• UDT-4X4D 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 810 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 pF 响应度/光敏度: 0.35 to 0.40 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UDT-4x4D是一款光电二极管,波长范围为810 nm,电容为35 PF,响应度/光敏度为0.35至0.40 A/W.有关UDT-4x4D的更多详细信息,请联系我们。

  • UDT-555D 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 350 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 to 1500 pF 暗电流: 2 to 25 nA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的UDT-555D是波长范围为350至1100 nm、电容为300至1500 PF、暗电流为2至25 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。

  • UDT-555UV/LN 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 200 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UDT-555UV/LN是一款光电二极管,波长范围为200至1100 nm,电容为4500 PF,响应度/光敏度为0.10至0.14 A/W.有关UDT-555UV/LN的更多详细信息,请联系我们。

  • UDT-555UV 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 200 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UDT-555UV是一款光电二极管,波长范围为200至1100 nm,电容为4500 PF,响应度/光敏度为0.10至0.14 A/W.有关UDT-555UV的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-001 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-001是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为60 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为0.2µs.有关UV-001的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-005 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-005是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为300 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为0.9µs.有关UV-005的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-005DQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 65 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-005DQ是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为65 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为0.2µs,有效面积直径为2.4 mm.有关UV-005DQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-005DQC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 65 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-005DQC是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为65 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为0.2µs,有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005DQC的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-005EQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 140 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-005EQ是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为140 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为0.5µs,有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005EQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-005EQC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 140 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-005EQC是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为140 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为0.5µs,有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005EQC的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-013DQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 150 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-013DQ是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为150 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为0.5µs,有效区域直径为3.6 mm.有关UV-013DQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-013EQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 280 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-013EQ是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为280 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为1µs,有效区域直径为3.6 mm.有关UV-013EQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-015 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 800 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-015是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为800 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为2µs.有关UV-015的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-035DQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-035DQ是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为380 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为1µs,有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-035DQC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-035DQC是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为380 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为1µs,有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQC的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-035EQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 800 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-035EQ是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为800 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为2µs,有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035EQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为4500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为5.9µs.有关UV-100的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100DQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100DQ是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为1100 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为3µs,有效区域直径为10 mm.有关UV-100DQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100EQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100EQ是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为2500 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为7µs,有效区域直径为10 mm.有关UV-100EQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100L 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100L是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为4500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为5.9µs.有关UV-100L的更多详细信息,请联系我们。