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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 20 nAGenuv的GUVB-T11GD-L是一款光电二极管，波长范围为220至320 nm，暗电流为20 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T11GD-L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nAGenuv的GUVB-T11GD是一款光电二极管，波长范围为220至320 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T11GD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 90 nAGenuv的GUVB-T21GD-U是一款光电二极管，波长范围为220至320 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T21GD-U的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 20 nAGenuv的GUVC-T10GD-L是一款光电二极管，波长范围为220至280 nm，暗电流为20 nA，响应度/光敏度为0.05 A/W.有关GUVC-T10GD-L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 90 nAGenuv的GUVC-T20GD-U是一款光电二极管，波长范围为220至280 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.06 A/W.有关GUVC-T20GD-U的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nAGenuv的GUVV-S10SD是一款光电二极管，波长范围为240至395 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVV-S10SD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 20 nAGenuv的GUVV-T10GD-L是一款光电二极管，波长范围为230至395 nm，暗电流为20 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVV-T10GD-L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 90 nAGenuv的GUVV-T20GD-U是一款光电二极管，波长范围为230至395 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.15 A/W.有关GUVV-T20GD-U的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 345 to 450 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nAGenuv的GVBL-S12SD是一款光电二极管，波长范围为345至450 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.68 A/W.有关GVBL-S12SD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 330 to 445 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nAGenuv的GVBL-T12GD是一款光电二极管，波长范围为330至445 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GVBL-T12GD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 295 to 490 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nAGenuv的GVGR-S11SD是一款光电二极管，波长范围为295至490 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.07 A/W.有关GVGR-S11SD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 300 to 510 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nAGenuv的GVGR-T10GD是一款光电二极管，波长范围为300至510 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.026 A/W.有关GVGR-T10GD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 1000 to 1650 nm 暗电流: 2 nA 电容: 1 pF来自OSI Laser Diode，Inc.的LAPD 3050是波长范围为1000至1650 nm、暗电流为2 nA、电容为1 PF、带宽为2.5 GHz、响应度/光敏度为7至9 A/W的光学检测器。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 电容: 0.5 to 0.75 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.9 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的LPD 3080是一款光学探测器，其暗电流为0.05至0.5 nA，电容为0.5至0.75 PF，带宽为2.5 GHz，响应度/光敏度为0.8到0.9 A/W，有效面积直径为75µm.有关LPD 3080的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 1550 nm 响应度/光敏度: 0.4 to 0.35 A/WFreedom Photonics的FP1015B是一款光学探测器，波长范围为1550 nm，带宽为30至35 GHz，响应度/光敏度为0.4至0.35 A/W.有关FP1015B的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 1550 nm 响应度/光敏度: 0.1 to 0.15 A/WFreedom Photonics的FP1015C是一款光学探测器，波长范围为1550 nm，带宽为60至65 GHz，响应度/光敏度为0.1至0.15 A/W.有关FP1015C的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 850 nm 暗电流: 50 pA 响应度/光敏度: 0.3 to 0.25 A/WFreedom Photonics的FP1017A是一款光学探测器，波长范围为850 nm，暗电流为50 pA，带宽为2至3 GHz，响应度/光敏度为0.3至0.25 A/W，有效区域直径为20µm.有关FP1017A的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 630 to 1650 nm 电容: 100 to 140 pF 暗电流: 1 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.13 to 0.022 A/W来自Qphotonics的QSPDI-28是一款光电二极管，波长范围为630至1650 nm，电容为100至140 PF，暗电流为1至2 nA，响应度/光敏度为0.13至0.022 A/W.有关QSPDI-28的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 900 pF 暗电流: 0.16 to 10 nAOSI Laser Diode，Inc.的1010Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为900 PF，暗电流为0.16至10 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为20µs.有关1010BI-SMT的更多详细信息，请联系我们。
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