Gentec-EO热量计是先进可用于较大和较高能量激光束的可靠解决方案。通过与世界各地多家领先的研究机构合作，Gentec-EO已成为制造、校准和维修用于高能惯性约束聚变量热测量的量热计的专家。

Gentec-EO热量计是先进可用于较大和较高能量激光束的可靠解决方案。通过与世界各地多家领先的研究机构合作，Gentec-EO已成为制造、校准和维修用于高能惯性约束聚变量热测量的量热计的专家。

自1960年以来，会聚光子学一直致力于提供激光源。会聚光子为制造提供较高性能、高效率和非常可靠的CO2激光器。Convergent Photonics CV系列激光器具有适合激光加工的较佳光束质量，擅长切割和焊接各种材料和厚度。具有直流放电功能的CV系列激光器是目前运行效率较高的工业CO2激光器。有了磁轴承涡轮，激光器需要较少的维护，降低了拥有成本。

Convergent Photonics为制造业提供性能较高、高效可靠的工业CO2激光器。会聚光子激光器有不同的功率级别，从200 W到4000 W，以更好地满足客户在材料加工方面的需求。所有型号都非常紧凑，便于集成到不同的机器配置中。

会聚光子学为制造业提供较高性能、高效和可靠的工业CO2激光器。会聚光子激光器有不同的功率级别，从200 W到4000 W，以更好地满足客户在材料加工方面的需求。所有型号都非常紧凑，便于集成到不同的机器配置中。

符合人体工程学设计的DI-1000是Lightel的全数字视频显微镜探头。它通过计算机的USB2.0端口直接连接到您的PC。DI-1000套装包括我们的免费ConnectorViewTM（标准）软件，提供数字变焦、图像显示、图像捕捉、自动校准和基本分析工具，具有简单的单指对焦、内置图像冻结/捕捉按钮和0.5µm的可检测分辨率。我们可选的ConnectorView Plus分析软件为DI-1000增加了通过/失败分析和详细报告功能。

Spark Lasers是锁模光纤激光器的专家，提供DIADEM IR系列紧凑型飞秒（FS）激光器，用于光遗传学和微加工应用。DIADEM是一种非常紧凑的高能量超快激光器，用于需要短飞秒激光脉冲宽度的先进微加工应用。DIADEM-IR10提供10µJ高达1MHz。DIADEM激光系列具有低于400fs的脉冲和从单次发射到2 MHz的重复速率能力，以及m²1.2的卓越光束质量。DIADEM激光系列将较先进的动态脉冲控制电子设备与紧凑、用户友好的设计相结合，只需不到5分钟的设置时间。DIADEM IR专为要求苛刻的应用而设计，如植入式医疗设备制造、豪华手表制造、用于仪器仪表和工业24/7 OEM工作操作的消费电子和光遗传学应用。

Spark Lasers是锁模光纤激光器的专家，提供DIADEM IR系列紧凑型飞秒（FS）激光器，用于光遗传学和微加工应用。DIADEM是一种非常紧凑的高能量超快激光器，用于需要短飞秒激光脉冲宽度的先进微加工应用。DIADEM-IR30提供高达750kHz的40µJ脉冲能量。DIADEM激光系列具有低于400fs的脉冲和从单次发射到2 MHz的重复速率能力，以及m²1.2的卓越光束质量。DIADEM激光系列将较先进的动态脉冲控制电子设备与紧凑、用户友好的设计相结合，只需不到5分钟的设置时间。DIADEM IR专为要求苛刻的应用而设计，如植入式医疗设备制造、豪华手表制造、用于仪器仪表和工业24/7 OEM工作操作的消费电子和光遗传学应用。

高能量和高功率金刚石狭缝旨在用于使用高功率激光器作为光源的系统的光学传递组件中。对于Q开关应用，考虑高反射狭缝盘表面和非常高熔化温度的盘材料。我们将根据您的装配环境参数定制孔径支架。

模板和覆盖图的管理需要花费时间和金钱。Schneider Messtechnik的新型数字投影仪将成熟投影仪的优势与数字图像处理相结合。只需将您的DXF文件上传到屏幕，并将其精确地放置在工件上。一旦与工件对齐，绘图将与工作台同步移动，以便您始终可以获得适当的绘图细节。但是，在设备上定义圆、线、角度和更多更多的内容也有助于快速使用设备。当然，我们也集成了相应的辅助工具，支持您进行清晰的边缘检测。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

DSD 500激光二极管驱动器可提供高达50 A的稳定低噪声输出电流。激光棒可以在没有危险的情况下操作。该驱动器采用特殊的开关模式拓扑结构，可实现极低的输出纹波以及超过90%余量的效率。在正常工作条件下，不需要额外的冷却设备，如散热器或风扇。输出电流可在0至50 A范围内调节，可通过板载电位器手动调节，也可通过外部控制电压调节。基本工作模式为恒流模式，在该模式下，可选择恒功率模式。根据要求，可以安装一些额外的电路，以允许从DC到5kHz的数字和模拟调制。具有非常短的响应时间的可调电流限制为几乎所有的激光二极管提供单独的保护。该驱动器采用5 V至9 V的单一直流电压工作，信号质量不会超过要求。

EMU-120/65设计用于f/3或更快的输入光学器件，使其具有任何宽带阶梯光栅摄谱仪的较高光学扩展量（数值孔径X狭缝面积）。EMU-120/65的吞吐量通常比其他宽带中阶梯光栅仪器高10倍至20倍。凭借其高光学扩展量，EMU-120/65是先进台通用于LIBS（激光诱导击穿光谱）和拉曼应用的中阶梯光栅光谱仪。EMU-120/65设计用于可选通EMCCD相机，在一次曝光中以波长或拉曼位移的线性单位覆盖探测器的整个范围（UV-VIS-NIR）。

150/200/250mW输出功率Ex-单模光纤 可用波长范围900-1010nm PM980或HI1060光纤 单独老化和热循环筛选可选监控光电二极管 符合RoHS规范

•150/200/250mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围900-1010nm •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管•符合RoHS规范

·150/200/250mW输出功率Ex-单模光纤 ·可选波长范围900-1010nm ·PM980或HI1060光纤 ·单独老化和热循环筛选 ·可选监控光电二极管 ·符合RoHS规范

•150/200/250mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围900-1010nm •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管