维护成本。如有要求，可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下，并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器，专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时，Q2是一个多功能平台，可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置，激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以配置为分别从Nd：YLF或Nd：YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd：YLF晶体的无热特性，在1053nm处，激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作，而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中，与标准配置相比，脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时，脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险（泄漏、有机污染等）并降低维护成本。如有要求，可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下，并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。

该电机能够自行处理后视镜位置，无需额外的调节或放大器板。这使得它成为设计通用和特定应用的扫描解决方案的简单工具。这些RTA（Rhothor有源）偏转器不依赖于传统的移动磁铁技术。取而代之的是专利动圈原理。智能偏转器配有一个同轴连接器，提供电源和数据连接。简单的调制电子设备允许用户将设定点数据直接发送到电机。后视镜定位由电机本身完成。

该电机能够自行处理后视镜位置，无需额外的调节或放大器板。这使得它成为设计通用和特定应用的扫描解决方案的简单工具。这些RTA（Rhothor有源）偏转器不依赖于传统的移动磁铁技术。取而代之的是专利动圈原理。智能偏转器配有一个同轴连接器，提供电源和数据连接。简单的调制电子设备允许用户将设定点数据直接发送到电机。后视镜定位由电机本身完成。

该电机能够自行处理后视镜位置，无需额外的调节或放大器板。这使得它成为设计通用和特定应用的扫描解决方案的简单工具。这些RTA（Rhothor有源）偏转器不依赖于传统的移动磁铁技术。取而代之的是专利动圈原理。智能偏转器配有一个同轴连接器，提供电源和数据连接。简单的调制电子设备允许用户将设定点数据直接发送到电机。后视镜定位由电机本身完成。

我们的Microchip系列的SB1-1064-2-100是一款短纳秒脉冲、2uJ、低SWAP、超紧凑、100 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Microchip系列可在1064、946、532、473、355、266和236.5nm下使用，能够产生窄线宽的单频操作，M^2<1.3，脉冲间不稳定性<3%。Microchip系列标配MLD-019激光控制器，可提供高度监测和控制以及实时反馈。Microchip激光器系列可进行定制，以满足各种应用要求。Microchip激光器系列目前在该领域拥有超过3，000台设备，已被证明是一种多功能、可靠的激光器解决方案，适用于从天基LIBS到3D扫描和激光播种的广泛应用。

我们的Microchip系列的SB1-532-15-5是一款短纳秒脉冲、15uJ、低SWAP、超紧凑、5 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Microchip系列可在1064、946、532、473、355、266和236.5nm下使用，能够产生窄线宽的单频操作，M^2<1.3，脉冲间不稳定性<3%。Microchip系列标配MLD-019激光控制器，可提供高度监测和控制以及实时反馈。Microchip激光器系列可定制，以满足各种应用要求。Microchip激光系列目前在该领域拥有超过3，000台设备，已被证明是一种多功能、可靠的激光解决方案，适用于从基于空间的LIBS到3D扫描和激光播种的广泛应用。

Scherzo系列532nm激光器是二极管泵浦固体激光系统（DPSS），可发射532nm的单频绿色激光。这些系统基于Klastech的专利IMAT激光技术，在紧凑的专有设计中提供一流的二次谐波转换效率、固有的单纵模输出和行业领先的卓越光学性能。

Scherzo系列532nm激光器是二极管泵浦固体激光系统（DPSS），可发射532nm的单频绿色激光。这些系统基于Klastech的专利IMAT激光技术，在紧凑的专有设计中提供一流的二次谐波转换效率、固有的单纵模输出和行业领先的卓越光学性能。

Scherzo系列532nm激光器是二极管泵浦固体激光系统（DPSS），可发射532nm的单频绿色激光。这些系统基于Klastech的专利IMAT激光技术，在紧凑的专有设计中提供一流的二次谐波转换效率、固有的单纵模输出和行业领先的卓越光学性能。