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波长范围: 200 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UDT-555UV是一款光电二极管，波长范围为200至1100 nm，电容为4500 PF，响应度/光敏度为0.10至0.14 A/W.有关UDT-555UV的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UV-001是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为60 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为0.2µs.有关UV-001的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UV-005是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为300 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为0.9µs.有关UV-005的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 65 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-005DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为65 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为0.2µs，有效面积直径为2.4 mm.有关UV-005DQ的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 65 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-005DQC是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为65 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为0.2µs，有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005DQC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 140 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-005EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为140 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为0.5µs，有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005EQ的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 140 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-005EQC是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为140 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为0.5µs，有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005EQC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 150 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-013DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为150 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为0.5µs，有效区域直径为3.6 mm.有关UV-013DQ的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 280 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-013EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为280 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为1µs，有效区域直径为3.6 mm.有关UV-013EQ的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 800 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UV-015是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为800 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为2µs.有关UV-015的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-035DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为380 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为1µs，有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQ的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-035DQC是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为380 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为1µs，有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 800 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-035EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为800 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为2µs，有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035EQ的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UV-100是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为4500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为5.9µs.有关UV-100的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: YesOSI Laser Diode，Inc.的UV-100DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为1100 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为3µs，有效区域直径为10 mm.有关UV-100DQ的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: YesOSI Laser Diode，Inc.的UV-100EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为2500 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为7µs，有效区域直径为10 mm.有关UV-100EQ的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UV-100L是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为4500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为5.9µs.有关UV-100L的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UV-20是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为1000 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为2µs.有关UV-20的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1600 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UV-35是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为1600 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3µs.有关UV-35的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1600 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UV-35P是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为1600 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3µs.有关UV-35P的更多详细信息，请联系我们。
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